SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C
STL64DN4F7AG STMicroelectronics Stl64dn4f7ag 0.8186
RFQ
 ECAD 4480 0.00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl64 Mosfet (Óxido de metal) 57W (TC) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-stl64dn4f7agtr EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 40A (TC) 8.5mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 9.8nc @ 10V 637pf @ 25V -
STD16N60M6 STMicroelectronics Std16n60m6 2.4400
RFQ
 ECAD 1228 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std16 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10v 4.75V @ 250 µA 16.7 NC @ 10 V ± 25V 575 pf @ 100 V - 110W (TC)
STD10N60M6 STMicroelectronics STD10N60M6 0.9022
RFQ
 ECAD 2348 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std10 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STD10N60M6TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 6.4a (TC) 10V 600mohm @ 3.2a, 10V 4.75V @ 250 µA 8.8 NC @ 10 V ± 25V 338 pf @ 100 V - 60W (TC)
STW50N65DM6 STMicroelectronics Stw50n65dm6 9.2200
RFQ
 ECAD 8855 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw50 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STW50N65DM6 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 91mohm @ 16.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 52.5 NC @ 10 V ± 25V 52500 pf @ 100 V - 250W (TC)
SCTWA35N65G2V STMicroelectronics Sctwa35n65g2v 18.6800
RFQ
 ECAD 5585 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sctwa35 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-SCTWA35N65G2V EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 45a (TC) 18V, 20V 72mohm @ 20a, 20V 3.2V @ 1MA 73 NC @ 20 V +20V, -5V 73000 pf @ 400 V - 208W (TC)
SCT10N120H STMicroelectronics SCT10N120H -
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SCT10 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 1200 V 12a (TC) 20V 690mohm @ 6a, 20V 3.5V @ 250 µA 22 NC @ 20 V +25V, -10V 290 pf @ 400 V - 150W (TC)
SCT20N120H STMicroelectronics SCT20N120H 16.5900
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SCT20 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 1200 V 20A (TC) 20V 290mohm @ 10a, 20V 3.5V @ 1MA 45 NC @ 20 V +25V, -10V 650 pf @ 400 V - 175W (TC)
SCT30N120D2 STMicroelectronics SCT30N120D2 -
RFQ
 ECAD 7067 0.00000000 Stmicroelectronics - Banda Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SCT30 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Hip247 ™ - Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 490 N-canal 1200 V 40A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 3.5V @ 1MA 105 NC @ 20 V +25V, -10V 1700 pf @ 400 V - 270W (TC)
STD18N60M6 STMicroelectronics Std18n60m6 2.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std18 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10v 4.75V @ 250 µA 16.8 NC @ 10 V ± 25V 650 pf @ 100 V - 110W (TC)
STD6N60DM2 STMicroelectronics Std6n60dm2 0.6298
RFQ
 ECAD 9871 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std6n60 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 5A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 6.2 NC @ 10 V ± 25V 274 pf @ 100 V - 60W (TC)
STF22N60DM6 STMicroelectronics STF22N60DM6 1.5867
RFQ
 ECAD 4226 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF22 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 15A (TC) 10V 230MOHM @ 7.5A, 10V 4.75V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 25V 800 pf @ 100 V - 30W (TC)
STF26N65DM2 STMicroelectronics STF26N65DM2 2.1186
RFQ
 ECAD 8103 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF26 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 35.5 NC @ 10 V ± 25V 1480 pf @ 100 V - 30W (TC)
STF33N60DM6 STMicroelectronics STF33N60DM6 5.3300
RFQ
 ECAD 632 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF33 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 128mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 25V 1500 pf @ 100 V - 35W (TC)
STF36N60M6 STMicroelectronics STF36N60M6 6.3400
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF36 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 30A (TC) 10V 99mohm @ 15a, 10v 4.75V @ 250 µA 44.3 NC @ 10 V ± 25V 1960 pf @ 100 V - 40W (TC)
STFU25N60M2-EP STMicroelectronics STFU25N60M2-EP 1.7165
RFQ
 ECAD 1674 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STFU25 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 188mohm @ 9a, 10v 4.75V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1090 pf @ 100 V - 30W (TC)
STFU26N60M2 STMicroelectronics STFU26N60M2 1.4941
RFQ
 ECAD 3111 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STFU26 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 165mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 25V 1360 pf @ 100 V - 30W (TC)
