SIC
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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
2SC5490-TL-E onsemi 2SC5490-TL-E 0.1700
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 8,000
FQB11P06TM onsemi Fqb11p06tm -
RFQ
 ECAD 9392 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Fqb11p06 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 60 V 11.4a (TC) 10V 175mohm @ 5.7a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 550 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 53W (TC)
NTB011N15MC onsemi NTB011N15MC 4.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D²pak-3 (A-263-3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NTB011N15MCTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 12.5a (TA), 75.4a (TC) 8V, 10V 10.9mohm @ 41a, 10v 4.5V @ 223 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 2810 pf @ 75 V - 3.75W (TA), 136.4W (TC)
STZD3155CT1G onsemi Stzd3155ct1g 0.4800
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 STZD3155 Mosfet (Óxido de metal) - SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 - 20V - - - - - Estándar
NVMFS6H836NLT1G onsemi Nvmfs6h836nlt1g 1.3500
RFQ
 ECAD 8446 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 16a (TA), 77a (TC) 4.5V, 10V 6.2mohm @ 15a, 10v 2V @ 95 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 40 V - 3.7W (TA), 89W (TC)
2SK4125-1EX onsemi 2SK4125-1EX -
RFQ
 ECAD 8911 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TA) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 2SK4125 Mosfet (Óxido de metal) A-3P-3L - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 600 V 17a (TA) 10V 610mohm @ 7a, 10v - 46 NC @ 10 V ± 30V 1200 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 170W (TC)
HUFA75333S3S onsemi HUFA75333S3S -
RFQ
 ECAD 7443 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 66a (TC) 10V 16mohm @ 66a, 10V 4V @ 250 µA 85 NC @ 20 V ± 20V 1300 pf @ 25 V - 150W (TC)
NSBC114EDXV6T5 onsemi NSBC114EDXV6T5 0.0700
RFQ
 ECAD 896 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto NSBC11 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 8,000
2SA608F-NP-AA onsemi 2SA608F-NP-AA 0.0500
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
BSP52 onsemi BSP52 -
RFQ
 ECAD 9443 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP52 1 W SOT-223-4 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 80 V 800 Ma 10 µA NPN - Darlington 1.3V @ 500 µA, 500 mA 2000 @ 500mA, 10V -
NTD14N03R onsemi NTD14N03R -
RFQ
 ECAD 1752 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD14 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTD14N03ROS EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 95mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 1.8 NC @ 5 V ± 20V 115 pf @ 20 V - 1.04W (TA), 20.8W (TC)
NSBC143ZDXV6T1G onsemi NSBC143ZDXV6T1G 0.5100
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBC143 500MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V - 4.7 kohms 47 kohms
BU508AFTBTU onsemi Bu508afttu -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO Bu508 60 W Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 700 V 5 A 1mera NPN 1v @ 2a, 4.5a 2.25 @ 4.5a, 5V -
TIP32C onsemi TIP32C -
RFQ
 ECAD 1806 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP32 2 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 3 A 300 µA PNP 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v 3MHz
MPSA28 onsemi MPSA28 -
RFQ
 ECAD 4089 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPSA28 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 80 V 500 mA 500NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 200MHz
SBC807-16LT1G onsemi SBC807-16LT1G 0.3500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SBC807 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
TIP141 onsemi TIP141 1.0100
RFQ
 ECAD 819 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 218-3 125 W Un 218 descascar Rohs no conforme EAR99 8541.29.0095 30 80 V 10 A - NPN - 1000 @ 5a, 4V -
NTTFS6H850NTAG onsemi Nttfs6h850ntag 2.0800
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS6 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 80 V 11a (TA), 68a (TC) 6V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10v 4V @ 70 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1140 pf @ 40 V - 3.2W (TA), 107W (TC)
NJD35N04T4G onsemi NJD35N04T4G 1.3600
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NJD35 45 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 350 V 4 A 50 µA NPN - Darlington 1.5V @ 20MA, 2A 2000 @ 2a, 2v 90MHz
2N5401BU onsemi 2N5401BU -
RFQ
 ECAD 6534 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5401 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 150 V 600 mA 50NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 400MHz
HUF76445P3 onsemi HUF76445P3 -
RFQ
 ECAD 2677 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUF76 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 60 V 75A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 16V 4965 pf @ 25 V - 310W (TC)
NSBC114EPDXV6T1G onsemi NSBC114EPDXV6T1G 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBC114 500MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 10V - 10 kohms 10 kohms
2N4124BU onsemi 2N4124BU -
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N4124 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 120 @ 2mA, 1V 300MHz
BC239BBU onsemi Bc239bbu -
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC239 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 180 @ 2mA, 5V 250MHz
NTMFS6B05NT1G onsemi Ntmfs6b05nt1g 4.8900
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 100 V 16a (TA), 104a (TC) 6V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 50 V - 3.3W (TA), 138W (TC)
MJE5730G onsemi MJE5730G 1.9500
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 MJE5730 40 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 300 V 1 A 1mera PNP 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
FDPC8016S onsemi FDPC8016S 1.9200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDPC8016 Mosfet (Óxido de metal) 2.1W, 2.3W Clip de Alimentación 56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Asimétrico del canal (dual) 25V 20a, 35a 3.8mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 35nc @ 10V 2375pf @ 13V Puerta de Nivel Lógico
NTMS5838NLR2G onsemi NTMS5838NLR2G -
RFQ
 ECAD 1658 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMS58 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 5.8a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 785 pf @ 20 V - 1.5W (TA)
2SC2814-5-TB-E onsemi 2SC2814-5-TB-E 0.3600
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
DTA114EET1G onsemi DTA114EET1G 0.1700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 Dta114 200 MW SC-75, SOT-416 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 10V 10 kohms 10 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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