SIC
close

Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NTD24N06LG onsemi Ntd24n06lg -
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD24 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 24a (TA) 5V 45mohm @ 10a, 5V 2V @ 250 µA 32 NC @ 5 V ± 15V 1140 pf @ 25 V - 1.36W (TA), 62.5W (TJ)
NTBG160N120SC1 onsemi NTBG160N120SC1 9.8900
RFQ
 ECAD 788 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA NTBG160 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) D2pak-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 1200 V 19.5a (TC) 20V 224mohm @ 12a, 20V 4.3V @ 2.5MA 33.8 NC @ 20 V +25V, -15V 678 pf @ 800 V - 136W (TC)
NTMFS022N15MC onsemi NTMFS022N15MC 2.5300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 7.3a (TA), 41.9a (TC) 8V, 10V 22mohm @ 18a, 10v 4.5V @ 100 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 1315 pf @ 75 V - 2.5W (TA), 80.6W (TC)
FDZ595PZ onsemi Fdz595pz -
RFQ
 ECAD 1195 0.00000000 onde * Una granela Obsoleto FDZ59 - No Aplicable Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1
2SC3646T-TD-E onsemi 2sc3646t-td-e 0.6000
RFQ
 ECAD 6344 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SC3646 500 MW PCP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 100 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 40mA, 400 mA 100 @ 100 maja, 5v 120MHz
MPS6724RLRAG onsemi Mps6724rlrag -
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPS672 1 W TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 40 V 1 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 2mA, 1A 4000 @ 1a, 5V 1 GHz
FCP150N65F onsemi FCP150N65F 5.4600
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 onde Hiperfet ™, Polar ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP150 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 150mohm @ 12a, 10v 5V @ 2.4MA 93 NC @ 10 V ± 20V 3737 pf @ 100 V - 298W (TC)
MPS8098RLRAG onsemi Mps8098rlrag -
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPS809 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Mps8098rlragos EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 500 mA 100na NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
MMBT5089LT1 onsemi Mmbt5089lt1 -
RFQ
 ECAD 1529 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5089 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 25 V 50 Ma - NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 450 @ 1 MMA, 5V 50MHz
MSD602-RT1G onsemi MSD602-RT1G 0.1900
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MSD602 200 MW SC-59 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 30 mA, 300 mA 120 @ 150mA, 10V -
S2N7002ET7G onsemi S2n7002et7g -
RFQ
 ECAD 4055 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto S2N7002 - 488-S2N7002ET7G Obsoleto 1
MPSA77RLRA onsemi Mpsa77rlra -
RFQ
 ECAD 3280 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSA77 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 500 mA 500NA PNP - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V -
BC549BU onsemi Bc549bu -
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC549 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
NTD4813N-1G onsemi NTD4813N-1G -
RFQ
 ECAD 4877 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD48 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 7.6a (TA), 40a (TC) 4.5V, 11.5V 13mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 7.9 NC @ 4.5 V ± 20V 860 pf @ 12 V - 1.27W (TA), 35.3W (TC)
FQPF7N80 onsemi FQPF7N80 -
RFQ
 ECAD 7488 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 3.8a (TC) 10V 1.5ohm @ 1.9a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1850 pf @ 25 V - 56W (TC)
MBT2222ADW1T1G onsemi MBT2222AdW1T1G 0.2400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MBT2222 150MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 600mA 10NA (ICBO) 2 NPN (dual) 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MPSA27RLRA onsemi Mpsa27rlra -
RFQ
 ECAD 1852 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto MPSA27 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000
BCX56-10R1 onsemi BCX56-10R1 -
RFQ
 ECAD 7234 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA BCX56 1.56 W SOT-89-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 130MHz
FDY3001NZ onsemi Fdy3001nz -
RFQ
 ECAD 5811 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 Fdy30 Mosfet (Óxido de metal) 446MW SOT-563F descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 200 MMA 5ohm @ 200ma, 4.5V 1.5V @ 250 µA 1.1NC @ 4.5V 60pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
NVTFS4C10NWFTAG onsemi Nvtfs4c10nwftag 1.5300
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 15.3a (TA), 47a (TC) 4.5V, 10V 7.4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 19.3 NC @ 10 V ± 20V 993 pf @ 15 V - 3W (TA), 28W (TC)
KSA1370FTA onsemi Ksa1370fta -
RFQ
 ECAD 4483 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSA1370 1 W Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 200 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 2mA, 20 ma 100 @ 10mA, 10V 150MHz
FQP32N20C_F080 onsemi FQP32N20C_F080 -
RFQ
 ECAD 2781 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 28a (TC) 10V 82mohm @ 14a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 30V 2200 pf @ 25 V - 156W (TC)
MUN5313DW1T1G onsemi MUN5313DW1T1G 0.2700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mun5313 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 47 kohms 47 kohms
FQI10N60CTU onsemi Fqi10n60ctu -
RFQ
 ECAD 4973 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi1 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 9.5A (TC) 10V 730mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 156W (TC)
FQPF11N40C onsemi FQPF11N40C -
RFQ
 ECAD 2621 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 10.5a (TC) 10V 530mohm @ 5.25a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1090 pf @ 25 V - 44W (TC)
RFD3055SM9A onsemi RFD3055SM9A -
RFQ
 ECAD 1367 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 RFD30 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 12a (TC) 10V 150mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 23 NC @ 20 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 53W (TC)
SS8550CBU onsemi SS8550CBU 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS8550 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 10,000 25 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 80mA, 800 mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
PN2907ANLBU onsemi Pn2907anlbu -
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN290 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 60 V 800 Ma 20NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
FDN308P onsemi FDN308P 0.5400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN308 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.5a (TA) 2.5V, 4.5V 125mohm @ 1.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 5.4 NC @ 4.5 V ± 12V 341 pf @ 10 V - 500MW (TA)
2N4402RLRA onsemi 2n4402rlra 0.0200
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 12,333
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar