SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
J271 onsemi J271 -
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) J271 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P - 30 V 6 Ma @ 15 V 1.5 v @ 1 na
FQU7P06TU onsemi Fqu7p06tu -
RFQ
ECAD 4709 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU7 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 Canal P 60 V 5.4a (TC) 10V 451mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 25V 295 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
FQPF4N20 onsemi FQPF4N20 -
RFQ
ECAD 8707 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 2.8a (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250 µA 6.5 NC @ 10 V ± 30V 220 pf @ 25 V - 27W (TC)
FQPF4N20L onsemi FQPF4N20L -
RFQ
ECAD 1172 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 3A (TC) 5V, 10V 1.35ohm @ 1.5a, 10V 2V @ 250 µA 5.2 NC @ 5 V ± 20V 310 pf @ 25 V - 27W (TC)
FQD4N20LTF onsemi Fqd4n20ltf -
RFQ
ECAD 9653 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd4 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 3.2a (TC) 5V, 10V 1.35ohm @ 1.6a, 10V 2V @ 250 µA 5.2 NC @ 5 V ± 20V 310 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
KSH41CTF onsemi Ksh41ctf -
RFQ
ECAD 3629 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Ksh41 1.75 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 100 V 6 A 50 µA NPN 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
SI3457DV onsemi Si3457dv -
RFQ
ECAD 4702 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si345 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 8.1 NC @ 5 V ± 25V 470 pf @ 25 V - 1.6w (TA)
KSC2333YTU onsemi Ksc2333ytu -
RFQ
ECAD 5210 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSC2333 15 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-KSC2333YTU-488 EAR99 8541.29.0095 1,000 400 V 2 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 100 mm, 500 mA 40 @ 100mA, 5V -
KSB1015OTU onsemi KSB1015OTU -
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero KSB10 25 W Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 3 A 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 300 Ma, 3a 60 @ 500mA, 5V 9MHz
KSB834Y onsemi KSB834Y -
RFQ
ECAD 4148 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSB834 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 200 60 V 3 A 100 µA (ICBO) PNP 1V @ 300 Ma, 3a 100 @ 500 mA, 5V 9MHz
FDMC6890NZ onsemi Fdmc6890nz 0.4155
RFQ
ECAD 3695 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn FDMC6890 Mosfet (Óxido de metal) 1.92W, 1.78W Microfet 3x3mm descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 4A 68mohm @ 4a, 4.5V 2V @ 250 µA 3.4nc @ 4.5V 270pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDB2710 onsemi FDB2710 5.1000
RFQ
ECAD 122 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB271 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 250 V 50A (TC) 10V 42.5mohm @ 25A, 10V 5V @ 250 µA 101 NC @ 10 V ± 30V 7280 pf @ 25 V - 260W (TC)
FDB52N20TM onsemi FDB52N20TM 2.6400
RFQ
ECAD 6423 0.00000000 onde Unifet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB52N20 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 52a (TC) 10V 49mohm @ 26a, 10v 5V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 30V 2900 pf @ 25 V - 357W (TC)
FDB8442 onsemi FDB8442 -
RFQ
ECAD 3390 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB844 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 28a (TA), 80a (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 235 NC @ 10 V ± 20V 12200 pf @ 25 V - 254W (TC)
FDB8445 onsemi FDB8445 2.8500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB844 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 70A (TC) 10V 9mohm @ 70a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 3805 pf @ 25 V - 92W (TC)
FDS8449 onsemi FDS8449 0.9600
RFQ
ECAD 33 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS84 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 7.6a (TA) 4.5V, 10V 29mohm @ 7.6a, 10v 3V @ 250 µA 11 NC @ 5 V ± 20V 760 pf @ 20 V - 2.5W (TA)
ISL9V5045S3S onsemi ISL9V5045S3S -
RFQ
ECAD 3700 0.00000000 onde Ecospark® Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Isl9 Lógica 300 W D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 300V, 1KOHM, 5V - 480 V 51 A 1.6v @ 4V, 10a - 32 NC -/10.8 µs
FCP4N60 onsemi FCP4N60 2.3200
RFQ
ECAD 273 0.00000000 onde Superfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 3.9a (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 16.6 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 50W (TC)
FDZ4670 onsemi FDZ4670 -
RFQ
ECAD 2795 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 30 WFBGA FDZ46 Mosfet (Óxido de metal) 30-FLFBGA (3.55x4) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 25A (TA) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 3540 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
NJT4030PT1G onsemi NJT4030PT1G 0.5100
RFQ
ECAD 2077 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NJT4030 2 W SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 40 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 300mA, 3A 200 @ 1a, 1v 160MHz
FDPF12N50T onsemi FDPF12N50T 2.6100
RFQ
ECAD 956 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2166-FDPF12N50T-488 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 11.5A (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 1315 pf @ 25 V - 42W (TC)
2SA733P_D26Z onsemi 2SA733P_D26Z -
RFQ
ECAD 4089 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2SA733 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 50MHz
BS170_J35Z onsemi BS170_J35Z -
RFQ
ECAD 8947 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BS170 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 500 mA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10v 3V @ 1MA ± 20V 40 pf @ 10 V - 830MW (TA)
FDC642P-F085 onsemi FDC642P-F085 -
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC642 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 16 NC @ 4.5 V ± 8V 640 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
FDD4141-F085 onsemi FDD4141-F085 -
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD4141 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 10.8a (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 12.3mohm @ 12.7a, 10v 3V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 2775 pf @ 20 V - 2.4W (TA), 69W (TC)
FDD5N53TM_WS onsemi FDD5N53TM_WS -
RFQ
ECAD 3156 0.00000000 onde Unifet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD5 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 530 V 4A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 640 pf @ 25 V - 40W (TC)
FDFMA2P853T onsemi FDFMA2P853T -
RFQ
ECAD 4545 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho), 7 cables FDFMA2 Mosfet (Óxido de metal) 7-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3a (TA) 1.8V, 4.5V 120mohm @ 3a, 4.5V 1.3V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 8V 435 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 1.4W (TA)
FQD5N50CTM_F080 onsemi FQD5N50CTM_F080 -
RFQ
ECAD 1621 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd5 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 625 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
FQD7P06TM_F080 onsemi Fqd7p06tm_f080 -
RFQ
ECAD 1349 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd7 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 5.4a (TC) 10V 451mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 25V 295 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 28W (TC)
FQD7P20TM_F080 onsemi FQD7P20TM_F080 -
RFQ
ECAD 5063 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd7 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 200 V 5.7a (TC) 10V 690mohm @ 2.85a, 10V 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 770 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 55W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock