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Transistores (3861)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
SCT10N120AG	12.0100	RFQ	7324	Stmicroelectónica	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	SCT10			Sicfet (CARBURO DE SILICIO)		Hip247 ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-SCT10N120AG	EAR99	8541.29.0095	30	N-canal						1200 V	12a (TC)	20V	690mohm @ 6a, 20V	3.5V @ 250 µA	22 NC @ 20 V	+25V, -10V	290 pf @ 400 V	-	150W (TC)
Stgwa60v60dwfag	13.3900	RFQ	3282	Stmicroelectónica	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stgwa60	Estándar			375 W	TO-247 LARGOS LARGOS	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-stgwa60v60dwfag	EAR99	8541.29.0095	600			400V, 60A, 4.7ohm, 15V															200 ns	Parada de Campo de Trinchera	600 V	80 A	240 A	2.3V @ 15V, 60A	1.02MJ (Encendido), 370 µJ (apagado)	314 NC	35ns/190ns
STGB30H65DFB2	2.6900	RFQ	1	Stmicroelectónica	HB2	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA	Stgb30	Estándar			167 W	D2pak-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STGB30H65DFB2TR	EAR99	8541.29.0095	1,000			400V, 30A, 6.8OHM, 15V															115 ns	Parada de Campo de Trinchera	650 V	50 A	90 A	2.1V @ 15V, 30a	270 µJ (Encendido), 310 µJ (apaguado)	90 NC	18.4ns/71ns
STH10N80K5-2AG	4.4100	RFQ	9190	Stmicroelectónica	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STH10			Mosfet (Óxido de metal)		H2PAK-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STH10N80K5-2AGTR	EAR99	8541.29.0095	1,000	N-canal						800 V	8a (TC)	10V	680mohm @ 4a, 10v	5V @ 100 µA	17.3 NC @ 10 V	± 30V	426 pf @ 100 V	-	121W (TC)
SCTH40N120G2V-7	20.2800	RFQ	6222	Stmicroelectónica	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie		SCTH40			Sicfet (CARBURO DE SILICIO)		H2PAK-7	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STH40N120G2V-7TR	EAR99	8541.29.0095	1,000	N-canal						1200 V	36A (TC)	18V	100mohm @ 20a, 18V	4.9V @ 1MA	61 NC @ 18 V	+22V, -10V	1233 pf @ 800 V	-	238W (TC)
Std55n4f5	-	RFQ	2316	Stmicroelectónica	Stripfet ™ V	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std55n			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N-canal						40 V	55A (TC)	10V	8.5mohm @ 27.5a, 10v	4V @ 250 µA	25 NC @ 10 V	± 20V	1600 pf @ 25 V	-	60W (TC)
STF16N50M2	4.1700	RFQ	728	Stmicroelectónica	Mdmesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF16			Mosfet (Óxido de metal)		Paquete entero de 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-15114-5	EAR99	8541.29.0095	50	N-canal						500 V	13a (TC)	10V	280mohm @ 6.5a, 10v	4V @ 250 µA	19.5 NC @ 10 V	± 25V	710 pf @ 100 V	-	25W (TC)
Stsj100nh3ll	-	RFQ	6496	Stmicroelectónica	Stripfet ™ III	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm)	Stsj100n			Mosfet (Óxido de metal)		8-SOIC-EP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N-canal						30 V	100A (TC)	4.5V, 10V	3.5mohm @ 12.5a, 10V	1V @ 250 µA	40 NC @ 4.5 V	± 16V	4450 pf @ 25 V	-	3W (TA), 70W (TC)
Stfi13nm60n	-	RFQ	7459	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-262-3 paquete completo, i²pak	Stfi13n			Mosfet (Óxido de metal)		I2pakfp (un 281)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal						600 V	11a (TC)	10V	360mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 25V	790 pf @ 50 V	-	25W (TC)
STD155N3LH6	2.1300	RFQ	2	Stmicroelectónica	Deepgate ™, Stripfet ™ VI	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std155			Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak (A 252)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N-canal						30 V	80a (TC)	5V, 10V	3mohm @ 40a, 10v	2.5V @ 250 µA	80 NC @ 5 V	± 20V	3800 pf @ 25 V	-	110W (TC)
Stl36n55m5	6.7800	RFQ	9724	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ v	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl36			Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (8x8) HV	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	N-canal						550 V	22.5a (TC)	10V	90mohm @ 16.5a, 10v	5V @ 250 µA	62 NC @ 10 V	± 25V	2670 pf @ 100 V	-	2.8W (TA), 150W (TC)
STP30NM30N	-	RFQ	4961	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp30n			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal						300 V	30A (TC)	10V	90mohm @ 15a, 10v	4V @ 250 µA	75 NC @ 10 V	± 20V	2500 pf @ 50 V	-	160W (TC)
STB36N60M6	6.0400	RFQ	4766	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ m6	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STB36			Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000	N-canal						600 V	30A (TC)	10V	99mohm @ 15a, 10v	4.75V @ 250 µA	44.3 NC @ 10 V	± 25V	1960 pf @ 100 V	-	208W (TC)
STP5NK80ZFP	2.6100	RFQ	8287	Stmicroelectónica	PowerMesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STP5NK80			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal						800 V	4.3a (TC)	10V	2.4ohm @ 2.15a, 10V	4.5V @ 100 µA	45.5 NC @ 10 V	± 30V	910 pf @ 25 V	-	30W (TC)
