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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
BC817-40LT1 onsemi BC817-40LT1 -
RFQ
 ECAD 4220 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA - NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 250 @ 100mA, 1V 100MHz
PN2222A_J18Z onsemi Pn2222aaa_j18z -
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2222 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 1 A 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
MSB92T1G onsemi MSB92T1G 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MSB92 150 MW SC-59 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 150 Ma 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2 mm, 20 mm 25 @ 30mA, 10V 50MHz
2N4403TAR onsemi 2N4403Tar 0.3600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N4403 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 600 mA - PNP 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
NZT6715 onsemi NZT6715 -
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NZT67 1 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 40 V 1.5 A 100 µA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 50 @ 1a, 1v -
BD438STU onsemi Bd438stu -
RFQ
 ECAD 9338 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD438 36 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 45 V 4 A 100 µA PNP 600mv @ 200Ma, 2a 30 @ 10mA, 5V 3MHz
2SD1620-TD-E onsemi 2SD1620-TD-E 0.5800
RFQ
 ECAD 544 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SD1620 500 MW PCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 10 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 60 mm, 3a 140 @ 3a, 2v 200MHz
FCP11N60 onsemi FCP11N60 3.0800
RFQ
 ECAD 4764 0.00000000 onde Superfet ™ Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1490 pf @ 25 V - 125W (TC)
2N4400TFR onsemi 2N4400TFR -
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N4400 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 40 V 600 mA - NPN 750mv @ 50 mm, 500 mA 50 @ 150mA, 1V -
2N5192G onsemi 2N5192G 0.7400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 2N5192 40 W A-126 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 80 V 4 A 1mera NPN 1.4v @ 1a, 4a 20 @ 1.5a, 2v 2MHz
BC238CBU onsemi Bc238cbu -
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC238 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 100 mA 15NA NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 380 @ 2mA, 5V 250MHz
NTJS3151PT1G onsemi NTJS3151PT1G 0.5200
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NTJS3151 Mosfet (Óxido de metal) SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 2.7a (TA) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 3.3a, 4.5V 1.2V @ 100 µA 8.6 NC @ 4.5 V ± 12V 850 pf @ 12 V - 625MW (TA)
NSBA144WF3T5G onsemi NSBA144WF3T5G 0.0598
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-1123 NSBA144 254 MW SOT-1123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 47 kohms 22 kohms
2N5088RLRAG onsemi 2n5088rlrag -
RFQ
 ECAD 7437 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2N5088 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 300 @ 100 µA, 5V 50MHz
P2N2907A onsemi P2N2907A -
RFQ
 ECAD 1576 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO P2N290 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 60 V 600 mA 10NA PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
FCA16N60 onsemi FCA16N60 -
RFQ
 ECAD 4368 0.00000000 onde Superfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FCA16 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 600 V 16a (TC) 10V 260mohm @ 8a, 10v 5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 2250 pf @ 25 V - 167W (TC)
BC858BDW1T1 onsemi BC858BDW1T1 0.0200
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0075 3.000
HUF75639S3ST onsemi HUF75639S3ST 2.7700
RFQ
 ECAD 428 0.00000000 onde UltraFet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUF75639 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 56a (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 20 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 200W (TC)
2SD1153 onsemi 2SD1153 -
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 900 MW 3-MP - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2SD1153-488 1 50 V 1.5 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 500 µA, 500 mA 4000 @ 500 mA, 2V 120MHz
FQI15P12TU onsemi Fqi15p12tu -
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi1 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 120 V 15A (TC) 10V 200mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 100W (TC)
NTTFS4C06NTAG onsemi Nttfs4c06ntag 1.5600
RFQ
 ECAD 8015 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 11a (TA), 67a (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 3366 pf @ 15 V - 810MW (TA), 31W (TC)
2SK4116LS onsemi 2sk4116ls -
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2SK4116 Mosfet (Óxido de metal) To20fi (ls) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 400 V 8.9a (TC) 10V 540mohm @ 6a, 10v 5V @ 1MA 24.5 NC @ 10 V ± 30V 650 pf @ 30 V - 2W (TA), 33W (TC)
NDS9407_G onsemi NDS9407_G -
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 onde Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS940 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 60 V 3a (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 732 pf @ 30 V - 2.5W (TA)
SSD2007ASTF onsemi Ssd2007astf -
RFQ
 ECAD 1492 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SSD2007 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 50V 2A 300mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 15NC @ 10V - Puerta de Nivel Lógico
FQI4N20LTU onsemi Fqi4n20ltu -
RFQ
 ECAD 5544 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi4 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 200 V 3.8a (TC) 5V, 10V 1.35ohm @ 1.9a, 10v 2V @ 250 µA 5.2 NC @ 5 V ± 20V 310 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 45W (TC)
FQD16N15TM onsemi Fqd16n15tm -
RFQ
 ECAD 4739 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 11.8a (TC) 10V 160mohm @ 5.9a, 10V 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 25V 910 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 55W (TC)
KSH45H11TM onsemi Ksh45h11tm -
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSH45 1.75 W D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 80 V 8 A 10 µA PNP 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v 40MHz
FDD6512A onsemi FDD6512A -
RFQ
 ECAD 8381 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD651 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 10.7a (TA), 36a (TC) 2.5V, 4.5V 21mohm @ 10.7a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 19 NC @ 4.5 V ± 12V 1082 pf @ 10 V - 3.8W (TA), 43W (TC)
BC182LB_J35Z onsemi BC182LB_J35Z -
RFQ
 ECAD 9465 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC182 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 40 @ 10 µA, 5V 150MHz
MMBTH10 onsemi Mmbth10 -
RFQ
 ECAD 7557 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbth10 225MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 25V 50mera NPN 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
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AD9208BBPZ-3000

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