SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IRG4PH30KD Infineon Technologies IRG4PH30KD -
RFQ
ECAD 2205 0.00000000 Infineon Technologies - Bolsa Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRG4PH30 Estándar 100 W To47ac descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRG4PH30KD EAR99 8541.29.0095 25 800V, 10a, 23ohm, 15V 50 ns - 1200 V 20 A 40 A 4.2V @ 15V, 10a 950 µJ (Encendido), 1.15MJ (apagado) 53 NC 39ns/220ns
SIPC06S2N06LATX2LA1 Infineon Technologies SIPC06S2N06LATX2LA1 -
RFQ
ECAD 1894 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
BSZ105N04NSG Infineon Technologies BSZ105N04NSG -
RFQ
ECAD 4757 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TSDSON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 5,000 N-canal 40 V 11a (TA), 40a (TC) 10V 10.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 14 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 20 V - 2.1W (TA), 35W (TC)
62-0162PBF Infineon Technologies 62-0162pbf -
RFQ
ECAD 2478 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 -
BSC025N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC025N03MSGATMA1 1.4100
RFQ
ECAD 7472 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC025 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 23a (TA). 100A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 20V 7600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Auirf1010zs -
RFQ
ECAD 3773 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001519530 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 7.5mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
IMT65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies IMT65R107M1HXTMA1 -
RFQ
ECAD 8797 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Imt65r - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 2,000
IMT65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies IMT65R022M1HXTMA1 -
RFQ
ECAD 3711 0.00000000 Infineon Technologies * Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Imt65r - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 2,000
IPP881NE7NGXKSA1 Infineon Technologies IPP881NE7NGXKSA1 -
RFQ
ECAD 7046 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Alcanzar sin afectado Obsoleto 1
ISC030N12NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC030N12NM6ATMA1 5.5400
RFQ
ECAD 1581 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn ISC030N Mosfet (Óxido de metal) PG-TSON-8-3 - 1 (ilimitado) 5,000 N-canal 120 V 21a (TA), 194a (TC) 8V, 10V 3.04mohm @ 50A, 10V 3.6V @ 141 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 60 V - 3W (TA), 250W (TC)
SPW11N60CFDFKSA1 Infineon Technologies SPW11N60CFDFKSA1 -
RFQ
ECAD 9689 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SPW11N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 440mohm @ 7a, 10v 5V @ 500 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 125W (TC)
AIMZHN120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZHN120R120M1TXKSA1 12.1686
RFQ
ECAD 7276 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-AMZZHN120R120M1TXKSA1 240
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies IPB039N10N3GE8187ATMA1 -
RFQ
ECAD 3172 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IPB039 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 160A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 100a, 10v 3.5V @ 160 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
IPP126N10N3G Infineon Technologies IPP126N10N3G -
RFQ
ECAD 3366 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 68 N-canal 100 V 58a (TC) 12.6mohm @ 46a, 10v 3.5V @ 46 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 50 V - 94W (TC)
BSM15GP60BOSA1 Infineon Technologies Bsm15gp60bosa1 -
RFQ
ECAD 5080 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo Bsm15g 100 W Rectificador de Puente Trifásico Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Inversor trifásico - 600 V 25 A 2.45V @ 15V, 15a 500 µA Si
IPD50P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies IPD50P03P4L11ATMA2 1.6400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos®-P2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD50 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 50A (TC) 10.5mohm @ 50A, 10V 2V @ 85 µA 55 NC @ 10 V +5V, -16V 3770 pf @ 25 V - 58W (TC)
IPT65R080CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT65R080CFD7XTMA1 3.3605
RFQ
ECAD 6407 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 8-POWERSFN - PG-HSOF-8-3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 - 650 V - - - - - - -
IPP029N06NAK5A1 Infineon Technologies IPP029N06NAK5A1 -
RFQ
ECAD 3689 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 60 V 24a (TA), 100a (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 100a, 10V 2.8V @ 75 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 4100 pf @ 30 V - 3W (TA), 136W (TC)
IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG65R163M1HXTMA1 7.1700
RFQ
ECAD 2986 0.00000000 Infineon Technologies CoolSic ™ M1 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA Imbg65r Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO263-7-12 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 448-IMBG65R163M1HXTMA1CT EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 17a (TC) 18V 217mohm @ 5.7a, 18V 5.7V @ 1.7MA 10 NC @ 18 V +23V, -5V 320 pf @ 400 V - 85W (TC)
IGT60R190D1ATMA1 Infineon Technologies IGT60R190D1ATMA1 -
RFQ
ECAD 9678 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000
FF300R12ME4PBOSA1 Infineon Technologies Ff300r12me4pbosa1 214.0950
RFQ
ECAD 7547 0.00000000 Infineon Technologies ECONODUAL ™ 3 Banda Activo FF300R12 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 6
SPP07N60S5HKSA1 Infineon Technologies Spp07n60s5hksa1 -
RFQ
ECAD 3423 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp07n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-1 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000012115 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 7.3a (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5.5V @ 350 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 970 pf @ 25 V - 83W (TC)
IPD380P06NMATMA1 Infineon Technologies IPD380P06NMATMA1 2.3500
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD380 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 35A (TC) 10V 38mohm @ 35a, 10v 4V @ 1.7MA 63 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 30 V - 125W (TC)
IPB100N06S2L05ATMA1 Infineon Technologies IPB100N06S2L05ATMA1 -
RFQ
ECAD 8535 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB100N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 100A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 80a, 10v 2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 20V 5660 pf @ 25 V - 300W (TC)
IRFI4110GPBF Infineon Technologies IRFI4110GPBF 4.0000
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Irfi4110 Mosfet (Óxido de metal) Un entero de 220ab-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 72a (TC) 10V 4.5mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 290 NC @ 10 V ± 20V 9540 pf @ 50 V - 61W (TC)
IRGS4B60KD1TRRP Infineon Technologies IRGS4B60KD1TRP -
RFQ
ECAD 8783 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRGS4B60 Estándar 63 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001534000 EAR99 8541.29.0095 800 400V, 4A, 100OHM, 15V 93 ns Escrutinio 600 V 11 A 22 A 2.5V @ 15V, 4A 73 µJ (Encendido), 47 µJ (apaguado) 12 NC 22ns/100ns
SPD30N03S2L-20G Infineon Technologies SPD30N03S2L-20G 0.3000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
IRG7T150CL12B Infineon Technologies IRG7T150CL12B -
RFQ
ECAD 8840 0.00000000 Infineon Technologies - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Powir® 62 Irg7t 910 W Estándar POWIR® 62 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Soltero - 1200 V 300 A 2.2V @ 15V, 150a 1 MA No 20.2 NF @ 25 V
DF450R17N2E4PB11BDLA1 Infineon Technologies DF450R17N2E4PB11BDLA1 103.6600
RFQ
ECAD 84 0.00000000 Infineon Technologies * Una granela Activo DF450 - Vendedor indefinido Vendedor indefinido 2156-DF450R17N2E4PB11BDLA1-448 1
IRG5K400HF06B Infineon Technologies IRG5K400HF06B -
RFQ
ECAD 4090 0.00000000 Infineon Technologies - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Powir® 62 1620 W Estándar POWIR® 62 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001540486 EAR99 8541.29.0095 15 Medio puente - 600 V 670 A 2.1V @ 15V, 400A 2 MA No 25 nf @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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