- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (3861)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Stl128dfp | 1.0600 |  | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Stl128 | 30 W | Un 220FP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 4 A | 250 µA | NPN | 500mv @ 700 Ma, 3.5a | 10 @ 2a, 5v | - | |||||||||||||||||||||||
 | PD57018-E | 30.3600 | | 1173 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | 65 V | Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta | PD57018 | 945MHz | Ldmos | 10 pozo | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2.5a | 100 mA | 18W | 16.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||
 | Stl210n4f7 | 0.9653 | | 7838 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet F7 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Stl210 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerflat ™ (5x6) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 497-STL210N4F7 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 1.6mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 3600 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Pero 90 | - | | 2147 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 200 ° C (TJ) | Monte del Chasis | TO-204AA, TO-3 | Pero 90 | 250 W | A 3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 125 V | 50 A | - | NPN | 900mv @ 7a, 70a | - | - | |||||||||||||||||||||||
 | Stp15nm60nd | - | | 9515 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH ™ II | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Stp15n | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 14a (TC) | 10V | 299mohm @ 7a, 10v | 5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 25V | 1250 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Std3nm60-1 | - | | 2862 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Std3n | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 324 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Stw4n150 | 8.3200 | | 4612 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh ™ | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stw4n150 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-5092-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1500 V | 4A (TC) | 10V | 7ohm @ 2a, 10v | 5V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 1300 pf @ 25 V | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Stl25n15f4 | - | | 2195 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Stl25 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerflat ™ (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 25A (TC) | 10V | 63mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 2710 pf @ 25 V | - | 80W (TC) | |||||||||||||||||||
 | STI33N60M6 | - | | 9436 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m6 | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | STI33 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 497-STI33N60M6 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 12.5a, 10V | 4.75V @ 250 µA | 33.4 NC @ 10 V | ± 25V | 1515 pf @ 100 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||
| STP30N20 | - | | 2221 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Stp30n | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-5129-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 30A (TC) | 75mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | 1597 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | Stl19n60m6 | 3.4600 | | 7747 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Stl19 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerflat ™ (8x8) HV | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 308mohm @ 6.5a, 10V | 4.75V @ 250 µA | 16.8 NC @ 10 V | ± 25V | 650 pf @ 100 V | - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Stf14nm50n | 3.8400 | | 960 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ II | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | STF14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 12a (TC) | 10V | 320mohm @ 6a, 10v | 4V @ 100 µA | 27 NC @ 10 V | ± 25V | 816 pf @ 50 V | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||
| STF46N60M6 | 7.3000 | | 7452 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m6 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | STF46 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-STF46N60M6 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 36A (TC) | 10V | 80mohm @ 18a, 10v | 4.75V @ 250 µA | 53.5 NC @ 10 V | ± 25V | 2340 pf @ 100 V | - | 42W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Stld200n4f6ag | 3.5600 | | 4603 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Stld200 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerflat ™ (5x6) Dual Side | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 6.5V, 10V | 1.5mohm @ 75a, 10v | 4V @ 1MA | 172 NC @ 10 V | ± 20V | 10700 pf @ 10 V | - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||
| Stl64n4f7ag | 0.5928 | | 2152 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | 8Powervdfn | Stl64 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerflat ™ (5x6) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 497-STL64N4F7AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 64a (TC) | 10V | 8.5mohm @ 32a, 10v | 4V @ 250 µA | 9.8 NC @ 10 V | ± 20V | 637 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||
 | 2STN2340 | - | | 7327 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 2º | 1.6 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 40 V | 3 A | 100NA (ICBO) | PNP | 350mv @ 150 mA, 3a | 180 @ 1a, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
| Stw72n60dm6ag | 10.2287 | | 9813 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stw72 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 497-STW72N60DM6AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N-canal | 600 V | 56a (TC) | 10V | 42mohm @ 28a, 10v | 4.75V @ 250 µA | 98 NC @ 10 V | ± 25V | 4444 pf @ 100 V | - | 390W (TC) | |||||||||||||||||||
| ST05250 | 145.2000 | | 6233 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Una granela | Activo | 90 V | Monte del Chasis | B4e | ST052 | 1 GHz | Ldmos | B4e | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 497-ST05250 | 120 | - | - | 250W | 13.5dB | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | STH210N75F6-2 | - | | 8688 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | STH210 | Mosfet (Óxido de metal) | H2PAK-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 75 V | 180A (TC) | 10V | 2.8mohm @ 90a, 10v | 4V @ 250 µA | 171 NC @ 10 V | ± 20V | 11800 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Buv298v | - | | 8530 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Isotop | BUV298 | 250 W | Isotop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 450 V | 50 A | - | NPN | 1.2V @ 6.4a, 32a | 12 @ 32a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
 | Bult118 | - | | 7948 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | Bult118 | 45 W | SOT-32-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 V | 2 A | 250 µA | NPN | 1.5V @ 400mA, 2A | 10 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||
 | 2STD1665T4 | 1.1100 | | 8116 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 2ST1665 | 15 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 65 V | 6 A | 50NA (ICBO) | NPN | 380mv @ 300 Ma, 6a | 150 @ 2a, 1v | - | |||||||||||||||||||||||
| Stl47n60m6 | 4.0829 | | 5978 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Stl47 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerflat ™ (8x8) HV | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 31a (TC) | 10V | 80mohm @ 15.5a, 10V | 4.75V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 25V | - | 189W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | STB22N60M6 | 3.1100 | | 107 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m6 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | STB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 15A (TC) | 10V | 230MOHM @ 7.5A, 10V | 4.75V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 25V | 800 pf @ 100 V | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||
| STF4N80K5 | 1.8400 | | 816 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Supermesh5 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | STF4N80 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 3A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 100 µA | 10.5 NC @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||
| Stu9n65m2 | 1.4700 | | 889 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Stu9n | Mosfet (Óxido de metal) | TO-251 (ipak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 650 V | 5A (TC) | 10V | 900mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 25V | 315 pf @ 100 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Stl4p2uh7 | - | | 8966 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VII | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerWDFN | Stl4 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerflat ™ (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TC) | 1.8V, 4.5V | 100mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 4.8 NC @ 4.5 V | ± 8V | 510 pf @ 10 V | - | 2.4W (TC) | |||||||||||||||||||
| Std30pf03l-1 | - | | 4771 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Std30 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 30 V | 24a (TC) | 5V, 10V | 28mohm @ 12a, 10v | 1V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 16V | 1670 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||||||||||
| STP76NF75 | 2.6400 | | 8059 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP76 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 V | 80a (TC) | 10V | 11mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 3700 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
| Sts7n3llh6 | - | | 1757 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | - | STS7N3 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | - | - | - | - | - |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)