SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STW14NM50FD STMicroelectronics Stw14nm50fd -
RFQ
 ECAD 5096 0.00000000 Stmicroelectronics Fdmesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw14n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 160W (TC)
STN2NF10 STMicroelectronics Stn2nf10 1.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn2nf10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 2.4a (TC) 10V 260mohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 280 pf @ 25 V - 3.3W (TC)
STP11NK40Z STMicroelectronics STP11NK40Z 2.0100
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 9A (TC) 10V 550mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 32 NC @ 10 V ± 30V 930 pf @ 25 V - 110W (TC)
STP14NK60Z STMicroelectronics STP14NK60Z -
RFQ
 ECAD 5984 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp14n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 13.5A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 100 µA 75 NC @ 10 V ± 30V 2220 pf @ 25 V - 160W (TC)
STP22NF03L STMicroelectronics STP22NF03L -
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp22n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 22a (TC) 5V, 10V 50mohm @ 11a, 10v 1V @ 250 µA 9 NC @ 5 V ± 15V 330 pf @ 25 V - 45W (TC)
STP60NE06L-16 STMicroelectronics STP60NE06L-16 -
RFQ
 ECAD 8465 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp60n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 60A (TC) 5V, 10V 14mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 70 NC @ 5 V ± 15V 4150 pf @ 25 V - 150W (TC)
STP8NM50FP STMicroelectronics Stp8nm50fp -
RFQ
 ECAD 8816 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp8n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 550 V 8a (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 415 pf @ 25 V - 25W (TC)
STB85NF55LT4 STMicroelectronics STB85NF55LT4 1.8110
RFQ
 ECAD 3067 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB85 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 55 V 80a (TC) 5V, 10V 8mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 110 NC @ 5 V ± 15V 4050 pf @ 25 V - 300W (TC)
STGB10NC60KDT4 STMicroelectronics Stgb10nc60kdt4 1.6300
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb10 Estándar 65 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390V, 5a, 10ohm, 15V 22 ns - 600 V 20 A 30 A 2.5V @ 15V, 5A 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
STP3NK90ZFP STMicroelectronics Stp3nk90zfp 1.4300
RFQ
 ECAD 931 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp3nk90 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5979-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50 µA 22.7 NC @ 10 V ± 30V 590 pf @ 25 V - 25W (TC)
STP9NK60ZFP STMicroelectronics STP9NK60ZFP 1.6300
RFQ
 ECAD 4682 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STP9NK60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5983-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 950mohm @ 3.5a, 10V 4.5V @ 100 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1110 pf @ 25 V - 30W (TC)
STD60NF06T4 STMicroelectronics Std60nf06t4 2.0800
RFQ
 ECAD 8484 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 60A (TC) 10V 16mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 20V 1810 pf @ 25 V - 110W (TC)
PD55003STR-E STMicroelectronics PD55003Str-E -
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55003 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 2.5a 50 Ma 3W 17dB - 12.5 V
STD90N02L-1 STMicroelectronics STD90N02L-1 -
RFQ
 ECAD 1527 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std90 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 60A (TC) 5V, 10V 6mohm @ 30a, 10v 1.8V @ 250 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2050 pf @ 16 V - 70W (TC)
STGD10NC60KT4 STMicroelectronics Stgd10nc60kt4 -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd10 Estándar 60 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390V, 5a, 10ohm, 15V - 600 V 20 A 30 A 2.5V @ 15V, 5A 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
STGP14N60D STMicroelectronics STGP14N60D -
RFQ
 ECAD 2202 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero Un 220-3 STGP14 Estándar 95 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8898-5 EAR99 8541.29.0095 50 390V, 7a, 10ohm, 15V 37 ns - 600 V 25 A 50 A 2.1V @ 15V, 7a - -
STP165N10F4 STMicroelectronics STP165N10F4 -
RFQ
 ECAD 8752 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP165 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 5.5mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 10500 pf @ 25 V - 315W (TC)
STP2NK100Z STMicroelectronics STP2NK100Z 3.2500
RFQ
 ECAD 439 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP2NK100 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1000 V 1.85a (TC) 10V 8.5ohm @ 900 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 16 NC @ 10 V ± 30V 499 pf @ 25 V - 70W (TC)
STB270N4F3 STMicroelectronics STB270N4F3 4.6200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ III Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB270 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 160A (TC) 10V 2.5mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 25 V - 330W (TC)
STGB30NC60KT4 STMicroelectronics Stgb30nc60kt4 5.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb30 Estándar 185 W D2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480v, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 60 A 125 A 2.7V @ 15V, 20a 350 µJ (Encendido), 435 µJ (apagado) 96 NC 29ns/120ns
STGE50NC60VD STMicroelectronics Stge50nc60vd -
RFQ
 ECAD 8007 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Stge50 260 W Estándar Isotop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero - 600 V 90 A 2.5V @ 15V, 40A 150 µA No 4.55 NF @ 25 V
STB8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5 2.8300
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB8N65 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10875-2 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 690 pf @ 100 V - 70W (TC)
STD65N55LF3 STMicroelectronics Std65n55lf3 -
RFQ
 ECAD 6654 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std65n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 80a (TC) 5V, 10V 8.5mohm @ 32a, 10v 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STP23NM50N STMicroelectronics Stp23nm50n 5.2500
RFQ
 ECAD 8505 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP23 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 17a (TC) 10V 190mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 25V 1330 pf @ 50 V - 125W (TC)
STL21N65M5 STMicroelectronics Stl21n65m5 6.7700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl21 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 17a (TC) 10V 179mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1950 pf @ 100 V - 3W (TA), 125W (TC)
STP9NM60N STMicroelectronics Stp9nm60n 2.7000
RFQ
 ECAD 6623 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tubo No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP9NM60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 6.5a (TC) 10V 745mohm @ 3.25a, 10V 4V @ 250 µA 17.4 NC @ 10 V ± 25V 452 pf @ 50 V - 70W (TC)
STF17N62K3 STMicroelectronics STF17N62K3 5.4300
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF17 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 620 V 15.5a (TC) 10V 340mohm @ 7.5a, 10v 4.5V @ 100 µA 105 NC @ 10 V ± 30V 3100 pf @ 50 V - 40W (TC)
STE250NS10 STMicroelectronics Ste250ns10 -
RFQ
 ECAD 8645 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste250 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 N-canal 100 V 220a (TC) 10V 5.5mohm @ 125a, 10V 4V @ 250 µA 900 NC @ 10 V ± 20V 31000 pf @ 25 V - 500W (TC)
STB200NF04T4 STMicroelectronics STB200NF04T4 -
RFQ
 ECAD 3344 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb200n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 3.7mohm @ 90a, 10v 4V @ 250 µA 210 NC @ 10 V ± 20V 5100 pf @ 25 V - 310W (TC)
2STN1360 STMicroelectronics 2STN1360 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 2STN1360 1.6 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 150 mm, 3a 160 @ 1a, 2v 130MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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