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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Aporte	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Termistor NTC	Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	4171	Infineon Technologies	-	Una granela	Obsoleto					IPC60R							-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP000857778	Obsoleto	0000.00.0000	1									-
IPB60R299CPATMA1	-	RFQ	4761	Infineon Technologies	CoolMos ™ CP	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB60R			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						600 V	11a (TC)	10V	299mohm @ 6.6a, 10v	3.5V @ 440 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 100 V	-	96W (TC)
IPAW60R600P7SE8228XKSA1	0.7002	RFQ	6605	Infineon Technologies	CoolMos ™ P7	Tubo	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Ipaw60			Mosfet (Óxido de metal)			PG-to220-FP	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	450		N-canal						600 V	6a (TC)	10V	600mohm @ 1.7a, 10V	4V @ 80 µA	9 NC @ 10 V	± 20V	363 pf @ 400 V	-	21W (TC)
IRF7501TR	-	RFQ	7557	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			Montaje en superficie	8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho)	IRF7501			Mosfet (Óxido de metal)	1.25W		Micro8 ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)							20V	2.4a		135mohm @ 1.7a, 4.5V	700mv @ 250 µA	8NC @ 4.5V		260pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
BSZ035N03LSGATMA1	1.6700	RFQ	5634	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSZ035			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TSDSON-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						30 V	20A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 20a, 10v	2.2V @ 250 µA	56 NC @ 10 V	± 20V	4400 pf @ 15 V	-	2.1W (TA), 69W (TC)
IRFHM792TR2PBF	-	RFQ	4705	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto			Montaje en superficie	8Powervdfn	Irfhm792			Mosfet (Óxido de metal)	2.3w		8-PQFN-Dual (3.3x3.3)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	400	2 Canal N (Dual)							100V	2.3a		195mohm @ 2.9a, 10v	4V @ 10 µA	6.3nc @ 10V		251pf @ 25V	-
IRF7805PBF	-	RFQ	5450	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal						30 V	13a (TA)	4.5V	11mohm @ 7a, 4.5V	3V @ 250 µA	31 NC @ 5 V	± 12V		-	2.5W (TA)
IRF3709ZSTRRPBF	1.6600	RFQ	4330	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF3709			Mosfet (Óxido de metal)			D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						30 V	87a (TC)	4.5V, 10V	6.3mohm @ 21a, 10v	2.25V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	± 20V	2130 pf @ 15 V	-	79W (TC)
IPI70N04S406AKSA1	2.0500	RFQ	500	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI70N04			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						40 V	70A (TC)	10V	6.5mohm @ 70a, 10v	4V @ 26 µA	32 NC @ 10 V	± 20V	2550 pf @ 25 V	-	58W (TC)
IPB200N25N3GATMA1	8.2000	RFQ	3565	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IPB200			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						250 V	64a (TC)	10V	20mohm @ 64a, 10V	4V @ 270 µA	86 NC @ 10 V	± 20V	7100 pf @ 100 V	-	300W (TC)
PTFA181001FV4XWSA1	-	RFQ	3776	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	2-Flatpack, Aletas, Con Bridas	PTFA181001		1.88GHz	Ldmos			H-37248-2	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			1 µA		750 Ma	100W	16.5dB											-							28 V
BSC016N03MSGATMA1	1.6100	RFQ	15	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC016			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						30 V	28a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	1.6mohm @ 30a, 10v	2V @ 250 µA	173 NC @ 10 V	± 20V	13000 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 125W (TC)
Auirfs4127trl	4.4729	RFQ	2865	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirfs4127			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001518830	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal						200 V	72a (TC)	10V	22mohm @ 44a, 10V	5V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	5380 pf @ 50 V	-	375W (TC)
Irf7240tr	-	RFQ	7223	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)				Mosfet (Óxido de metal)			8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P						40 V	10.5a (TA)	4.5V, 10V	15mohm @ 10.5a, 10v	3V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 20V	9250 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
SPI80N03S2L-05	-	RFQ	2060	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Spi80n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						30 V	80a (TC)	4.5V, 10V	5.2mohm @ 55a, 10v	2V @ 110 µA	89.7 NC @ 10 V	± 20V	3320 pf @ 25 V	-	167W (TC)
