SIC
close

Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
D45H11FP STMicroelectronics D45H11FP 1.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero D45H11 36 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 10 A 10 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v -
STD6N60M2 STMicroelectronics Std6n60m2 1.4800
RFQ
 ECAD 1687 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std6n60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250 µA 8 NC @ 10 V ± 25V 232 pf @ 100 V - 60W (TC)
STP24N65M2 STMicroelectronics STP24N65M2 -
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp24n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 16a (TC) 10V 230mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1060 pf @ 100 V - 150W (TC)
STFI34NM60N STMicroelectronics Stfi34nm60n -
RFQ
 ECAD 5720 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi34n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 105mohm @ 14.5a, 10V 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 25V 2722 pf @ 100 V - 40W (TC)
STP50N65DM6 STMicroelectronics STP50N65DM6 -
RFQ
 ECAD 2838 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 91mohm @ 16.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 52.5 NC @ 10 V ± 25V 2300 pf @ 100 V - 250W (TC)
STF20N60M2-EP STMicroelectronics STF20N60M2-EP 1.1772
RFQ
 ECAD 6860 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 13a (TC) 10V - 4.75V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 25V - -
STAC2933 STMicroelectronics Stac2933 105.7900
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Stmicroelectronics - Caja Obsoleto 130 V Stac177b Stac293 30MHz Mosfet Stac177b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 40A 250 Ma 400W 23.5dB - 50 V
PD20010S-E STMicroelectronics PD20010S-E -
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 40 V PowerSo-10RF Padera Inferior Expuesta (2 cables rectos) PD20010 2GHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 5A 150 Ma 10W 11db - 13.6 V
STF45N65M5 STMicroelectronics STF45N65M5 7.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF45 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12939-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 35A (TC) 10V 78mohm @ 19.5a, 10v 5V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 25V 3375 pf @ 100 V - 40W (TC)
ST13003D-K STMicroelectronics ST13003D-K 0.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 ST13003 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400 V 1.5 A 1mera NPN 3V @ 500mA, 1.5a 5 @ 1a, 2v -
STW10NK80Z STMicroelectronics Stw10nk80z 5.2100
RFQ
 ECAD 9053 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Pisotón Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 9A (TC) 10V 900mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 72 NC @ 10 V ± 30V 2180 pf @ 25 V - 160W (TC)
STAC4933 STMicroelectronics Stac4933 113.3700
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Stmicroelectronics - Caja Obsoleto 200 V Stac177b Stac4933 30MHz Mosfet Stac177b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 40A 250 Ma 300W 24db - 50 V
STB13005-1 STMicroelectronics STB13005-1 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STB13005 75 W I2pak (TO-262) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 4 A 1mera NPN 1v @ 1a, 4a 8 @ 2a, 5v -
STL73D STMicroelectronics Stl73d 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Stl73 1.5 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 1.5 A - NPN 1V @ 250 Ma, 1a 10 @ 600mA, 3V -
ST83003 STMicroelectronics ST83003 -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 ST83 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 400 V 1.5 A 1mera NPN 500mv @ 100 mm, 500 mA 16 @ 350mA, 5V -
STGW35NB60S STMicroelectronics STGW35NB60S -
RFQ
 ECAD 7163 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW35 Estándar 200 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480v, 20a, 100ohm, 15V - 600 V 70 A 250 A 1.7v @ 15V, 20a 840 µJ (Encendido), 7.4mj (apaguado) 83 NC 92NS/1.1 µs
STGP8NC60K STMicroelectronics STGP8NC60K -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp8 Estándar 65 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390v, 3a, 10ohm, 15V - 600 V 15 A 30 A 2.75V @ 15V, 3a 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
STGW80V60F STMicroelectronics STGW80V60F 6.9700
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW80 Estándar 469 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 80a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 600 V 120 A 240 A 2.3V @ 15V, 80a 1.8mj (Encendido), 1MJ (Apaguado) 448 NC 60ns/220ns
STB6NK60ZT4 STMicroelectronics Stb6nk60zt4 2.6800
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb6nk60 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 6a (TC) 10V 1.2ohm @ 3a, 10v 4.5V @ 100 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 905 pf @ 25 V - 110W (TC)
STP15NK50ZFP STMicroelectronics STP15NK50ZFP -
RFQ
 ECAD 1474 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp15n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 340mohm @ 7a, 10v 4.5V @ 100 µA 106 NC @ 10 V ± 30V 2260 pf @ 25 V - 40W (TC)
STGW25S120DF3 STMicroelectronics STGW25S120DF3 9.0800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW25 Estándar 375 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 15ohm, 15V 265 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 50 A 100 A 2.1V @ 15V, 25A 830 µJ (Encendido), 2.37MJ (apagado) 80 NC 31ns/147ns
PD55035-E STMicroelectronics PD55035-E -
RFQ
 ECAD 4649 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 40 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD55035 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 7A 200 MA 35W 16.9dB - 12.5 V
STL24NM60N STMicroelectronics Stl24nm60n 4.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl24 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 3.3a (TA), 16a (TC) 10V 215mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 25V 1400 pf @ 50 V - 3W (TA), 125W (TC)
STWA57N65M5 STMicroelectronics Stwa57n65m5 10.7700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa57 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13604-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 42a (TC) 10V 63mohm @ 21a, 10v 5V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 25V 4200 pf @ 100 V - 250W (TC)
STB30N65M5 STMicroelectronics STB30N65M5 6.9000
RFQ
 ECAD 935 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb30 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 22a (TC) 10V 139mohm @ 11a, 10v 5V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 25V 2880 pf @ 100 V - 140W (TC)
STB25NM60ND STMicroelectronics Stb25nm60nd -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb25n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10v 5V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 50 V - 160W (TC)
STH360N4F6-2 STMicroelectronics STH360N4F6-2 7.2100
RFQ
 ECAD 919 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH360 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 180A (TC) 10V 1.25mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250 µA 340 NC @ 10 V ± 20V 17930 pf @ 25 V - 300W (TC)
STU10N60M2 STMicroelectronics Stu10n60m2 1.6000
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu10n Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 7.5a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 13.5 NC @ 10 V ± 25V 400 pf @ 100 V - 85W (TC)
STL72 STMicroelectronics Stl72 -
RFQ
 ECAD 3375 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales Stl72 1 W Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 1 A 1mera NPN 500mv @ 80mA, 400 mA 10 @ 400mA, 5V -
STF18NM60ND STMicroelectronics Stf18nm60nd -
RFQ
 ECAD 4677 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 25V 1030 pf @ 50 V - 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar