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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2N3415_D26Z onsemi 2N3415_D26Z -
RFQ
 ECAD 4051 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N341 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 3 mm, 50 Ma 180 @ 2mA, 4.5V -
HUFA76429D3 onsemi HUFA76429D3 2.0700
RFQ
 ECAD 512 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA HUFA76429 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 20A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 16V 1480 pf @ 25 V - 110W (TC)
FQB5N60CTM onsemi FQB5N60CTM -
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB5 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 100W (TC)
RFD14N05SM onsemi RFD14N05SM -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RFD14 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado RFD14N05SM-NDR EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 50 V 14a (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 40 NC @ 20 V ± 20V 570 pf @ 25 V - 48W (TC)
FDP8N50NZ onsemi FDP8N50NZ 1.7400
RFQ
 ECAD 7012 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 25V 735 pf @ 25 V - 130W (TC)
2SC4135T-TL-E onsemi 2SC4135T-TL-E 1.1100
RFQ
 ECAD 666 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SC4135 1 W TP-FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 700 100 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 100 mm, 1a 200 @ 100 mapa, 5v 120MHz
MPSA27G onsemi MPSA27G -
RFQ
 ECAD 4893 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPSA27 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 60 V 500 mA 500NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V -
2SA1622-6-TL-E onsemi 2SA1622-6-TL-E 0.0400
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
ECH8659-TL-W onsemi ECH8659-TL-W -
RFQ
 ECAD 6943 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano ECH8659 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w SOT-28FL/ECH8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 7A 24mohm @ 3.5a, 10v 2.6V @ 1MA 11.8nc @ 10V 710pf @ 10V Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V
NVMFS5A140PLZT1G onsemi NVMFS5A140PLZT1G -
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal P 40 V 20A (TA), 140A (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 50A, 10V 2.6V @ 1MA 136 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 20 V - 3.8W (TA), 200W (TC)
NVMFS5C442NLWFET1G onsemi Nvmfs5c442nlwfet1g 1.0181
RFQ
 ECAD 6963 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NVMFS5C442NLWFET1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 28a (TA), 130A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50A, 10V 2V @ 90 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 83W (TC)
BC817-25LT3 onsemi BC817-25LT3 0.0200
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto BC817 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000
NTNS3A65PZT5GHW onsemi NTNS3A65PZT5GHW -
RFQ
 ECAD 9644 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn Mosfet (Óxido de metal) SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NTNS3A65PZT5GHWTR Obsoleto 3.000 Canal P 20 V 281MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.3ohm @ 200 MMA, 4.5V 1V @ 250 µA 1.1 NC @ 4.5 V ± 8V 44 pf @ 10 V - 155MW (TA)
NVB125N65S3 onsemi NVB125N65S3 2.3420
RFQ
 ECAD 7944 0.00000000 onde Superfet® III Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D²pak-3 (A-263-3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10v 4.5V @ 590 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 1940 pf @ 400 V - 181W (TC)
FQPF6N90 onsemi Fqpf6n90 -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 3.4a (TC) 10V 1.9ohm @ 1.7a, 10V 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1880 pf @ 25 V - 56W (TC)
ATP304-TL-H onsemi ATP304-TL-H 4.8100
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie ATPAK (2 cables+Pestaña) ATP304 Mosfet (Óxido de metal) Atpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 100A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 50A, 10V - 250 nc @ 10 V ± 20V 13000 pf @ 20 V - 90W (TC)
FJNS3212RBU onsemi Fjns3212rbu -
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS32 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 47 kohms
KSC2881OTF onsemi KSC2881OTF -
RFQ
 ECAD 8945 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA KSC2881 1 W SOT-89-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 120 V 800 Ma 100NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 80 @ 100mA, 5V 120MHz
FCP190N65F onsemi FCP190N65F -
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 onde FRFET®, Superfet® II Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP190 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 20.6a (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10v 5V @ 2mA 78 NC @ 10 V ± 20V 3225 pf @ 25 V - 208W (TC)
FDN304PZ onsemi FDN304PZ 0.6400
RFQ
 ECAD 5365 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN304 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2.4a (TA) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 2.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 20 NC @ 4.5 V ± 8V 1310 pf @ 10 V - 500MW (TA)
MMBT3906WT1 onsemi MMBT3906WT1 -
RFQ
 ECAD 7036 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto MMBT3906 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
FDMA530PZ onsemi FDMA530PZ 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn FDMA530 Mosfet (Óxido de metal) 6-Microfet (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 6.8a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 6.8a, 10V 3V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 25V 1070 pf @ 15 V - 2.4W (TA)
MJD32CT4G onsemi Mjd32ct4g 0.6300
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD32 1.56 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 100 V 3 A 50 µA PNP 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
2SB1215S-E onsemi 2SB1215S-E -
RFQ
 ECAD 3001 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1215 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 100 V 3 A 1 µA (ICBO) PNP 500mv @ 150 mm, 1.5a 140 @ 500 mA, 5V 130MHz
2SC4617T1G onsemi 2SC4617T1G -
RFQ
 ECAD 1862 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 2SC4617 125 MW SC-75, SOT-416 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN 400mv @ 5 Ma, 60 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 180MHz
SMUN2211T1G onsemi Smun2211t1g 0.2400
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Smun2211 230 MW SC-59 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 10V 10 kohms 10 kohms
NTMD6P02R2G onsemi NTMD6P02R2G 1.2400
RFQ
 ECAD 9100 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMD6 Mosfet (Óxido de metal) 750MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 4.8a 33mohm @ 6.2a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 35NC @ 4.5V 1700pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
NTMS4700NR2G onsemi NTMS4700NR2G -
RFQ
 ECAD 3454 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMS47 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 N-canal 30 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 7.2mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 4.5 V ± 20V 1600 pf @ 24 V - 860MW (TA)
MCH5801-TL-E onsemi MCH5801-TL-E 0.1100
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
2SC3746R onsemi 2SC3746R 0.4300
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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