STGP8M120DF3 STMicroelectronics STGP8M120DF3 3.0492
RFQ
 ECAD 7985 0.00000000 Stmicroelectronics - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp8 Estándar Un 220 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 600V, 8a, 33ohm, 15V 103 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 16 A 32 A 2.3V @ 15V, 8a 390 µJ (Encendido), 370 µJ (apaguado) 32 NC 20ns/126ns
STGWA40HP65FB STMicroelectronics Stgwa40hp65fb 2.2528
RFQ
 ECAD 9304 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa40 Estándar 230 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 400V, 40A, 4.7ohm, 15V 140 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 72 A 120 A 2V @ 15V, 40A 410 µJ (apaguado) 153 NC -/125ns
STL17N60M6 STMicroelectronics Stl17n60m6 1.3594
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl17 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 350mohm @ 6a, 10v 4.75V @ 250 µA 16.7 NC @ 10 V ± 25V 575 pf @ 100 V - 90W (TC)
STL22N60DM6 STMicroelectronics Stl22n60dm6 1.6307
RFQ
 ECAD 7806 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl22 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 265mohm @ 6.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 20.6 NC @ 10 V ± 25V 800 pf @ 100 V - 102W (TC)
STL24N60M6 STMicroelectronics Stl24n60m6 1.7879
RFQ
 ECAD 3917 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl24 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 15A (TC) 10V 209mohm @ 8.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 25V 960 pf @ 100 V - 109W (TC)
STP10N80K5 STMicroelectronics STP10N80K5 1.7574
RFQ
 ECAD 6104 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 9A (TC) 10V 600mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 100 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 635 pf @ 100 V - 130W (TC)
STU6N60DM2 STMicroelectronics Stu6n60dm2 0.6333
RFQ
 ECAD 9711 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu6n60 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 5A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 6.2 NC @ 10 V ± 25V 274 pf @ 100 V - 60W (TC)
STW48N60M6 STMicroelectronics Stw48n60m6 5.1274
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw48 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 39A (TC) 10V 69mohm @ 19.5a, 10v 4.75V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 25V 2578 pf @ 100 V - 250W (TC)
STWA65N65DM2AG STMicroelectronics Stwa65n65dm2ag 11.2600
RFQ
 ECAD 9147 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa65 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 60A (TC) 10V 50mohm @ 30a, 10v 5V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 25V 5500 pf @ 100 V - 446W (TC)
STD18N65M2-EP STMicroelectronics STD18N65M2-EP -
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STD18N65M2-EPTR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 375mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 14.4 NC @ 10 V ± 25V 700 pf @ 100 V - 110W (TC)
STL260N4F7 STMicroelectronics Stl260n4f7 2.8500
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl260 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STL260N4F7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 120a (TC) 10V 1.1mohm @ 24a, 10v 4V @ 250 µA 72 NC @ 10 V ± 20V 5000 pf @ 25 V - 188W (TC)
STGF20H65DFB2 STMicroelectronics STGF20H65DFB2 2.5200
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STGF20 Estándar 45 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STGF20H65DFB2 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20a, 10ohm, 15V 215 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 60 A 2.1V @ 15V, 20a 265 µJ (Encendido), 214 µJ (apaguado) 56 NC 16ns/78.8ns
STGW75H65DFB2-4 STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 8.2500
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 STGW75 Estándar 357 W TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STGW75H65DFB2-4 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 10ohm, 15V 88 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 115 A 225 A 2V @ 15V, 75a 992 µJ (ON), 766 µJ (OFF) 207 NC 22ns/121ns
STGW100H65FB2-4 STMicroelectronics STGW100H65FB2-4 8.8500
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Stgw100 Estándar 441 W TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STGW100H65FB2-4 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 100A, 3.3OHM, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 145 A 300 A 1.8V @ 15V, 100A 1.06mj (encendido), 1.14mj (apaguado) 288 NC 23ns/141ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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