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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FDMA1023PZ-F106 onsemi FDMA1023PZ-F106 -
RFQ
 ECAD 3586 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla FDMA1023 Mosfet (Óxido de metal) 700MW (TA) 6-Microfet (2x2) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 3.7a (TA) 72mohm @ 3.7a, 4.5V 1V @ 250 µA 12NC @ 4.5V 655pf @ 10V -
6685_2N3906 onsemi 6685_2N3906 -
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir 2N3906 625 MW Morir - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 10V 250MHz
NTMFS6H818NT1G onsemi NTMFS6H818NT1G 3.8400
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 20A (TA), 123A (TC) 6V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10v 4V @ 190 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 40 V - 3.8W (TA), 136W (TC)
HUFA75339S3S onsemi HUFA75339S3S -
RFQ
 ECAD 1238 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 55 V 75A (TC) 10V 12mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
FQP5N80 onsemi FQP5N80 -
RFQ
 ECAD 2064 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 4.8a (TC) 10V 2.6ohm @ 2.4a, 10v 5V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 25 V - 140W (TC)
J113_D27Z onsemi J113_D27Z -
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales J113 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal - 35 V 2 Ma @ 15 V 500 MV @ 1 µA 100 ohmios
KSC3503DSTU onsemi Ksc3503dstu 0.6800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSC3503 7 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 60 300 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 2mA, 20 mA 40 @ 10mA, 10V 150MHz
NTDV2955PT4G onsemi NTDV2955PT4G -
RFQ
 ECAD 1589 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTDV29 - Dpak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 - - - - - -
EFC6601R-A-TR onsemi EFC6601R-A-TR -
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-XFBGA, FCBGA EFC6601 Mosfet (Óxido de metal) 2W EFCP2718-6CE-020 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 canales (dual) Drenaje Común - - - - 48nc @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
SFP9640 onsemi SFP9640 -
RFQ
 ECAD 2225 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SFP964 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 200 V 11a (TC) 10V 500mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 59 NC @ 10 V ± 30V 1585 pf @ 25 V - 123W (TC)
DTA123JET1 onsemi DTA123JET1 -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 DTA123 200 MW SC-75, SOT-416 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 2.2 kohms 47 kohms
FDP054N10 onsemi FDP054N10 5.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP054 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 120a (TC) 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 250 µA 203 NC @ 10 V ± 20V 13280 pf @ 25 V - 263W (TC)
NTTFS4C10NTAG onsemi Nttfs4c10ntag 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 8.2a (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 7.4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 18.6 NC @ 10 V ± 20V 993 pf @ 15 V - 790MW (TA), 23.6W (TC)
BDW93A onsemi Bdw93a -
RFQ
 ECAD 5333 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BDW93 80 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.200 60 V 12 A 1mera NPN - Darlington 3V @ 100 Ma, 10a 750 @ 5a, 3V -
2SD1805F-E onsemi 2SD1805F-E -
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SD1805 1 W TP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 20 V 5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 60 mm, 3a 160 @ 500 mA, 2V 120MHz
NTLJF3118NTBG onsemi Ntljf3118ntbg -
RFQ
 ECAD 7175 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn NTLJF31 Mosfet (Óxido de metal) 6-WDFN (2x2) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.6a (TA) 1.8V, 4.5V 65mohm @ 3.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 3.7 NC @ 4.5 V ± 12V 271 pf @ 10 V Diodo Schottky (Aislado) 700MW (TA)
TIS75_D75Z onsemi TIS75_D75Z -
RFQ
 ECAD 2446 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales TIS75 350 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 18pf @ 10V (VGS) 30 V 8 Ma @ 15 V 800 MV @ 4 na 60 ohmios
FJY3014R onsemi FJY3014R -
RFQ
 ECAD 8830 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY301 200 MW SC-89-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
MPS3563RLRA onsemi Mps3563rlra 0.0400
RFQ
 ECAD 2079 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPS356 350 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0075 6,000 12 V 50 Ma 10NA (ICBO) NPN - 20 @ 8 mm, 10v 600MHz
MPSA18_D27Z onsemi MPSA18_D27Z -
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA18 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 500 @ 10mA, 5V 100MHz
NVMFS5C468NWFT1G onsemi NVMFS5C468NWFT1G 1.4900
RFQ
 ECAD 4669 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 12A (TA), 35A (TC) 10V 12mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 250 µA 7.9 NC @ 10 V ± 20V 420 pf @ 25 V - 3.5W (TA), 28W (TC)
NTMFS10N3D2C onsemi NTMFS10N3D2C 7.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn NTMFS10 Mosfet (Óxido de metal) Power56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 151a (TC) 6V, 10V 3.2mohm @ 67a, 10V 4V @ 370 µA 84 NC @ 10 V ± 20V 6215 pf @ 50 V - 138W (TC)
NTJS3157NT2 onsemi NTJS3157NT2 -
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NTJS31 Mosfet (Óxido de metal) SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 3.2a (TA) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 8V 500 pf @ 10 V - 1W (TA)
CPH3324-TL-E onsemi CPH3324-TL-E -
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-96 Mosfet (Óxido de metal) 3-cph - No Aplicable EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 1.2a (TA) 530mohm @ 600 mA, 10V - 6.4 NC @ 10 V 265 pf @ 20 V - 1W (TA)
FQA160N08 onsemi FQA160N08 -
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA160 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 80 V 160A (TC) 10V 7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 290 NC @ 10 V ± 25V 7900 pf @ 25 V - 375W (TC)
KSC5019MTA-ON onsemi Ksc5019mta-on 0.0700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 750 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 10 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 2a 140 @ 500mA, 1V 150MHz
FDC3535 onsemi FDC3535 0.7000
RFQ
 ECAD 3528 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC3535 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 80 V 2.1a (TA) 4.5V, 10V 183mohm @ 2.1a, 10V 3V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 880 pf @ 40 V - 1.6w (TA)
BC548BBU onsemi Bc548bbu -
RFQ
 ECAD 6337 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC548 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
RFP50N06 onsemi RFP50N06 2.3400
RFQ
 ECAD 4683 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 RFP50 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado RFP50N06-NDR EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 22mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 150 NC @ 20 V ± 20V 2020 pf @ 25 V - 131W (TC)
TN3440A onsemi TN3440A -
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN3440 1 W Un 226-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 250 V 100 mA 50 µA NPN 500mv @ 4mA, 50 mA 40 @ 20MA, 10V 15MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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