SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Figura de Ruido (db typ @ f)
PD55015TR-E STMicroelectronics PD55015TR-E 21.0200
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 40 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD55015 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 5A 150 Ma 15W 14dB - 12.5 V
STF28NM60ND STMicroelectronics Stf28nm60nd 8.4600
RFQ
 ECAD 950 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF28 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-14192-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 23a (TC) 10V 150mohm @ 11.5a, 10v 5V @ 250 µA 62.5 NC @ 10 V ± 25V 2090 pf @ 100 V - 35W (TC)
STGP35N35LZ STMicroelectronics Stgp35n35lz -
RFQ
 ECAD 9741 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp35 Lógica 176 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 300V, 15A, 5V - 345 V 40 A 80 A 1.7V @ 4.5V, 15a - 49 NC 1.1 µs/26.5 µs
STP31N65M5 STMicroelectronics Stp31n65m5 4.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp31 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 22a (TC) 10V 148mohm @ 11a, 10v 5V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 25V 816 pf @ 100 V - 150W (TC)
STB12NM50N STMicroelectronics Stb12nm50n -
RFQ
 ECAD 3421 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb12n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 25V 940 pf @ 50 V - 100W (TC)
ULN2805A STMicroelectronics ULN2805A -
RFQ
 ECAD 2292 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) ULN2805 2.25W 18 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 50V 500mA - 8 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
STN951 STMicroelectronics STN951 0.8800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA STN951 1.6 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 5A 150 @ 2a, 1v 130MHz
STP7N52K3 STMicroelectronics STP7N52K3 -
RFQ
 ECAD 7625 0.00000000 Stmicroelectronics SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp7n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 525 V 6a (TC) 10V 980mohm @ 3.1a, 10V 4.5V @ 50 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 737 pf @ 100 V - 90W (TC)
STP14NF10 STMicroelectronics STP14NF10 -
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP14 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 15A (TC) 10V 130mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 460 pf @ 25 V - 60W (TC)
STW12N150K5 STMicroelectronics STW12N150K5 10.8400
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw12 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16027-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1500 V 7a (TC) 10V 1.9ohm @ 3.5a, 10v 5V @ 100 µA 47 NC @ 10 V ± 30V 1360 pf @ 100 V - 250W (TC)
STW7NK90Z STMicroelectronics Stw7nk90z 4.2400
RFQ
 ECAD 1130 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw7nk90 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 5.8a (TC) 10V 2ohm @ 2.9a, 10v 4.5V @ 100 µA 60.5 NC @ 10 V ± 30V 1350 pf @ 25 V - 140W (TC)
BDW94CFP STMicroelectronics Bdw94cfp 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero BDW94 33 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 12 A 1mera PNP - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 750 @ 5a, 3V -
STP110N7F6 STMicroelectronics STP110N7F6 -
RFQ
 ECAD 8780 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f6 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP110 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 68 V 110A (TC) 10V 6.5mohm @ 55a, 10V 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 5850 pf @ 25 V - 176W (TC)
STW11NK90Z STMicroelectronics Stw11nk90z 6.6500
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STW11 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-6198-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 900 V 9.2a (TC) 10V 980mohm @ 4.6a, 10V 4.5V @ 100 µA 115 NC @ 10 V ± 30V 3000 pf @ 25 V - 200W (TC)
STP80N20M5 STMicroelectronics STP80N20M5 -
RFQ
 ECAD 8261 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp80n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10715-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 61a (TC) 10V 23mohm @ 30.5a, 10V 5V @ 250 µA 104 NC @ 10 V ± 25V 4329 pf @ 50 V - 190W (TC)
STL30N10F7 STMicroelectronics Stl30n10f7 1.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl30 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 30A (TC) 10V 35mohm @ 4a, 10v 4.5V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 20V 920 pf @ 50 V - 75W (TC)
STFV4N150 STMicroelectronics STFV4N150 -
RFQ
 ECAD 8291 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Stfv4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5093-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1500 V 4A (TC) 10V 7ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 1300 pf @ 25 V - 40W (TC)
STL130N8F7 STMicroelectronics Stl130n8f7 3.0300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl130 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 130A (TC) 10V 3.6mohm @ 13a, 10v 4.5V @ 250 µA 96 NC @ 10 V ± 20V 6340 pf @ 40 V - 135W (TC)
2STN1550 STMicroelectronics 2STN1550 0.6600
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 2STN1550 1.6 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 50 V 5 A 100NA (ICBO) NPN 450mv @ 300mA, 3A 135 @ 2a, 2v -
STW3N150 STMicroelectronics STW3N150 5.0400
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STW3N150 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-6332-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1500 V 2.5A (TC) 10V 9ohm @ 1.3a, 10v 5V @ 250 µA 29.3 NC @ 10 V ± 30V 939 pf @ 25 V - 140W (TC)
SD1726 STMicroelectronics SD1726 -
RFQ
 ECAD 5008 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Obsoleto 200 ° C (TJ) Montaje en superficie M174 SD1726 318W M174 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 14dB 55V 20A NPN 18 @ 1.4a, 6V - -
STF26NM60ND STMicroelectronics Stf26nm60nd -
RFQ
 ECAD 6756 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF26 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 175mohm @ 10.5a, 10v 5V @ 250 µA 54.6 NC @ 10 V ± 25V 1817 pf @ 100 V - 35W (TC)
STGD25N36LZAG STMicroelectronics Stgd25n36lzag 0.8168
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 Stmicroelectronics - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd25 Lógica 150 W D-Pak (A 252) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stgd25n36lzag EAR99 8541.29.0095 2.500 - - 350 V 25 A 50 A 1.25V @ 4V, 6A - 25.7 NC 1.1 µs/7.4 µs
STWA48N60M2 STMicroelectronics Stwa48n60m2 8.6900
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa48 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16513-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 42a (TC) 10V 70mohm @ 21a, 10v 4V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 25V 3060 pf @ 100 V - 300W (TC)
BC141-16 STMicroelectronics BC141-16 -
RFQ
 ECAD 1151 0.00000000 Stmicroelectronics - Bolsa Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN BC141 650 MW To-39 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 500 60 V 1 A 100na NPN 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
STP85N3LH5 STMicroelectronics STP85N3LH5 -
RFQ
 ECAD 7158 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ V Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp85n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8451-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 80a (TC) 5V, 10V 5.4mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 5 V ± 22V 1850 pf @ 25 V - 70W (TC)
PD55008 STMicroelectronics PD55008 -
RFQ
 ECAD 1547 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55008 500MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 4A 150 Ma 8W 17dB - 12.5 V
STD7LN80K5 STMicroelectronics Std7ln80k5 2.1600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std7ln80 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.15ohm @ 2.5a, 10v 5V @ 100 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 100 V - 85W (TC)
STGSB200M65DF2AG STMicroelectronics Stgsb200m65df2ag 24.1400
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 Stmicroelectronics Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-POWERSMD STGSB200 Estándar 714 W 9-acepto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-stgsb200m65df2ag EAR99 8541.29.0095 200 400V, 200a, 4.7ohm, 15V 174.5 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 216 A 700 A 2.05V @ 15V, 200a 3.82mj (Encendido), 6.97mj (apaguado) 554 NC 122NS/250NS
BU505 STMicroelectronics Bu505 -
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Bu505 75 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 700 V 2.5 A 150 µA NPN 1V @ 900 Ma, 2a - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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