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Transistores (13833)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
IRF7321D2TR	-	RFQ	7221	Infineon Technologies	Fetky ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canal P		30 V	4.7a (TA)	4.5V, 10V	62mohm @ 4.9a, 10V	1V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	710 pf @ 25 V	Diodo Schottky (Aislado)	2W (TA)
IRGB4715DPBF	-	RFQ	4365	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3		Estándar		100 W	Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			400V, 8a, 50ohm, 15V											86 ns	-	650 V	21 A	24 A	2V @ 15V, 8a	200 µJ (ON), 90 µJ (OFF)	30 NC	30ns/100ns
BSO615N	-	RFQ	1448	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO615		Mosfet (Óxido de metal)	2W	PG-dso-8	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)			60V	2.6a		150mohm @ 2.6a, 4.5V	2V @ 20 µA	20NC @ 10V		380pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IRF3710LPBF	-	RFQ	2337	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		100 V	57a (TC)	10V	23mohm @ 28a, 10v	4V @ 250 µA	130 NC @ 10 V	± 20V	3130 pf @ 25 V	-	200W (TC)
BSO130P03SHXUMA1	1.3300	RFQ	6663	Infineon Technologies	Optimos ™	Tape & Reel (TR)	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	BSO130		Mosfet (Óxido de metal)		PG-dso-8	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P		30 V	9.2a (TA)	10V	13mohm @ 11.7a, 10V	2.2V @ 140 µA	81 NC @ 10 V	± 25V	3520 pf @ 25 V	-	1.56W (TA)
IRF7353D2PBF	-	RFQ	7471	Infineon Technologies	Fetky ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001555250	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal		30 V	6.5a (TA)	4.5V, 10V	29mohm @ 5.8a, 10V	1V @ 250 µA	33 NC @ 10 V	± 20V	650 pf @ 25 V	Diodo Schottky (Aislado)	2W (TA)
IRLR3714PBF	-	RFQ	5691	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001578840	EAR99	8541.29.0095	75		N-canal		20 V	36A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 18a, 10v	3V @ 250 µA	9.7 NC @ 4.5 V	± 20V	670 pf @ 10 V	-	47W (TC)
BSC021N08NS5ATMA1	4.0900	RFQ	5214	Infineon Technologies	Optimos ™, StrongIrfet ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-Powertdfn	BSC021		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TSON-8-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	5,000		N-canal		80 V	100A (TC)	6V, 10V	2.1mohm @ 50A, 10V	3.8V @ 146 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	8600 pf @ 40 V	Estándar	214W (TC)
IRL1104PBF	-	RFQ	5749	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		40 V	104a (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 62a, 10v	1V @ 250 µA	68 NC @ 4.5 V	± 16V	3445 pf @ 25 V	-	167W (TC)
IRL8113StrrPBF	-	RFQ	4802	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		30 V	105A (TC)	4.5V, 10V	6mohm @ 21a, 10v	2.25V @ 250 µA	35 NC @ 4.5 V	± 20V	2840 pf @ 15 V	-	110W (TC)
IRFB41N15DPBF	-	RFQ	2197	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		150 V	41a (TC)	10V	45mohm @ 25A, 10V	5.5V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 30V	2520 pf @ 25 V	-	200W (TC)
IRFR6215CPBF	-	RFQ	2627	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		Canal P		150 V	13a (TC)		295mohm @ 6.6a, 10v	4V @ 250 µA	66 NC @ 10 V		860 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Auirf540zs	-	RFQ	2984	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Auirf540		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO263-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		100 V	36A (TC)	10V	26.5mohm @ 22a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1770 pf @ 25 V	-	92W (TC)
IRF1010EZS	-	RFQ	6019	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF1010EZS	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		60 V	75A (TC)	10V	8.5mohm @ 51a, 10v	4V @ 100 µA	86 NC @ 10 V	± 20V	2810 pf @ 25 V	-	140W (TC)
IPW50R350CPFKSA1	-	RFQ	1989	Infineon Technologies	Coolmos ™	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IPW50R		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO247-3-1	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	240		N-canal		550 V	10a (TC)	10V	350mohm @ 5.6a, 10V	3.5V @ 370 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1020 pf @ 100 V	-	89W (TC)