Stl3nk40	2.8000	RFQ	6373	Stmicroelectónica	Supermesh ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl3nk40			Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (5x5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	N-canal						400 V	430 mA (TC)	10V	5.5ohm @ 220 mm, 10v	2V @ 50 µA	13 NC @ 10 V	± 20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W (TC)
Std6n90k5	2.6900	RFQ	3471	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ k5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std6n90			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-17072-2	EAR99	8541.29.0095	2.500	N-canal						900 V	6a (TC)	10V	1.1ohm @ 3a, 10v	5V @ 100 µA		± 30V		-	110W (TC)
Stw36n55m5	-	RFQ	1531	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ v	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw36n			Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30	N-canal						550 V	33A (TC)	10V	80mohm @ 16.5a, 10v	5V @ 250 µA	62 NC @ 10 V	± 25V	2950 pf @ 100 V	-	190W (TC)
STP16NK65Z	-	RFQ	3938	Stmicroelectónica	Supermesh ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp16n			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal						650 V	13a (TC)	10V	500mohm @ 6.5a, 10V	4.5V @ 100 µA	89 NC @ 10 V	± 30V	2750 pf @ 25 V	-	190W (TC)
Stl8p4llf6	1.3400	RFQ	3983	Stmicroelectónica	Stripfet ™ f6	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl8			Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (3.3x3.3)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-16044-1	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canal P						40 V	8a (TJ)	4.5V, 10V	20.5mohm @ 4a, 10v	2.5V @ 250 µA	22 NC @ 4.5 V	± 20V	2850 pf @ 25 V	-	2.9W (TA)
STF31N65M5	4.4600	RFQ	74	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ v	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF31			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50	N-canal						650 V	22a (TC)	10V	148mohm @ 11a, 10v	5V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 25V	816 pf @ 100 V	-	30W (TC)
Stl70n10f3	-	RFQ	7814	Stmicroelectónica	Stripfet ™ III	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl70			Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	N-canal						100 V	82a (TC)	10V	8.4mohm @ 8a, 10v	4V @ 250 µA	56 NC @ 10 V	± 20V	3210 pf @ 25 V	-	136W (TC)
Stl287n4f7ag	-	RFQ	8206	Stmicroelectónica	*	Tape & Reel (TR)	Activo					Stl287						-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	3.000
Std8n60dm2	1.6200	RFQ	4613	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ dm2	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std8			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N-canal						600 V	8a (TC)	10V	600mohm @ 4a, 10v	5V @ 100 µA	13.5 NC @ 10 V	± 30V	375 pf @ 100 V	-	85W (TC)
Stac1011-350	190.4100	RFQ	4	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	80 V			Stac265b	Stac1011		1.03GHz ~ 1.09GHz	Ldmos		Stac265b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	90		-		150 Ma	350W	15dB											-										36 V
STP65N150M9	4.0300	RFQ	476	Stmicroelectónica	-	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3				Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-STP65N150M9	EAR99	8541.29.0095	50	N-canal						650 V	20A (TC)	10V	150mohm @ 10a, 10v	4.2V @ 250 µA	32 NC @ 10 V	± 30V	1239 pf @ 400 V	-	140W (TC)
STFW12N120K5	12.5700	RFQ	6100	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ k5	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO	STFW12			Mosfet (Óxido de metal)		Un 3pf	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	300	N-canal						1200 V	12a (TC)	10V	690mohm @ 6a, 10v	5V @ 100 µA	44.2 NC @ 10 V	± 30V	1370 pf @ 100 V	-	63W (TC)
Stt13005d-k	-	RFQ	5007	Stmicroelectónica	-	Una granela	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO25AA, A-126-3	STT13				45 W	SOT-32-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	500																				400 V	2 A							250 µA	NPN	1.5V @ 400mA, 1.6a	10 @ 500mA, 5V	-
STB110N55F6	-	RFQ	4204	Stmicroelectónica	-	Tape & Reel (TR)	Activo			-	-	STB110					-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1,000								-
Std1hnc60t4	-	RFQ	7555	Stmicroelectónica	PowerMesh ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std1hn			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N-canal						600 V	2a (TC)	10V	5ohm @ 1a, 10v	4V @ 250 µA	15.5 NC @ 10 V	± 30V	228 pf @ 25 V	-	50W (TC)
STH150N10F7-2	3.8300	RFQ	1919	Stmicroelectónica	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STH150			Mosfet (Óxido de metal)		H2PAK-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000	N-canal						100 V	110A (TC)	10V	3.9mohm @ 55a, 10v	4.5V @ 250 µA	117 NC @ 10 V	± 20V	8115 pf @ 50 V	-	250W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²