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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FQD1N80TM onsemi Fqd1n80tm 0.9900
RFQ
 ECAD 8035 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1N80 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 1A (TC) 10V 20ohm @ 500 mA, 10V 5V @ 250 µA 7.2 NC @ 10 V ± 30V 195 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 45W (TC)
FDMS7650 onsemi FDMS7650 3.0600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS76 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 36A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.99mohm @ 36a, 10v 3V @ 250 µA 209 NC @ 10 V ± 20V 14965 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 104W (TC)
MPSW56RLRPG onsemi Mpsw56rlrpg -
RFQ
 ECAD 8213 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSW56 1 W TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 80 V 500 mA 500NA PNP 500mv @ 10 Ma, 250 Ma 50 @ 250 Ma, 1V 50MHz
SJE7075LFAJ onsemi Sje7075lfaj -
RFQ
 ECAD 6133 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido 1
KSB546YTU onsemi Ksb546ytu 1.1300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSB546 25 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 150 V 2 A 50 µA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 120 @ 400mA, 10V 5MHz
DTC123JM3T5G onsemi Dtc123jm3t5g 0.3600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 DTC123 260 MW Sot-723 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V 2.2 kohms 47 kohms
FDMS9411-F085 onsemi FDMS9411-F085 -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn FDMS94 Mosfet (Óxido de metal) Power56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 30A (TC) 10V 7.8mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1100 pf @ 20 V - 68.2W (TJ)
NVA4001NT1G onsemi NVA4001NT1G 0.4700
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 NVA400 Mosfet (Óxido de metal) SC-75, SOT-416 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 238MA (TJ) 2.5V, 4.5V 3ohm @ 10mA, 4.5V 1.5V @ 100 µA ± 10V 20 pf @ 5 V - 300MW (TJ)
NDB4060 onsemi NDB4060 -
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NDB406 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 15A (TC) 10V 100mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 50W (TC)
2N7052 onsemi 2N7052 -
RFQ
 ECAD 8152 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N7052 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2N7052-NDR EAR99 8541.21.0075 2,000 100 V 1.5 A 200NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 1000 @ 1a, 5v 200MHz
BD676A onsemi Bd676a -
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD676 40 W A-126 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 45 V 4 A 500 µA PNP - Darlington 2.8V @ 40 mm, 2a 750 @ 2a, 3V -
FDMC86102L onsemi FDMC86102L 1.6200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC86102 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 7a (TA), 18a (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1330 pf @ 50 V - 2.3W (TA), 41W (TC)
SMP3003-TL-1E onsemi Smp3003-tl-1e -
RFQ
 ECAD 4261 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Smp3003 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 75 V 100A (TA) 4V, 10V 8mohm @ 50a, 10v - 280 NC @ 10 V ± 20V 13400 pf @ 20 V - 90W (TC)
NSVBC114YPDXV65G onsemi Nsvbc114ypdxv65g -
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSVBC114 500MW SOT-563 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 10 kohms 47 kohms
FQA12N60 onsemi FQA12N60 -
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 700mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 240W (TC)
MPS6725G onsemi MPS6725G -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPS672 1 W TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MPS6725GOS EAR99 8541.29.0075 5,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 2mA, 1A 4000 @ 1a, 5V 1 GHz
NSS1C300ET4G onsemi Nss1c300et4g 0.9300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NSS1C300 2.1 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 100 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 300mA, 3A 120 @ 1a, 2v 100MHz
SS8550CBU onsemi SS8550CBU 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS8550 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 10,000 25 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 80mA, 800 mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
MTP2P50EG onsemi MTP2P50EG -
RFQ
 ECAD 3293 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 MTP2P Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MTP2P50EGOS EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 500 V 2a (TC) 10V 6ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1183 pf @ 25 V - 75W (TC)
5LN01SP onsemi 5ln01sp -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-72 5ln01 Mosfet (Óxido de metal) 3-spa - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 500 N-canal 50 V 100 mA (TA) 1.5V, 4V 7.8ohm @ 50 mm, 4V 1.3V @ 100 µA 1.57 NC @ 10 V ± 10V 6.6 pf @ 10 V - 250MW (TA)
2N4402RLRA onsemi 2n4402rlra 0.0200
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 12,333
PCFC040N65S3W onsemi PCFC040N65S3W -
RFQ
 ECAD 8803 0.00000000 onde * Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-PCFC040N65S3W 30
NTDV3055L104T4G onsemi NTDV3055L104T4G -
RFQ
 ECAD 1811 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTDV30 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 12a (TA) 5V 104mohm @ 6a, 5V 2V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 15V 440 pf @ 25 V - 1.5W (TA)
NVTFS4C10NWFTAG onsemi Nvtfs4c10nwftag 1.5300
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 15.3a (TA), 47a (TC) 4.5V, 10V 7.4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 19.3 NC @ 10 V ± 20V 993 pf @ 15 V - 3W (TA), 28W (TC)
NJVMJD50T4G onsemi Njvmjd50t4g 0.7300
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Njvmjd50 1.56 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 1 A 200 µA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
TN6729A_D27Z onsemi TN6729A_D27Z -
RFQ
 ECAD 3953 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) TN6729 1 W Un 226 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10 Ma, 250 Ma 50 @ 250 Ma, 1V -
KSC2757YMTF onsemi Ksc2757ymtf -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KSC2757 150MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 50mera NPN 120 @ 5mA, 10V 1.1 GHz -
NTMFS4931NT1G-IRH1 onsemi NTMFS4931NT1G-IRH1 1.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-NTMFS4931NT1G-IRH1 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 23a (TA) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 128 NC @ 10 V ± 20V 9821 pf @ 15 V - 950MW (TA)
NVMFS5826NLT3G onsemi Nvmfs5826nlt3g -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS5826 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-NVMFS5826NLT3G-488 EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 8a (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 39W (TC)
2SK3818-DL-E onsemi 2SK3818-DL-E -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero A 220-3, Pestaña Corta Mosfet (Óxido de metal) SMP - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2SK3818-DL-E-488 1 N-canal 60 V 74a (TA) 4V, 10V 13mohm @ 37a, 10v 2.6V @ 1MA 100 NC @ 10 V ± 20V 5250 pf @ 20 V - 1.65W (TA), 75W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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