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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
Auirf1010ez	-	RFQ	4224	Infineon Technologies	Hexfet®	Una granela	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)			Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						60 V	75A (TC)		8.5mohm @ 51a, 10v	4V @ 250 µA	86 NC @ 10 V		2810 pf @ 25 V	-	140W (TC)
BF2030-E6327	-	RFQ	7196	Infineon Technologies	-	Una granela	Activo	8 V			Un 253-4, un 253AA			1 GHz	Mosfet			SOT143 (SC-61)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8541.21.0095	3.000	N-canal		-		10 Ma	-	23dB											1.5db										5 V
IQFH68N06NM5ATMA1	3.1921	RFQ	2370	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo												-	ROHS3 Cumplante						3.000
FF450R17ME7B11BPSA1	296.1700	RFQ	9252	Infineon Technologies	ECONODUAL ™, Trenchstop ™	Banda	Activo		-	Monte del Chasis	Módulo						Estándar	Agóndo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado				10	Soltero																			Parada de Campo de Trinchera	1700 V	450 A		-						No
F3L200R07W2S5FB56BPSA1	102.9187	RFQ	4780	Infineon Technologies	-	Banda	Activo												-	ROHS3 Cumplante			448-F3L200R07W2S5FB56BPSA1			15
IPB014N08NM6ATMA1	3.2871	RFQ	7472	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo												-	ROHS3 Cumplante						1,000
IPT067N20NM6ATMA1	4.8097	RFQ	8792	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo												-	ROHS3 Cumplante						2,000
FD450R12KE4HPSA1	170.7070	RFQ	3494	Infineon Technologies	-	Banda	Activo												-	ROHS3 Cumplante						10
FS13MR12W2M1HC55BPSA1	307.2100	RFQ	15	Infineon Technologies	-	Banda	Activo												-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	15
FF4MR20KM1HPHPSA1	852.0838	RFQ	1188	Infineon Technologies	C, Coolsic ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C	Monte del Chasis	Módulo				CARBURO DE SILICIO (SIC)	-		AG-62 MMHB	-	ROHS3 Cumplante						8	2 Canal							2000V (2kV)	280a (TC)		5.3mohm @ 300a, 18V	5.15V @ 168MA	1170nc @ 18V		36100pf @ 1.2kv	CARBURO DE SILICIO (SIC)
IPDQ60R020CFD7XTMA1	22.3400	RFQ	1593	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Módulo de 22 poderos				Mosfet (Óxido de metal)			PG-HDSOP-22-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	750		N-canal						600 V	112a (TC)	10V	20mohm @ 42.4a, 10V	4.5V @ 2.12MA	186 NC @ 10 V	± 20V	7395 pf @ 400 V	-	543W (TC)
F433MR12W1M1HB70BPSA1	98.4113	RFQ	9767	Infineon Technologies	-	Banda	Activo												-	ROHS3 Cumplante						24
IRF8714TRPBFXTMA1	0.2965	RFQ	3681	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo												-	ROHS3 Cumplante			448-IRF8714TRPBFXTMA1TR			4.000
FF750R17ME7B11BPSA1	407.9000	RFQ	9194	Infineon Technologies	ECONODUAL ™, Trenchstop ™	Banda	Activo		-	Monte del Chasis	Módulo						Estándar	Agóndo	-	ROHS3 Cumplante			448-FFFF750R17ME7B11BPSA1			10	Soltero																			Parada de Campo de Trinchera	1700 V	750 A		-						No
FF600R12KE7PEHPSA1	261.2688	RFQ	9955	Infineon Technologies	C, Trenchstop ™	Banda	Activo		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo						Estándar	AG-62 MMHB	-	ROHS3 Cumplante						8	Inversor de Medio Puente																			Parada de Campo de Trinchera	1200 V	600 A		1.75V @ 15V, 600A					100 µA	No	92300 pf @ 25 V
IQFH99N06NM5ATMA1	2.4512	RFQ	1165	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo												-	ROHS3 Cumplante						3.000
DF400R07W2S5FB77BPSA1	73.3647	RFQ	2639	Infineon Technologies	-	Banda	Activo												-	ROHS3 Cumplante			448-DF400R07W2S5FB77BPSA1			15
IHW30N140R5LXKSA1	4.1500	RFQ	7726	Infineon Technologies	-	Tubo	Activo												descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		448-IHW30N140R5LXKSA1	EAR99	8541.29.0095	30
IRL5602STRLPBF	-	RFQ	7219	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab				Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001573916	EAR99	8541.29.0095	800		Canal P						20 V	24a (TC)	2.5V, 4.5V	42mohm @ 12a, 4.5V	1V @ 250 µA	44 NC @ 4.5 V	± 8V	1460 pf @ 15 V	-	75W (TC)
IRG7PH42UDPBF	-	RFQ	2736	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Irg7ph	Estándar			320 W		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001537274	EAR99	8541.29.0095	400				600V, 30a, 10ohm, 15V															153 ns	Zanja	1200 V	85 A	90 A	2V @ 15V, 30a	2.11mj (Encendido), 1.18mj (apaguado)	157 NC	25ns/229ns
Auxtmgps4070d1	-	RFQ	3650	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto		-			Autxmgps	-						-			Alcanzar sin afectado	448-AUXTMGPS4070D1	EAR99	8541.29.0095	1				-																-				-	-		-
FD800R17KE3B2NOSA1	1.0000	RFQ	1173	Infineon Technologies	Ihm-b	Banda	No hay para Nuevos Diseños		-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Módulo	FD800R17				5200 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2	Piquero																			-	1700 V	1200 A		2.45V @ 15V, 800A					5 Ma	No	72 NF @ 25 V
FF900R17ME7PB11BPSA1	616.8400	RFQ	4607	Infineon Technologies	*	Banda	Activo												-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	6
IPA65R600E6	-	RFQ	8800	Infineon Technologies	Coolmos ™	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero				Mosfet (Óxido de metal)			PG-to20-3-111	descascar					EAR99	8542.39.0001	1		N-canal						650 V	7.3a (TC)	10V	600mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 210 µA	23 NC @ 10 V	± 20V	440 pf @ 100 V	-	28W (TC)
FF600R12KE4BOSA1	313.6900	RFQ	1	Infineon Technologies	hacer	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF600R12					Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10	Medio puente																			Parada de Campo de Trinchera	1200 V	600 A		2.2V @ 15V, 600A					5 Ma	No	38 NF @ 25 V
IRF7811AVTRPBF	-	RFQ	3350	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						30 V	10.8a (TA)	4.5V	14mohm @ 15a, 4.5V	3V @ 250 µA	26 NC @ 5 V	± 20V	1801 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
PTF140451E V1	-	RFQ	3738	Infineon Technologies	Goldmos®	Banda	Descontinuado en sic	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Fin Lidera			1.5 GHz	Ldmos			H-30265-2	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1			1 µA		550 Ma	45W	18dB											-										28 V
Auirf7478qtr	-	RFQ	5248	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001522778	EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal						60 V	7a (TA)	4.5V, 10V	26mohm @ 4.2a, 10V	3V @ 250 µA	31 NC @ 4.5 V	± 20V	1740 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
BSO4804T	-	RFQ	9227	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO4804			Mosfet (Óxido de metal)	2W		PG-dso-8	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)							30V	8A		20mohm @ 8a, 10v	2V @ 30 µA	17NC @ 5V		870pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IRFR1018EPBF	-	RFQ	9968	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						60 V	56a (TC)	10V	8.4mohm @ 47a, 10v	4V @ 100 µA	69 NC @ 10 V	± 20V	2290 pf @ 50 V	-	110W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²