IRFR48ZTRPBF	1.4900	RFQ	6	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR48			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal						55 V	42a (TC)	10V	11mohm @ 37a, 10v	4V @ 50 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1720 pf @ 25 V	-	91W (TC)
BSL308PEL6327HTSA1	-	RFQ	4918	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	BSL308			Mosfet (Óxido de metal)	500MW		PG-TSOP6-6	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 Canal P (Dual)							30V	2a		80mohm @ 2a, 10v	1V @ 11 µA	5NC @ 10V		500pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IRFR13N20DPBF	-	RFQ	8809	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63				Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						200 V	13a (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10v	5.5V @ 250 µA	38 NC @ 10 V	± 30V	830 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Irfl1006tr	-	RFQ	4911	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA				Mosfet (Óxido de metal)			SOT-223	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						60 V	1.6a (TA)	10V	220mohm @ 1.6a, 10V	4V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 20V	160 pf @ 25 V	-	1W (TA)
IPD90N10S4L06ATMA1	2.9400	RFQ	10	Infineon Technologies	Automotive, AEC-Q101, Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPD90			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-313	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						100 V	90A (TC)	4.5V, 10V	6.6mohm @ 90a, 10v	2.1V @ 90 µA	98 NC @ 10 V	± 16V	6250 pf @ 25 V	-	136W (TC)
IRLU3636PBF	2.3200	RFQ	6	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	No hay para Nuevos Diseños		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	IRLU3636			Mosfet (Óxido de metal)			I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001567320	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						60 V	50A (TC)	4.5V, 10V	6.8mohm @ 50A, 10V	2.5V @ 100 µA	49 NC @ 4.5 V	± 16V	3779 pf @ 50 V	-	143W (TC)
IPF10N03LA	-	RFQ	7372	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IPF10N			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO252-3-23	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						25 V	30A (TC)	4.5V, 10V	10.4mohm @ 30a, 10v	2V @ 20 µA	11 NC @ 5 V	± 20V	1358 pf @ 15 V	-	52W (TC)
IPP054NE8NGHKSA2	-	RFQ	7756	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IPP054M			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TO20-3	descascar		3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal						85 V	100A (TC)	10V	5.4mohm @ 100a, 10v	4V @ 250 µA	180 NC @ 10 V	± 20V	12100 pf @ 40 V	-	300W (TC)
BSC022N04LS6ATMA1	1.8200	RFQ	3	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC022			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TDSON-8-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						40 V	27a (TA), 100a (TC)	4.5V, 10V	2.2mohm @ 50A, 10V	2.3V @ 250 µA	28 NC @ 10 V	± 20V	1900 pf @ 20 V	-	3W (TA), 79W (TC)
IQE030N06NM5CGATMA1	3.1000	RFQ	4	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Monte de superficie, Flanco Humectable	8-Powertdfn	Iqe030n			Mosfet (Óxido de metal)			PG-TTFN-9-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal						60 V	21a (TA), 137a (TC)	6V, 10V	3mohm @ 20a, 10v	3.3V @ 50 µA	49 NC @ 10 V	± 20V	3800 pf @ 30 V	-	2.5W (TA), 107W (TC)
PTAB182002TCV2R250XTMA1	-	RFQ	7801	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	65 V		Montaje en superficie	H-49248H-4			1.805GHz ~ 1.88GHz	Ldmos			H-49248H-4	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001483354	EAR99	8541.29.0075	250			10 µA		520 Ma	29w	14.8db											-							28 V
IMT65R163M1HXTMA1	-	RFQ	2086	Infineon Technologies	*	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic					Imt65r							-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado				2,000
IRFR3710ZTRLPBF	2.3000	RFQ	16	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR3710			Mosfet (Óxido de metal)			D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						100 V	42a (TC)	10V	18mohm @ 33a, 10v	4V @ 250 µA	100 NC @ 10 V	± 20V	2930 pf @ 25 V	-	140W (TC)
AIKB30N65DH5ATMA1	4.7700	RFQ	1836	Infineon Technologies	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	AIKB30	Estándar					PG-TO263-3-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000				-															Escrutinio	650 V	30 A	-	-	-
FF1000R17IE4DB2BOSA1	986.6200	RFQ	5378	Infineon Technologies	Primepack ™ 3	Banda	Activo		-40 ° C ~ 150 ° C	Monte del Chasis	Módulo	FF1000				6250 W	Estándar	Módulo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2	2 Independientes																		-	1700 V		2.45V @ 15V, 1000A				5 Ma	Si	81 NF @ 25 V

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²