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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2N5210TAR onsemi 2N5210Tar -
RFQ
 ECAD 8845 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5210 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 700mv @ 1 MMA, 10 Ma 200 @ 100 µA, 5V 30MHz
MJW21196 onsemi MJW21196 -
RFQ
 ECAD 1560 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 MJW21 200 W TO-247-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MJW21196OS EAR99 8541.29.0095 30 250 V 16 A 100 µA NPN 3V @ 3.2a, 16a 20 @ 8a, 5v 4MHz
BD243B onsemi Bd243b -
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD243 65 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 200 80 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 1a, 6a 15 @ 3a, 4V -
NJVMJD45H11D3T4G onsemi Njvmjd45h11d3t4g -
RFQ
 ECAD 6023 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Njvmjd45 20 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 80 V 8 A 1 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 90MHz
NTD4865N-35G onsemi NTD4865N-35G -
RFQ
 ECAD 7440 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak NTD48 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 8.5a (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 10.9mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 10.8 NC @ 4.5 V ± 20V 827 pf @ 12 V - 1.27W (TA), 33.3W (TC)
BCW60C onsemi BCW60C -
RFQ
 ECAD 2881 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCW60 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 32 V 100 mA 20NA NPN 550mv @ 1.25 mA, 50 mA 250 @ 2mA, 5V 125MHz
J270_D26Z onsemi J270_D26Z -
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J270 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P - 30 V 2 Ma @ 15 V 500 MV @ 1 Na
NTMFS5C628NLT3G onsemi NTMFS5C628NLT3G 4.0800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 150A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 50A, 10V 2V @ 135 µA 52 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 110W (TC)
BD1396S onsemi Bd1396s -
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD139 1.25 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 80 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V -
MMBT4356 onsemi MMBT4356 -
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4356 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 80 V 800 Ma 50NA PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 10 mapa, 10v -
2N7052_D74Z onsemi 2N7052_D74Z -
RFQ
 ECAD 9586 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N7052 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 100 V 1.5 A 200NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 1000 @ 1a, 5v 200MHz
MMBTA56 onsemi Mmbta56 -
RFQ
 ECAD 3541 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta56 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 80 V 500 mA 100na PNP 200 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
FQPF7P20 onsemi Fqpf7p20 1.6100
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 onde QFET® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 200 V 5.2a (TC) 10V 690mohm @ 2.6a, 10V 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 770 pf @ 25 V - 45W (TC)
FDS5351 onsemi FDS5351 0.8600
RFQ
 ECAD 5865 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fds53 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 6.1a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6.1a, 10V 3V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1310 pf @ 30 V - 5W (TA)
FQD17N08LTF onsemi Fqd17n08ltf -
RFQ
 ECAD 4013 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 80 V 12.9a (TC) 5V, 10V 100mohm @ 6.45a, 10V 2V @ 250 µA 11.5 NC @ 5 V ± 20V 520 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 40W (TC)
FDMS8690 onsemi FDMS8690 -
RFQ
 ECAD 8209 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMS86 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (5x6), Power56 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 14a (TA), 27a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1680 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 37.8W (TC)
FJN4303RTA onsemi Fjn4303rta -
RFQ
 ECAD 3841 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN430 300 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 22 kohms
BC32840TA onsemi Bc32840ta -
RFQ
 ECAD 3399 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC328 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
PF5102 onsemi PF5102 -
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PF5102 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 16pf @ 15V 40 V 4 Ma @ 15 V 700 MV @ 1 Na
J176_D26Z onsemi J176_D26Z -
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J176 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P - 30 V 2 Ma @ 15 V 1 v @ 10 na 250 ohmios
2N5551TFR onsemi 2N5551TFR 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5551 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 100MHz
MUN5332DW1T1 onsemi MUN5332DW1T1 -
RFQ
 ECAD 2568 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mun53 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 15 @ 5MA, 10V - 4.7 kohms 4.7 kohms
NTD18N06 onsemi NTD18N06 -
RFQ
 ECAD 3041 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD18 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 18a (TA) 10V 60mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 710 pf @ 25 V - 2.1W (TA), 55W (TJ)
P1087 onsemi P1087 -
RFQ
 ECAD 7816 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) P1087 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 45pf @ 15V 30 V 5 Ma @ 20 V 5 V @ 1 µA 150 ohmios
FDR6580 onsemi FDR6580 -
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-LSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) FDR65 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 11.2a (TA) 2.5V, 4.5V 9mohm @ 11.2a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 48 NC @ 4.5 V ± 8V 3829 pf @ 10 V - 1.8w (TA)
FDD14AN06LA0-F085 onsemi FDD14AN06LA0-F085 -
RFQ
 ECAD 3927 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fdd14an06 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 9.5A (TA), 50A (TC) 5V, 10V 11.6mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 32 NC @ 5 V ± 20V 2810 pf @ 25 V - 125W (TC)
FQB27P06TM onsemi Fqb27p06tm 2.0600
RFQ
 ECAD 9234 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB27 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 27a (TC) 10V 70mohm @ 13.5a, 10v 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 25V 1400 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 120W (TC)
FCH041N60F-F085 onsemi FCH041N60F-F085 14.4700
RFQ
 ECAD 1306 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH041 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 76a (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10v 5V @ 250 µA 347 NC @ 10 V ± 20V 10900 pf @ 25 V - 595W (TC)
DTC124EET1 onsemi Dtc124eet1 0.0200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 DTC124 200 MW SC-75, SOT-416 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 60 @ 5 mm, 10v 22 kohms 22 kohms
BCP54 onsemi BCP54 0.5200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP54 1.5 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 45 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V -
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    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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