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Transistores (13833)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - PrueBa |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irf7460tr | - |  | 8381 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 20 V | 12a (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2050 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
 | IRF7754TRPBF | - | | 3308 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | IRF775 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 5.5a | 25mohm @ 5.4a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 22NC @ 4.5V | 1984pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||
| IRF7413QTRPBF | - | | 8449 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 13a (TA) | 11mohm @ 7.3a, 10v | 3V @ 250 µA | 79 NC @ 10 V | 1800 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||
 | IPA057N08N3GXKSA1 | 2.5600 | | 1435 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | IPA057 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-to220-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 6V, 10V | 5.7mohm @ 60a, 10v | 3.5V @ 90 µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 40 V | - | 39W (TC) | ||||||||||||
 | Irfz44el | - | | 6587 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfz44el | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 48a (TC) | 10V | 23mohm @ 29a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 1360 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||
 | Auirfs3307z | - | | 1679 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001519782 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 120a (TC) | 10V | 5.8mohm @ 75a, 10v | 4V @ 150 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4750 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||
| IRF7901D1 | - | | 7749 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7901 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF7901D1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.2a | 38mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10.5nc @ 5V | 780pf @ 16V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||
 | Ipu06n03lagxk | - | | 3154 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Ipu06n | Mosfet (Óxido de metal) | P-to251-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 30a, 10v | 2V @ 40 µA | 22 NC @ 5 V | ± 20V | 2653 pf @ 15 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||
 | IRF7507PBF | - | | 5489 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | IRF7507 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | Micro8 ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001566226 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | Vecino del canal | 20V | 2.4a, 1.7a | 140mohm @ 1.7a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 8NC @ 4.5V | 260pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||
| IRF7420TRPBF | - | | 1830 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF7420 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 12 V | 11.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 14mohm @ 11.5a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 38 NC @ 4.5 V | ± 8V | 3529 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | IRLR8113 | - | | 9596 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLR8113 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 94a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 32 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2920 pf @ 15 V | - | 89W (TC) | ||||||||||||
| IRFS5615TRLPBF | - | | 4541 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 33A (TC) | 10V | 42mohm @ 21a, 10v | 5V @ 100 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1750 pf @ 50 V | - | 144W (TC) | |||||||||||||
| Auirfr4620trl | 3.2600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Auirfr4620 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak (TO-252AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 24a (TC) | 10V | 78mohm @ 15a, 10v | 5V @ 100 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 50 V | - | 144W (TC) | ||||||||||||
| SPB03N60C3ATMA1 | - | | 6791 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SPB03N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 3.2a (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10v | 3.9V @ 135 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||
 | BSC072N025S G | - | | 8721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 25 V | 15A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 40a, 10V | 2V @ 30 µA | 18 NC @ 5 V | ± 20V | 2230 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 60W (TC) | ||||||||||||||
| SPI20N65C3XKSA1 | - | | 4260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | SPI20N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO262-3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 20.7a (TC) | 10V | 190mohm @ 13.1a, 10v | 3.9V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||
 | IPZA60R060P7XKSA1 | 8.9800 | | 5368 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | IPZA60 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 48a (TC) | 10V | 60mohm @ 15.9a, 10v | 4V @ 800 µA | 67 NC @ 10 V | ± 20V | 2895 pf @ 400 V | - | 164W (TC) | ||||||||||||
| IRFR3707Z | - | | 4183 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR3707Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 V | 56a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 15a, 10v | 2.25V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1150 pf @ 15 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||
 | IPAN80R450P7XKSA1 | 2.7500 | | 8554 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Ipan80 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3-FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 11a (TC) | 10V | 450mohm @ 4.5a, 10V | 3.5V @ 220 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 500 V | - | 29W (TC) | ||||||||||||
| IRF7324D1TR | - | | 1902 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fetky ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 20 V | 2.2a (TA) | 2.7V, 4.5V | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 7.8 NC @ 4.5 V | ± 12V | 260 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA) | |||||||||||||
 | PTFA190451EV4XWSA1 | - | | 7446 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | H-36265-2 | PTFA190451 | 1.96 GHz | Ldmos | H-36265-2 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 10 µA | 450 Ma | 11W | 17.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||
 | IRLH5030TR2PBF | - | | 4696 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | Pqfn (5x6) muere individual | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 100 V | 13A (TA), 100A (TC) | 9mohm @ 50A, 10V | 2.5V @ 150 µA | 94 NC @ 10 V | 5185 pf @ 50 V | - | ||||||||||||||||||
| IPD65R950C6ATMA1 | 0.6495 | | 3894 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ C6 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD65R950 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 V | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 3.5V @ 200 µA | 15.3 NC @ 10 V | ± 20V | 328 pf @ 100 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||
| IRF7458TR | - | | 3385 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001575116 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 14a (TA) | 10V, 16V | 8mohm @ 14a, 16V | 4V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 30V | 2410 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
| IRLR7821TRPBF | - | | 2067 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 65a (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 15a, 10v | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 20V | 1030 pf @ 15 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||
 | BSP315P-E6327 | - | | 2951 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Sipmos® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.17a (TA) | 4.5V, 10V | 800mohm @ 1.17a, 10V | 2V @ 160 µA | 7.8 NC @ 10 V | ± 20V | 160 pf @ 25 V | - | 1.8w (TA) | |||||||||||||
| IRL2203NLPBF | - | | 6876 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 116a (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 60a, 10v | 3V @ 250 µA | 60 NC @ 4.5 V | ± 16V | 3290 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 180W (TC) | ||||||||||||||
| IRFR6215TRLPBF | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR6215 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 13a (TC) | 10V | 295mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||
| IRF7241 | - | | 9448 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | Canal P | 40 V | 6.2a (TA) | 4.5V, 10V | 41mohm @ 6.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 3220 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
 | IRF3205Z | - | | 9720 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF3205Z | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 25 V | - | 170W (TC) |
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