SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Tipo de transistor DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
IPC26N12NX2SA1 Infineon Technologies IPC26N12NX2SA1 -
RFQ
 ECAD 8497 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic IPC26N - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000980076 0000.00.0000 2,000 -
IRLH7134TRPBF Infineon Technologies IRLH7134TRPBF -
RFQ
 ECAD 9117 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 40 V 26a (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 100 µA 58 NC @ 4.5 V ± 16V 3720 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 104W (TC)
IRF7350PBF Infineon Technologies IRF7350PBF -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF7350 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Vecino del canal 100V 2.1a, 1.5a 210mohm @ 2.1a, 10v 4V @ 250 µA 28NC @ 10V 380pf @ 25V -
IRFB4310ZGPBF Infineon Technologies IRFB4310ZGPBF -
RFQ
 ECAD 4474 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001575544 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 6mohm @ 75a, 10V 4V @ 150 µA 170 NC @ 10 V ± 20V 6860 pf @ 50 V - 250W (TC)
IPI60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies IPI60R099CPAAKSA1 -
RFQ
 ECAD 5310 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI60R099 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 31a (TC) 10V 105mohm @ 18a, 10v 3.5V @ 1.2MA 80 NC @ 10 V ± 20V 2800 pf @ 100 V - 255W (TC)
IRF7342PBF Infineon Technologies IRF7342PBF -
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF734 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001571984 EAR99 8541.29.0095 95 2 Canal P (Dual) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10v 1V @ 250 µA 38nc @ 10V 690pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRFU2307ZPBF Infineon Technologies IRFU2307ZPBF -
RFQ
 ECAD 6593 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001565178 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 75 V 42a (TC) 10V 16mohm @ 32a, 10v 4V @ 100 µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2190 pf @ 25 V - 110W (TC)
AUIRFR2905ZTR Infineon Technologies Auirfr2905ztr -
RFQ
 ECAD 1465 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001522230 EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 55 V 42a (TC) 14.5mohm @ 36a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V 1380 pf @ 25 V -
IRL2910PBF Infineon Technologies IRL2910pbf 2.9900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRL2910 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 100 V 55A (TC) 4V, 10V 26mohm @ 29a, 10v 2V @ 250 µA 140 NC @ 5 V ± 16V 3700 pf @ 25 V - 200W (TC)
IRFR4105ZTRL Infineon Technologies IRFR4105ZTRL -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1 0.3700
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BSD840 Mosfet (Óxido de metal) 500MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 880 Ma 400mohm @ 880 mA, 2.5V 750MV @ 1.6 µA 0.26nc @ 2.5V 78pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
BFP520FE6327 Infineon Technologies BFP520FE6327 0.1600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-smd, planos de cables 100MW 4-TSFP descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 22.5db 3.5V 40mera NPN 70 @ 20MA, 2V 45 GHz 0.95db @ 1.8Ghz
BSS223PW L6327 Infineon Technologies BSS223PW L6327 -
RFQ
 ECAD 4396 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 390MA (TA) 2.5V, 4.5V 1.2ohm @ 390mA, 4.5V 1.2V @ 1.5 µA 0.62 NC @ 4.5 V ± 12V 56 pf @ 15 V - 250MW (TA)
BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies BSO615CGHuma1 -
RFQ
 ECAD 8940 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO615 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 3.1a, 2a 110mohm @ 3.1a, 10v 2V @ 20 µA 22.5nc @ 10V 380pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
PTFA211801F V4 Infineon Technologies PTFA211801F V4 -
RFQ
 ECAD 8246 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto 65 V Montaje en superficie 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas PTFA211801 2.14 GHz Ldmos H-37260-2 descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 40 10 µA 1.2 A 35W 15.5dB - 28 V
IRFR4105Z Infineon Technologies IRFR4105Z -
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies IPZA60R080P7XKSA1 7.6200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 IPZA60 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 37a (TC) 10V 80mohm @ 11.8a, 10v 4V @ 590 µA 51 NC @ 10 V ± 20V 2180 pf @ 400 V - 129W (TC)
IRLR2905CPBF Infineon Technologies IRLR2905CPBF -
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Infineon Technologies - Tubo Obsoleto - Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 36A (TA) - - - -
IPB80N06S2L06ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA1 -
RFQ
 ECAD 1493 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IPB80N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 69a, 10v 2V @ 180 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 3800 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRF6638TRPBF Infineon Technologies IRF6638TRPBF -
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DirectFet ™ Isométrico MX Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ mx descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 25A (TA), 140A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 25A, 10V 2.35V @ 100 µA 45 NC @ 4.5 V ± 20V 3770 pf @ 15 V - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRL530NSTRL Infineon Technologies IRL530nstrl -
RFQ
 ECAD 6490 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 17a (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10v 2V @ 250 µA 34 NC @ 5 V ± 20V 800 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 79W (TC)
IRF8736TRPBF Infineon Technologies IRF8736TRPBF 0.7800
RFQ
 ECAD 2845 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) IRF8736 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 18a (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 18a, 10v 2.35V @ 50 µA 26 NC @ 4.5 V ± 20V 2315 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IPI200N25N3GAKSA1 Infineon Technologies IPI200N25N3GAKSA1 -
RFQ
 ECAD 8746 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IPI200 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 250 V 64a (TC) 10V 20mohm @ 64a, 10V 4V @ 270 µA 86 NC @ 10 V ± 20V 7100 pf @ 100 V - 300W (TC)
64-4045PBF Infineon Technologies 64-4045pbf -
RFQ
 ECAD 6026 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Obsoleto 64-4045 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001521504 EAR99 8541.29.0095 75
IRL1104LPBF Infineon Technologies IRL1104LPBF -
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 104a (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10v 1V @ 250 µA 68 NC @ 4.5 V ± 16V 3445 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 167W (TC)
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies IPD30N08S2L21ATMA1 1.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD30N08 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 75 V 30A (TC) 4.5V, 10V 20.5mohm @ 25A, 10V 2V @ 80 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 1650 pf @ 25 V - 136W (TC)
IRFS7534TRL7PP Infineon Technologies IRFS7534TRL7PP 3.3300
RFQ
 ECAD 845 0.00000000 Infineon Technologies HEXFET®, StrongIrfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) IRFS7534 Mosfet (Óxido de metal) D2PAK (7-LEAD) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 240a (TC) 6V, 10V 1.95mohm @ 100a, 10v 3.7V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 9990 pf @ 25 V - 290W (TC)
IPP65R045C7XKSA1 Infineon Technologies IPP65R045C7XKSA1 14.6900
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ C7 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP65R045 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 46a (TC) 10V 45mohm @ 24.9a, 10v 4V @ 1.25 Ma 93 NC @ 10 V ± 20V 4340 pf @ 400 V - 227W (TC)
IRF3805 Infineon Technologies IRF3805 -
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF3805 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 3.3mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 290 NC @ 10 V ± 20V 7960 pf @ 25 V - 330W (TC)
BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies Bsc0502nsiatma1 1.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn BSC0502 Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 26a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 2.3mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 43W (TC)
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