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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
MPS6514_D27Z onsemi MPS6514_D27Z -
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPS651 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 150 @ 2mA, 10V -
KSD471AGBU onsemi Ksd471agbu -
RFQ
 ECAD 3995 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD471 800 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 1v 130MHz
HUFA76407D3S onsemi HUFA76407D3S -
RFQ
 ECAD 2126 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 HUFA76 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
MC1413BDR2 onsemi MC1413BDR2 -
RFQ
 ECAD 8186 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MC1413B - 16-soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 50V 500mA - 7 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
FDS6892A onsemi FDS6892A -
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS68 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 7.5a 18mohm @ 7.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 17NC @ 4.5V 1333pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDMC86259P onsemi FDMC86259P 2.9300
RFQ
 ECAD 5616 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC86259 Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 150 V 3.2a (TA), 13a (TC) 6V, 10V 107mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 32 NC @ 10 V ± 25V 2045 pf @ 75 V - 2.3W (TA), 62W (TC)
BC639_D74Z onsemi BC639_D74Z -
RFQ
 ECAD 8722 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC639 1 W Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
2N4918G onsemi 2N4918G 0.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 2N4918 30 W A-126 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 40 V 1 A 500 µA PNP 600mv @ 100 mm, 1a 30 @ 500mA, 1V 3MHz
NTF3055L175T1G onsemi NTF3055L175T1G -
RFQ
 ECAD 2797 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NTF305 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 2a (TA) 5V 175mohm @ 1a, 5V 2V @ 250 µA 10 NC @ 5 V ± 15V 270 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
MPS8598 onsemi MPS8598 -
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPS859 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 100 mA 100na PNP 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
SMUN5335DW1T2G onsemi Smun5335dw1t2g 0.3800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Smun5335 187MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 2.2 kohms 47 kohms
2SC2839E-SPA-AC onsemi 2SC2839E-SPA-AC 0.0500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 onde - Una granela Activo A Través del Aguetero 3-SIP 150MW 3-spa - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1 25db 20V 30mera NPN 60 @ 1 MMA, 6V 320MHz 3DB @ 100MHz
FQPF13N06 onsemi FQPF13N06 -
RFQ
 ECAD 4116 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 9.4a (TC) 10V 135mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 310 pf @ 25 V - 24W (TC)
BC859BLT1G onsemi Bc859blt1g -
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
NVMFD5485NLWFT1G onsemi Nvmfd5485nlwft1g 1.2055
RFQ
 ECAD 7009 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmfd5483 Mosfet (Óxido de metal) 2.9w 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 60V 5.3a 44mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 20NC @ 10V 560pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
KSC5502DTM onsemi KSC5502DTM 0.9700
RFQ
 ECAD 7161 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSC5502 50 W Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 600 V 2 A 100 µA NPN 1.5V @ 200MA, 1A 4 @ 1a, 1v 11MHz
MJW21195G onsemi Mjw21195g 4.6300
RFQ
 ECAD 3439 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 MJW21195 200 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 250 V 16 A 100 µA PNP 3V @ 3.2a, 16a 20 @ 8a, 5v 4MHz
BC183LC_D27Z onsemi BC183LC_D27Z -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC183 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 40 @ 10 µA, 5V 150MHz
NTMS4802NR2G onsemi NTMS4802NR2G -
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMS4802 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 30 V 11.1a (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 250 µA 36 NC @ 4.5 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 910MW (TA)
FDS6575 onsemi FDS6575 1.3700
RFQ
 ECAD 245 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS65 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 10a (TA) 2.5V, 4.5V 13mohm @ 10a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 74 NC @ 4.5 V ± 8V 4951 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
NVMFS6H852NWFT1G onsemi NVMFS6H852NWFT1G 1.2300
RFQ
 ECAD 7965 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 10a (TA), 40a (TC) 10V 14.2mohm @ 10a, 10v 4V @ 45 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 760 pf @ 40 V - 3.6W (TA), 54W (TC)
MJF2955G onsemi Mjf2955g 1.9500
RFQ
 ECAD 371 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero MJF2955 2 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 90 V 10 A 1 µA PNP 2.5V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V 2MHz
KSC2331YBU onsemi Ksc2331ybu -
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO KSC2331 1 W Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 6,000 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 120 @ 50mA, 2V 50MHz
BUL146 onsemi Bul146 -
RFQ
 ECAD 8190 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Bul146 100 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 6 A 100 µA NPN 700mv @ 600mA, 3a 14 @ 500mA, 5V 14MHz
KSA1220YSTU onsemi KSA1220YSTU -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSA1220 1.2 W A-126 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 60 120 V 1.2 A 1 µA (ICBO) PNP 700mv @ 200MA, 1A 160 @ 300mA, 5V 175MHz
NTLJF3117PTAG onsemi NTLJF3117PTAG -
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJF31 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2.3a (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.2 NC @ 4.5 V ± 8V 531 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 710MW (TA)
FDB5800 onsemi FDB5800 2.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB580 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 14a (TA), 80a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 80a, 10v 2.5V @ 250 µA 135 NC @ 10 V ± 20V 6625 pf @ 15 V - 242W (TC)
PN2907TA onsemi Pn2907ta -
RFQ
 ECAD 6506 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN290 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V -
FJX4011RTF onsemi Fjx4011rtf -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 FJX401 200 MW Sot-323 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 200 MHz 22 kohms
MPSL01_D27Z onsemi MPSL01_D27Z -
RFQ
 ECAD 3373 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSL01 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 120 V 200 MA 1 µA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 50 @ 10mA, 5V 60MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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