SIC
close

Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BC212_D75Z onsemi BC212_D75Z -
RFQ
 ECAD 2391 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC212 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 300 mA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 60 @ 2mA, 5V -
2SC536NG-NPA-AT onsemi 2SC536NG-NPA-AT -
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2SC536 500 MW TO-92 (TO-226) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1.500 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 280 @ 1 MMA, 6V 200MHz
TIP107 onsemi TIP107 -
RFQ
 ECAD 5750 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP107 2 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 8 A 50 µA PNP - Darlington 2.5V @ 80MA, 8A 1000 @ 3a, 4v -
KSE700STU onsemi Kse700stu -
RFQ
 ECAD 9375 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSE70 40 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.920 60 V 4 A 100 µA PNP - Darlington 2.5V @ 30mA, 1.5a 750 @ 1.5a, 3V -
BC327-040G onsemi BC327-040G -
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BC327 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 260MHz
FJN4308RTA onsemi Fjn4308rta -
RFQ
 ECAD 4708 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN430 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 200 MHz 47 kohms 22 kohms
2SK4043LS onsemi 2SK4043LS -
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SK4043 Mosfet (Óxido de metal) To20fi (ls) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 30 V 20A (TA) 2.5V, 4V 21mohm @ 10a, 4v - 37 NC @ 4 V ± 10V 3000 pf @ 20 V - 2W (TA), 20W (TC)
HUFA75329P3 onsemi HUFA75329P3 -
RFQ
 ECAD 4552 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 49a (TC) 10V 24mohm @ 49a, 10v 4V @ 250 µA 75 NC @ 20 V ± 20V 1060 pf @ 25 V - 128W (TC)
FJAF6910TU onsemi Fjaf6910tu -
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FJAF6910 60 W Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 800 V 10 A 1mera NPN 3V @ 1.5a, 6a 7 @ 6a, 5v -
FJPF13007TU onsemi FJPF13007TU -
RFQ
 ECAD 9195 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FJPF13007 40 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 8 A - NPN 3V @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5v 4MHz
NTMD4840NR2G onsemi NTMD4840NR2G -
RFQ
 ECAD 3619 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMD4840 Mosfet (Óxido de metal) 680MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 30V 4.5a 24mohm @ 6.9a, 10v 3V @ 250 µA 9.5nc @ 10V 520pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
2N5551YBU onsemi 2N5551YBU 0.3800
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5551 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 160 V 600 mA - NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 180 @ 10mA, 5V 100MHz
HUFA75344P3_F085 onsemi HUFA7534444P3_F085 -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 8mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 210 NC @ 20 V ± 20V 3200 pf @ 25 V - 285W (TC)
2SA2222 onsemi 2SA2222 -
RFQ
 ECAD 4238 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SA2222 2 W A 220 ml descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 100 50 V 10 A 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 300mA, 6a 150 @ 270mA, 2V 230MHz
D44VH10 onsemi D44vh10 -
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D44V 83 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 80 V 15 A - NPN 400mv @ 400mA, 8a 20 @ 4a, 1v 50MHz
EFC6604R-TR onsemi EFC6604R-TR -
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfbga EFC6604 Mosfet (Óxido de metal) 1.6w 6-EFCP (1.9x1.46) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) - - - - 29NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
KSC2258ASTU onsemi Ksc2258astu -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSC2258 4 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 60 300 V 100 mA - NPN 1.2V @ 5 mm, 50 Ma 40 @ 40mA, 20V 100MHz
FGL40N120ANDTU onsemi Fgl40n120andtu -
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA FGL40N120 Estándar 500 W Un 264-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 600V, 40a, 5ohm, 15V 112 ns Escrutinio 1200 V 64 A 160 A 3.2V @ 15V, 40A 2.3mj (Encendido), 1.1mj (apaguado) 220 NC 15ns/110ns
HUF75639G3 onsemi HUF75639G3 3.5200
RFQ
 ECAD 8370 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 HUF75639 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
SHN1B01FDW1T1G onsemi Shn1b01fdw1t1g 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-74, SOT-457 Shn1b01 380MW SC-74 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 200 MMA 2 µA NPN, PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 6V -
NTLJS3113PT1G onsemi Ntljs3113pt1g 0.6200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde µCool ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJS3113 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.5a (TA) 1.5V, 4.5V 40mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 250 µA 15.7 NC @ 4.5 V ± 8V 1329 pf @ 16 V - 700MW (TA)
BC818-40LT1 onsemi BC818-40LT1 -
RFQ
 ECAD 7433 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC818 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
MJD340 onsemi MJD340 -
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD34 15 W Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 300 V 500 mA 100 µA NPN - 30 @ 50mA, 10V -
MPSA63ZL1G onsemi MPSA63ZL1G -
RFQ
 ECAD 6844 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSA63 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
KSC1008YTF onsemi Ksc1008ytf -
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC1008 800 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 120 @ 50mA, 2V 50MHz
FDR8308P onsemi FDR8308P -
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-LSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) FDR83 Mosfet (Óxido de metal) 800MW Supersot ™ -8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 3.2a 50mohm @ 3.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 19NC @ 4.5V 1240pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
NTP75N03-6G onsemi NTP75N03-6G -
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP75N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 75A (TC) 10V 6.5mohm @ 37.5a, 10v 2V @ 250 µA 75 NC @ 5 V ± 20V 5635 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 125W (TC)
FCH125N60E onsemi FCH125N60E -
RFQ
 ECAD 2014 0.00000000 onde Superfet® II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH125 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 125mohm @ 14.5a, 10v 3.5V @ 250 µA 95 NC @ 10 V ± 20V 2990 pf @ 380 V - 278W (TC)
MPS6725RLRPG onsemi Mps6725rlrpg -
RFQ
 ECAD 1280 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPS672 1 W TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 2mA, 1A 4000 @ 1a, 5V 1 GHz
KSD1589RTU onsemi Ksd1589rtu -
RFQ
 ECAD 5145 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero KSD1589 1.5 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 3MA, 3A 2000 @ 3a, 2v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar