SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STP40N65M2 STMicroelectronics STP40N65M2 5.8900
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP40 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15561-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 32A (TC) 10V 99mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 56.5 NC @ 10 V ± 25V 2355 pf @ 100 V - 250W (TC)
STB42N60M2-EP STMicroelectronics STB42N60M2-EP 6.4400
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb42 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 34a (TC) 10V 87mohm @ 17a, 10v 4.75V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 25V 2370 pf @ 100 V - 250W (TC)
PD55025 STMicroelectronics PD55025 -
RFQ
 ECAD 3020 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55025 500MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 7A 200 MA 25W 14.5dB - 12.5 V
STP15NM65N STMicroelectronics Stp15nm65n -
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp15n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 25V 983 pf @ 50 V - 125W (TC)
STF25N60M2-EP STMicroelectronics STF25N60M2-EP 2.8600
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15886-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 188mohm @ 9a, 10v 4.75V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1090 pf @ 100 V - 30W (TC)
STW57N65M5-4 STMicroelectronics STW57N65M5-4 11.2000
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Stw57 Mosfet (Óxido de metal) To-247-4l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 42a (TC) 10V 63mohm @ 21a, 10v 5V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 25V 4200 pf @ 100 V - 250W (TC)
PD57030 STMicroelectronics PD57030 -
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57030 945MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 4A 50 Ma 30W 14dB - 28 V
STB6N62K3 STMicroelectronics Stb6n62k3 -
RFQ
 ECAD 5244 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb6n Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 620 V 5.5a (TC) 10V 1.2ohm @ 2.8a, 10v 4.5V @ 50 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 875 pf @ 50 V - 90W (TC)
STB10N95K5 STMicroelectronics STB10N95K5 3.5300
RFQ
 ECAD 2190 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb10 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 950 V 8a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10v 5V @ 100 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 630 pf @ 100 V - 130W (TC)
STY139N65M5 STMicroelectronics Sty139n65m5 35.9200
RFQ
 ECAD 3878 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sty139 Mosfet (Óxido de metal) Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13043-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 130A (TC) 10V 17mohm @ 65a, 10v 5V @ 250 µA 363 NC @ 10 V ± 25V 15600 pf @ 100 V - 625W (TC)
SD57045 STMicroelectronics SD57045 88.4300
RFQ
 ECAD 1964 0.00000000 Stmicroelectronics - Caja Activo 65 V M243 SD57045 945MHz Ldmos M243 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 5A 250 Ma 45W 15dB - 28 V
STP2NK90Z STMicroelectronics STP2NK90Z 2.0400
RFQ
 ECAD 741 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP2NK90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4378-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 2.1a (TC) 10V 6.5ohm @ 1.05a, 10V 4.5V @ 50 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 485 pf @ 25 V - 70W (TC)
STP30NM60ND STMicroelectronics Stp30nm60nd -
RFQ
 ECAD 7570 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp30n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8448-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 130mohm @ 12.5a, 10V 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 25V 2800 pf @ 50 V - 190W (TC)
SD2942W STMicroelectronics SD2942W 163.3500
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 130 V M244 SD2942 175MHz Mosfet M244 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 N-canal 40A 500 mA 350W 17dB - 50 V
STP5N95K5 STMicroelectronics STP5N95K5 2.1100
RFQ
 ECAD 876 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP5N95 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 950 V 3.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 100 µA 12.5 NC @ 10 V ± 30V 220 pf @ 100 V - 70W (TC)
STP26NM60ND STMicroelectronics Stp26nm60nd -
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp26n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 175mohm @ 10.5a, 10v 5V @ 250 µA 54.6 NC @ 10 V ± 25V 1817 pf @ 100 V - 190W (TC)
STF13N80K5 STMicroelectronics STF13N80K5 3.9800
RFQ
 ECAD 664 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF13 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13753-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 12a (TC) 10V 450mohm @ 6a, 10v 5V @ 100 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 870 pf @ 100 V - 35W (TC)
STU16N65M5 STMicroelectronics Stu16n65m5 4.1500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu16n Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 650 V 12a (TC) 10V 299mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 25V 1250 pf @ 100 V - 90W (TC)
STF5N60M2 STMicroelectronics STF5N60M2 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ ii plus Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF5N60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 3.7a (TC) 10V 1.4ohm @ 1.85a, 10V 4V @ 250 µA 4.5 NC @ 10 V ± 25V 165 pf @ 100 V - 20W (TC)
STF6N80K5 STMicroelectronics STF6N80K5 2.6600
RFQ
 ECAD 9689 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2a, 10v 5V @ 100 µA 13 NC @ 10 V 30V 270 pf @ 100 V - 25W (TC)
STW28N60DM2 STMicroelectronics Stw28n60dm2 4.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw28 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10v 5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 25V 1500 pf @ 100 V - 170W (TC)
STB18NM60ND STMicroelectronics Stb18nm60nd 5.5900
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB18 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 25V 1030 pf @ 50 V - 110W (TC)
STD2NK90Z-1 STMicroelectronics STD2NK90Z-1 1.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std2 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 900 V 2.1a (TC) 10V 6.5ohm @ 1.05a, 10V 4.5V @ 50 µA 27 NC @ 10 V ± 30V 485 pf @ 25 V - 70W (TC)
STP33N60DM2 STMicroelectronics Stp33n60dm2 5.2100
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp33 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16352-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 24a (TC) 10V 130mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 25V 1870 pf @ 100 V - 190W (TC)
TIP41A STMicroelectronics TIP41A -
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP41 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V -
STW30NM50N STMicroelectronics Stw30nm50n 8.6200
RFQ
 ECAD 222 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw30n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 27a (TC) 10V 115mohm @ 13.5a, 10V 4V @ 250 µA 94 NC @ 10 V ± 25V 2740 pf @ 50 V - 190W (TC)
STP95N04 STMicroelectronics STP95N04 -
RFQ
 ECAD 2758 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP95 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5132-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STL18N65M5 STMicroelectronics Stl18n65m5 3.3100
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl18 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 15A (TC) 10V 240MOHM @ 7.5A, 10V 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 25V 1240 pf @ 100 V - 57W (TC)
STF9NK80Z STMicroelectronics STF9NK80Z -
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF9 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-5108-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 7.5a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.75a, 10V 4.5V @ 100 µA 84 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 35W (TC)
STO68N65DM6 STMicroelectronics Sto68n65dm6 9.6800
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN Mosfet (Óxido de metal) Toll (HV) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STE68N65DM6TR EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 650 V 55A (TC) 10V 65mohm @ 27.5a, 10v 4.75V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 25V 3528 pf @ 100 V - 240W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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