SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FD200R65KF2-K Infineon Technologies FD200R65KF2-K 2.0000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 125 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 380000 W Estándar - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Piquero - 3600 V 200 A 4.9V @ 15V, 200a 200 µA No 28 NF @ 25 V
BSB053N03LP G Infineon Technologies BSB053N03LP G -
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Wdson Mosfet (Óxido de metal) MG-WDSON-2, Canpak M ™ descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 17A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 5.3mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 2700 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 42W (TC)
64-2115PBF Infineon Technologies 64-2115pbf -
RFQ
 ECAD 4996 0.00000000 Infineon Technologies * Tubo Activo 64-2115 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001550630 EAR99 8541.29.0095 50
IRF6626 Infineon Technologies IRF6626 -
RFQ
 ECAD 7081 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Directfet ™ isométrico st Mosfet (Óxido de metal) Directfet ™ st descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.800 N-canal 30 V 16a (TA), 72a (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 16a, 10v 2.35V @ 250 µA 29 NC @ 4.5 V ± 20V 2380 pf @ 15 V - 2.2W (TA), 42W (TC)
IRFS23N20D Infineon Technologies IRFS23N20D -
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFS23N20D EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 24a (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10v 5.5V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1960 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 170W (TC)
SPB16N50C3ATMA1 Infineon Technologies SPB16N50C3ATMA1 -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SPB16N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO263-3-2 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 560 V 16a (TC) 10V 280mohm @ 10a, 10v 3.9V @ 675 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 160W (TC)
IPU50R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies IPU50R1K4Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CE Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IPU50R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 500 V 3.1a (TC) 13V 1.4ohm @ 900mA, 13V 3.5V @ 70 µA 8.2 NC @ 10 V ± 20V 178 pf @ 100 V - 42W (TC)
2N7002H6327XTSA2 Infineon Technologies 2N7002H6327XTSA2 0.3300
RFQ
 ECAD 173 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.6 NC @ 10 V ± 20V 20 pf @ 25 V - 500MW (TA)
IPL65R340CFDAUMA2 Infineon Technologies IPL65R340CFDAUMA2 -
RFQ
 ECAD 3683 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ CFD2 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn IPL65R Mosfet (Óxido de metal) PG-VSON-4 descascar ROHS3 Cumplante 2a (4 semanas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 10.9a (TC) 10V 340mohm @ 4.4a, 10V 4.5V @ 400 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 104.2W (TC)
IRLR3715ZTR Infineon Technologies IRLR3715ztr -
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001558456 EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 49a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 810 pf @ 10 V - 40W (TC)
SI4420DY Infineon Technologies Si4420dy -
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Si4420dy EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10v 1V @ 250 µA 78 NC @ 10 V ± 20V 2240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRFR4104TRPBF Infineon Technologies IRFR4104TRPBF 1.7800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRFR4104 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 42a (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10v 4V @ 250 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 2950 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRFR3704TR Infineon Technologies IRFR3704TR -
RFQ
 ECAD 3357 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001573372 EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 20 V 75A (TC) 10V 9.5mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 20V 1996 pf @ 10 V - 90W (TC)
IRFR1010ZPBF Infineon Technologies IRFR1010ZPBF -
RFQ
 ECAD 7693 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 55 V 42a (TC) 10V 7.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 100 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2840 pf @ 25 V - 140W (TC)
IRF5803D2 Infineon Technologies IRF5803D2 -
RFQ
 ECAD 5941 0.00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 40 V 3.4a (TA) 4.5V, 10V 112mohm @ 3.4a, 10V 3V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 1110 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 2W (TA)
IRG5K200HF06A Infineon Technologies IRG5K200HF06A -
RFQ
 ECAD 2552 0.00000000 Infineon Technologies - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo Powir® 34 800 W Estándar POWIR® 34 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001544746 EAR99 8541.29.0095 20 Medio puente - 600 V 340 A 2.1V @ 15V, 200a 1 MA No 11.9 NF @ 25 V
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies BSM35GD120DLCE3224BOSA1 147.3320
RFQ
 ECAD 8226 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo Bsm35g 280 W Estándar Módulo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Puente completo - 1200 V 70 A 2.6V @ 15V, 35a 80 µA No 2 NF @ 25 V
BCR10PNB6327XT Infineon Technologies Bcr10pnb6327xt -
RFQ
 ECAD 1554 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR10 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 30,000 50V 100mA - 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 kohms 10 kohms
IRLR3715Z Infineon Technologies IRLR3715Z -
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRLR3715Z EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 20 V 49a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10v 2.55V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 20V 810 pf @ 10 V - 40W (TC)
IRFL4315PBF Infineon Technologies Irfl4315pbf -
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001554908 EAR99 8541.29.0095 80 N-canal 150 V 2.6a (TA) 10V 185mohm @ 1.6a, 10V 5V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 420 pf @ 25 V - 2.8W (TA)
BSD816SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD816SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 7256 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mosfet (Óxido de metal) PG-SOT363-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.4a (TA) 1.8V, 2.5V 160mohm @ 1.4a, 2.5V 950MV @ 3.7 µA 0.6 NC @ 2.5 V ± 8V 180 pf @ 10 V - 500MW (TA)
IRL3302STRL Infineon Technologies IRL3302STRL -
RFQ
 ECAD 8120 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 20 V 39A (TC) 4.5V, 7V 20mohm @ 23a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 31 NC @ 4.5 V ± 10V 1300 pf @ 15 V - 57W (TC)
BSO203PNTMA1 Infineon Technologies Bso203pntma1 -
RFQ
 ECAD 1233 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) BSO203 Mosfet (Óxido de metal) 2W PG-dso-8 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 8.2a 21mohm @ 8.2a, 4.5V 1.2V @ 100 µA 48.6nc @ 4.5V 2242pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
IPS70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPS70R2K0Ceakma1 -
RFQ
 ECAD 1888 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak IPS70R2 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3-11 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001471300 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 4A (TC) 10V 2ohm @ 1a, 10v 3.5V @ 70 µA 7.8 NC @ 10 V ± 20V 163 pf @ 100 V - 42W (TC)
SPA02N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPA02N80C3XKSA1 1.6700
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero SPA02N80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 2a (TC) 10V 2.7ohm @ 1.2a, 10v 3.9V @ 120 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 290 pf @ 100 V - 30.5W (TC)
SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies Spd15p10plgbtma1 2.2600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Sipmos® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD15P10 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 100 V 15A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 11.3a, 10v 2V @ 1.54mA 62 NC @ 10 V ± 20V 1490 pf @ 25 V - 128W (TC)
IRF1404SPBF Infineon Technologies IRF1404SPBF -
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 162a (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10v 4V @ 250 µA 200 NC @ 10 V ± 20V 7360 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
BFR949TE6327 Infineon Technologies BFR949TE6327 -
RFQ
 ECAD 5488 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 250MW PG-SC-75 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000 20dB 10V 35mA NPN 100 @ 5 MMA, 6V 9 GHz 1DB ~ 1.5dB @ 1Ghz ~ 1.8GHz
FF600R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies FF600R17KE3B2NOSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Infineon Technologies - Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 125 ° C Monte del Chasis Módulo FF600R17 4300 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 2 Independientes - 1700 V 2.45V @ 15V, 600A 5 Ma No 54 NF @ 25 V
IRLU2905PBF Infineon Technologies IRLU2905PBF -
RFQ
 ECAD 4085 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 42a (TC) 27mohm @ 25A, 10V 2V @ 250 µA 48 NC @ 5 V 1700 pf @ 25 V -
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AD9208BBPZ-3000

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