IRF3708Strr	-	RFQ	4471	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		30 V	62a (TC)	2.8V, 10V	12mohm @ 15a, 10v	2V @ 250 µA	24 NC @ 4.5 V	± 12V	2417 pf @ 15 V	-	87W (TC)
IRF7807ZPBF	-	RFQ	9436	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	95		N-canal		30 V	11a (TA)	4.5V, 10V	13.8mohm @ 11a, 10v	2.25V @ 250 µA	11 NC @ 4.5 V	± 20V	770 pf @ 15 V	-	2.5W (TA)
IRF7700	-	RFQ	2811	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-TSOP	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100		Canal P		20 V	8.6a (TC)	2.5V, 4.5V	15mohm @ 8.6a, 4.5V	1.2V @ 250 µA	89 NC @ 5 V	± 12V	4300 pf @ 15 V	-	1.5W (TC)
IRF3717PBF	-	RFQ	9683	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Descontinuado en sic	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001564392	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal		20 V	20A (TA)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 20a, 10v	2.45V @ 250 µA	33 NC @ 4.5 V	± 20V	2890 pf @ 10 V	-	2.5W (TA)
BSP322PH6327XTSA1	0.9800	RFQ	6577	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	BSP322		Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT223-4	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P		100 V	1A (TC)	4.5V, 10V	800mohm @ 1a, 10v	1V @ 380 µA	16.5 NC @ 10 V	± 20V	372 pf @ 25 V	-	1.8w (TA)
IRF3515StrlPBF	-	RFQ	9495	Infineon Technologies	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto		Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	800		N-canal		150 V	41a (TC)		45mohm @ 25A, 10V	4.5V @ 250 µA	107 NC @ 10 V		2260 pf @ 25 V	-
IRL3714LPBF	-	RFQ	7430	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA			Mosfet (Óxido de metal)		Un 262	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		20 V	36A (TC)	4.5V, 10V	20mohm @ 18a, 10v	3V @ 250 µA	9.7 NC @ 4.5 V	± 20V	670 pf @ 10 V	-	47W (TC)
BSS192PE6327T	-	RFQ	1197	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-243AA			Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT89	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		Canal P		250 V	190MA (TA)	2.8V, 10V	12ohm @ 190ma, 10v	2V @ 130 µA	6.1 NC @ 10 V	± 20V	104 pf @ 25 V	-	1W (TA)
Bsp296l6433htma1	-	RFQ	5616	Infineon Technologies	Sipmos®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA			Mosfet (Óxido de metal)		PG-SOT223-4	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-canal		100 V	1.1a (TA)	4.5V, 10V	700mohm @ 1.1a, 10V	1.8V @ 400 µA	17.2 NC @ 10 V	± 20V	364 pf @ 25 V	-	1.79W (TA)
IPI120N06S402AKSA2	2.3590	RFQ	3065	Infineon Technologies	Optimos ™	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	IPI120		Mosfet (Óxido de metal)		PG-TO262-3-1	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500		N-canal		60 V	120a (TC)	10V	2.8mohm @ 100a, 10v	4V @ 140 µA	195 NC @ 10 V	± 20V	15750 pf @ 25 V	-	188W (TC)
Auirf7316q	-	RFQ	3189	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	AuIRF7316		Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-Soico	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SP001522678	EAR99	8541.29.0095	95	2 Canal P (Dual)			30V	-		58mohm @ 4.9a, 10v	3V @ 250 µA	34nc @ 10V		710pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
IRF7450	-	RFQ	5080	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)			Mosfet (Óxido de metal)		8-SO	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRF7450	EAR99	8541.29.0095	95		N-canal		200 V	2.5a (TA)	10V	170mohm @ 1.5a, 10V	5.5V @ 250 µA	39 NC @ 10 V	± 30V	940 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
IRFR18N15DTR	-	RFQ	4188	Infineon Technologies	Hexfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal		150 V	18a (TC)	10V	125mohm @ 11a, 10v	5.5V @ 250 µA	43 NC @ 10 V	± 30V	900 pf @ 25 V	-	110W (TC)
IRLR7843CPBF	-	RFQ	8336	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal		30 V	161a (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 15a, 10v	2.3V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 20V	4380 pf @ 15 V	-	140W (TC)
IRFU5305	-	RFQ	6024	Infineon Technologies	Hexfet®	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA			Mosfet (Óxido de metal)		IPAK (TO-251AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*IRFU5305	EAR99	8541.29.0095	75		Canal P		55 V	31a (TC)	10V	65mohm @ 16a, 10v	4V @ 250 µA	63 NC @ 10 V	± 20V	1200 pf @ 25 V	-	110W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²