SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IPD60R170CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R170CFD7ATMA1 3.2500
RFQ
ECAD 6174 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 14a (TC) 10V 170mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 300 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1199 pf @ 400 V - 76W (TC)
IPD19DP10NMATMA1 Infineon Technologies Ipd19dp10nmatma1 1.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD19D Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 2.6a (TA), 13.7a (TC) 10V 186mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.04mA 45 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 50 V - 3W (TA), 83W (TC)
IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies IGD01N120H2BUMA1 0.8552
RFQ
ECAD 4564 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IGD01 Estándar 28 W PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 800V, 1A, 241OHM, 15V - 1200 V 3.2 A 3.5 A 2.8V @ 15V, 1A 140 µJ 8.6 NC 13ns/370ns
FS200R07N3E4RBOSA1 Infineon Technologies FS200R07N3E4RBOSA1 261.7600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS200R07 600 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 650 V 200 A 1.95V @ 15V, 200a 1 MA Si 13 NF @ 25 V
SPD50N03S2L Infineon Technologies SPD50N03S2L 0.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 50A, 10V 2V @ 85 µA 68 NC @ 10 V ± 20V 2530 pf @ 25 V - 136W (TC)
DDB6U180N16RR Infineon Technologies Ddb6u180n16rr -
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo 515 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Picador de freno dual Parada de Campo de Trinchera 1200 V 140 A 2.2V @ 15V, 100A 1 MA No 6.3 NF @ 25 V
IRFH8337TR2PBF Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF -
RFQ
ECAD 4060 0.00000000 Infineon Technologies - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PQFN (5x6) descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 30 V 12A (TA), 35A (TC) 12.8mohm @ 16.2a, 10v 2.35V @ 25 µA 10 NC @ 10 V 790 pf @ 10 V -
DDB6U84N16RRBOSA1 Infineon Technologies Ddb6u84n16rrbosa1 -
RFQ
ECAD 3125 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Ddb6u84 350 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Piquero Escrutinio 1200 V 50 A 3.2V @ 20V, 50A 1 MA No 3.3 NF @ 25 V
PTFA212401F V4 R250 Infineon Technologies PTFA212401F V4 R250 -
RFQ
ECAD 7943 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA212401 2.14 GHz Ldmos H-37260-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 10 µA 1.6 A 50W 15.8db - 30 V
SPD08N50C3BTMA1 Infineon Technologies SPD08N50C3BTMA1 -
RFQ
ECAD 4559 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD08N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 560 V 7.6a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 83W (TC)
FS300R12OE4BOSA1 Infineon Technologies FS300R12OE4BOSA1 629.4800
RFQ
ECAD 1325 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FS300R12 1650 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 460 A 2.1V @ 15V, 300A 3 MA Si 18.5 NF @ 25 V
BC817-16W Infineon Technologies BC817-16W 0.0200
RFQ
ECAD 207 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo BC817 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
IRL2203NSPBF Infineon Technologies IRL2203NSPBF -
RFQ
ECAD 7113 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 116a (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 60a, 10v 3V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 16V 3290 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 180W (TC)
DF11MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies DF11MR12W1M1PB11BPSA1 -
RFQ
ECAD 3849 0.00000000 Infineon Technologies Easypack ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo DF11MR12 CARBURO DE SILICIO (SIC) 20MW Ag-Easy1b-2 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 30 2 Canal N (Dual) 1200V (1.2kv) 50A (TJ) 22.5mohm @ 50A, 15V 5.55V @ 20 mm 124nc @ 15V 3680pf @ 800V -
IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies IPD50R1K4CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 8171 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 3.1a (TC) 13V 1.4ohm @ 900mA, 13V 3.5V @ 70 µA 1 NC @ 10 V ± 20V 178 pf @ 100 V - 25W (TC)
FP75R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N3T7B11BPSA1 206.2200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPIM ™ 3 Banda Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 20 MW Rectificador de Puente Trifásico Ag-Econo3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 75 A 1.8v @ 15V, 75a 13 µA Si 15.1 NF @ 25 V
IRFR8314TRPBF Infineon Technologies IRFR8314TRPBF 1.7000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR8314 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (TO-252AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 90A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 90a, 10v 2.2V @ 100 µA 54 NC @ 4.5 V ± 20V 4945 pf @ 15 V - 125W (TC)
IRFHM8337TRPBF Infineon Technologies IRFHM8337TRPBF -
RFQ
ECAD 5125 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 12a (TA) 4.5V, 10V 12.4mohm @ 12a, 10v 2.35V @ 25 µA 8.1 NC @ 4.5 V ± 20V 755 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 25W (TC)
FP75R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies Fp75r12kt4b11bosa1 220.1300
RFQ
ECAD 40 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo FP75R12 385 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1200 V 75 A 2.15V @ 15V, 75a 1 MA Si 4.3 NF @ 25 V
BSS127 E6327 Infineon Technologies BSS127 E6327 -
RFQ
ECAD 7554 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 600 V 21 Ma (TA) 4.5V, 10V 500ohm @ 16 Ma, 10v 2.6V @ 8 µA 1 NC @ 10 V ± 20V 28 pf @ 25 V - 500MW (TA)
IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies IPN80R1K4P7ATMA1 1.1500
RFQ
ECAD 76 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA IPN80R1 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 800 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 3.5V @ 70 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 250 pf @ 500 V - 7W (TC)
BFP420FH6327XTSA1 Infineon Technologies Bfp420fh6327xtsa1 0.4400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables BFP420 160MW 4-TSFP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 19.5dB 5.5V 35mA NPN 60 @ 5 MMA, 4V 25 GHz 1.1DB @ 1.8GHz
IPD60R280P7ATMA1 Infineon Technologies IPD60R280P7ATMA1 2.1100
RFQ
ECAD 8005 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 280mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 190 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 761 pf @ 400 V - 53W (TC)
P3000ZL45X168APTHPSA1 Infineon Technologies P3000ZL45X168APTHPSA1 10.0000
RFQ
ECAD 8159 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Do-200ae Estándar BG-P16826K-1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Soltero Zanja 4500 V 3000 A 2.5V @ 15V, 3000A 200 µA No 620 NF @ 25 V
IPD60R600C6BTMA1 Infineon Technologies IPD60R600C6BTMA1 -
RFQ
ECAD 7904 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C6 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200 µA 20.5 NC @ 10 V ± 20V 440 pf @ 100 V - 63W (TC)
IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies IPA083N10N5XKSA1 2.4200
RFQ
ECAD 420 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA083 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 44a (TC) 6V, 10V 8.3mohm @ 44a, 10v 3.8V @ 49 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2730 pf @ 50 V - 36W (TC)
BSM400GA120DN2FSE32HOSA1 Infineon Technologies BSM400GA120DN2FSE32HOSA1 -
RFQ
ECAD 8866 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto BSM400 - Obsoleto 1
IRLR2705TRRPBF Infineon Technologies IRLR2705TRPBF -
RFQ
ECAD 6224 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001558392 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 28a (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10v 2V @ 250 µA 25 NC @ 5 V ± 16V 880 pf @ 25 V - 68W (TC)
AUIRFR024NTRL Infineon Technologies Auirfr024ntrl 1.8700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Auirfr024 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 17a (TC) 75mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V 370 pf @ 25 V - 45W (TC)
IPD90N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies IPD90N06S4L05ATMA2 1.6800
RFQ
ECAD 7852 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD90 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 90A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 90a, 10v 2.2V @ 60 µA 110 NC @ 10 V ± 16V 8180 pf @ 25 V - 107W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock