SIC
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Transistores (13833)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
IRF7210PBF Infineon Technologies IRF7210PBF -
RFQ
 ECAD 5350 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001554134 EAR99 8541.29.0095 95 Canal P 12 V 16a (TA) 2.5V, 4.5V 7mohm @ 16a, 4.5V 600mV @ 500 µA (min) 212 NC @ 5 V ± 12V 17179 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
SPD22N08S2L-50 Infineon Technologies SPD22N08S2L-50 -
RFQ
 ECAD 3049 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD22N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 75 V 25A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 11a, 10v 2V @ 31 µA 33 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 75W (TC)
IPA60R750E6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R750E6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero IPA60R750 Mosfet (Óxido de metal) PG-to220-FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 600 V 5.7a (TC) 10V 750mohm @ 2a, 10v 3.5V @ 170 µA 17.2 NC @ 10 V ± 20V 373 pf @ 100 V - 27W (TC)
SPA04N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPA04N60C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Spa04n Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3-31 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 650 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 25 V - 31W (TC)
BC846PNH6327XTSA1 Infineon Technologies Bc846pnh6327xtsa1 0.4100
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) NPN, PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF3704ZSPBF Infineon Technologies IRF3704ZSPBF -
RFQ
 ECAD 4574 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 67a (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 21a, 10v 2.55V @ 250 µA 13 NC @ 4.5 V ± 20V 1220 pf @ 10 V - 57W (TC)
BCR523E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR523E6433HTMA1 0.0838
RFQ
 ECAD 9106 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR523 330 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 70 @ 50 mm, 5V 100 MHz 1 kohms 10 kohms
IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies IRFH4251DTRPBF -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 Infineon Technologies Fastirfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn IRFH4251 Mosfet (Óxido de metal) 31W, 63W PG-TISON-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2-canal (dual), Schottky 25V 64a, 188a 3.2mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 35 µA 15NC @ 4.5V 1314pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
IRFB4410 Infineon Technologies IRFB4410 -
RFQ
 ECAD 4585 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRFB4410 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 96a (TC) 10V 10mohm @ 58a, 10v 4V @ 150 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 5150 pf @ 50 V - 250W (TC)
SPU01N60C3 Infineon Technologies SPU01N60C3 0.4200
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) PG-TO251-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 800 mA (TC) 10V 6ohm @ 500 mA, 10V 3.9V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 20V 100 pf @ 25 V - 11W (TC)
IRF7809PBF Infineon Technologies IRF7809PBF -
RFQ
 ECAD 4373 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 28 V 14.5a (TA) 4.5V - 1V @ 250 µA ± 12V - -
IRF300P226 Infineon Technologies IRF300P226 9.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies StrongIrfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IRF300 Mosfet (Óxido de metal) To47ac descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 300 V 100A (TC) 10V 19mohm @ 45a, 10v 4V @ 270 µA 191 NC @ 10 V ± 20V 10030 pf @ 50 V - 556W (TC)
IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP045N10N3GXKSA1 3.0800
RFQ
 ECAD 3864 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IPP045 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 100A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 150 µA 117 NC @ 10 V ± 20V 8410 pf @ 50 V - 214W (TC)
IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R080G7XTMA1 8.0100
RFQ
 ECAD 6142 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ G7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 10-PowerSop IPDD60 Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-10-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.700 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 80mohm @ 9.7a, 10V 4V @ 490 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1640 pf @ 400 V - 174W (TC)
IRLR7811WCTRRP Infineon Technologies IRLR7811WCTRRP -
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 64a (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 31 NC @ 4.5 V ± 12V 2260 pf @ 15 V - 71W (TC)
BCR119E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR119E6327HTSA1 0.0495
RFQ
 ECAD 3443 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCR119 200 MW PG-SOT23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 120 @ 5MA, 5V 150 MHz 4.7 kohms
SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies Spp08n80c3xksa1 2.9900
RFQ
 ECAD 8291 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Spp08n80 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO20-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 100 V - 104W (TC)
IRF1010NSTRRPBF Infineon Technologies IRF1010NSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF1010 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570042 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 55 V 85A (TC) 10V 11mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 20V 3210 pf @ 25 V - 180W (TC)
IPD60R600P7SE8228AUMA1 Infineon Technologies IPD60R600P7SE8228AUMA1 0.8800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies CoolMos ™ P7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD60R Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 6a (TC) 10V 600mohm @ 1.7a, 10V 4V @ 80 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 363 pf @ 400 V - 30W (TC)
IRFS4610TRRPBF Infineon Technologies IRFS4610TRPBF -
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001573460 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 73a (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 3550 pf @ 50 V - 190W (TC)
IRFU4105ZPBF Infineon Technologies IRFU4105ZPBF -
RFQ
 ECAD 1090 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Mosfet (Óxido de metal) IPAK (TO-251AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 740 pf @ 25 V - 48W (TC)
DF400R07PE4R_B6 Infineon Technologies DF400R07PE4R_B6 -
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 4 Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo DF400R07 1100 W Estándar Módulo descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Piquero Escrutinio 650 V 450 A 1.95V @ 15V, 400A 20 na Si 18.5 NF @ 25 V
IRF7503TRPBF Infineon Technologies IRF7503TRPBF 0.8200
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) IRF7503 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W Micro8 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 30V 2.4a 135mohm @ 1.7a, 10v 1V @ 250 µA 12NC @ 10V 210pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
IRFR3708PBF Infineon Technologies IRFR3708PBF -
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 61a (TC) 2.8V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10v 2V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 12V 2417 pf @ 15 V - 87W (TC)
IRLS3036PBF Infineon Technologies IRLS3036PBF -
RFQ
 ECAD 3781 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001552894 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 195a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 165a, 10V 2.5V @ 250 µA 140 NC @ 4.5 V ± 16V 11210 pf @ 50 V - 380W (TC)
BSC130P03LSGAUMA1 Infineon Technologies BSC130P03LSGAUMA1 -
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PG-TDSON-8-3 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 Canal P 30 V 12A (TA), 22.5A (TC) 10V 13mohm @ 22.5a, 10v 2.2V @ 150 µA 73.1 NC @ 10 V ± 25V 3670 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 69W (TC)
BCP6925E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP6925E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5891 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP69 3 W PG-SOT223-4 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 20 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 160 @ 500mA, 1V 100MHz
AUIRF6215S Infineon Technologies Auirf6215s -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 150 V 13a (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 110W (TC)
BC 856S E6433 Infineon Technologies BC 856S E6433 -
RFQ
 ECAD 4768 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC 856 250MW PG-SOT363-PO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 200 @ 2mA, 5V 250MHz
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon Technologies F3L25R12W1T4B27BOMA1 37.8700
RFQ
 ECAD 7491 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo F3L25R12 215 W Estándar Ag-Easy1b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24 Medio puente - 1200 V 45 A 2.25V @ 15V, 25A 1 MA Si 1.45 NF @ 25 V
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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

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