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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
SMP3003-TL-1E onsemi Smp3003-tl-1e -
RFQ
 ECAD 4261 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Smp3003 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 75 V 100A (TA) 4V, 10V 8mohm @ 50a, 10v - 280 NC @ 10 V ± 20V 13400 pf @ 20 V - 90W (TC)
NSVBC114YPDXV65G onsemi Nsvbc114ypdxv65g -
RFQ
 ECAD 6096 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSVBC114 500MW SOT-563 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 10 kohms 47 kohms
FQA12N60 onsemi FQA12N60 -
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 700mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1900 pf @ 25 V - 240W (TC)
MPS6725G onsemi MPS6725G -
RFQ
 ECAD 5342 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPS672 1 W TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MPS6725GOS EAR99 8541.29.0075 5,000 50 V 1 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 2mA, 1A 4000 @ 1a, 5V 1 GHz
NSS1C300ET4G onsemi Nss1c300et4g 0.9300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NSS1C300 2.1 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 100 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 400mv @ 300mA, 3A 120 @ 1a, 2v 100MHz
SS8550CBU onsemi SS8550CBU 0.4100
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 ECAD 9 0.00000000 onde - Una granela Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS8550 1 W Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 10,000 25 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 80mA, 800 mA 120 @ 100mA, 1V 200MHz
NVD5C454NT4G onsemi Nvd5c454nt4g 2.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Nvd5c454 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 19A (TA), 82A (TC) 10V 4.2mohm @ 40a, 10V 4V @ 70 µA 32 NC @ 10 V ± 20V 1900 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 56W (TC)
MTP2P50EG onsemi MTP2P50EG -
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 ECAD 3293 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 MTP2P Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MTP2P50EGOS EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 500 V 2a (TC) 10V 6ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1183 pf @ 25 V - 75W (TC)
5LN01SP onsemi 5ln01sp -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 onde - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-72 5ln01 Mosfet (Óxido de metal) 3-spa - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 500 N-canal 50 V 100 mA (TA) 1.5V, 4V 7.8ohm @ 50 mm, 4V 1.3V @ 100 µA 1.57 NC @ 10 V ± 10V 6.6 pf @ 10 V - 250MW (TA)
STD1028T4 onsemi Std1028t4 0.8300
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 2.500
2N4402RLRA onsemi 2n4402rlra 0.0200
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 12,333
PCFC040N65S3W onsemi PCFC040N65S3W -
RFQ
 ECAD 8803 0.00000000 onde * Tubo Activo - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-PCFC040N65S3W 30
NTDV3055L104T4G onsemi NTDV3055L104T4G -
RFQ
 ECAD 1811 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTDV30 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 12a (TA) 5V 104mohm @ 6a, 5V 2V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 15V 440 pf @ 25 V - 1.5W (TA)
NVTFS4C10NWFTAG onsemi Nvtfs4c10nwftag 1.5300
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 15.3a (TA), 47a (TC) 4.5V, 10V 7.4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 19.3 NC @ 10 V ± 20V 993 pf @ 15 V - 3W (TA), 28W (TC)
NJVMJD50T4G onsemi Njvmjd50t4g 0.7300
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Njvmjd50 1.56 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 1 A 200 µA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
TN6729A_D27Z onsemi TN6729A_D27Z -
RFQ
 ECAD 3953 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) TN6729 1 W Un 226 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10 Ma, 250 Ma 50 @ 250 Ma, 1V -
KSC2757YMTF onsemi Ksc2757ymtf -
RFQ
 ECAD 6249 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 KSC2757 150MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 15V 50mera NPN 120 @ 5mA, 10V 1.1 GHz -
NTMFS4931NT1G-IRH1 onsemi NTMFS4931NT1G-IRH1 1.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-NTMFS4931NT1G-IRH1 EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 30 V 23a (TA) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 128 NC @ 10 V ± 20V 9821 pf @ 15 V - 950MW (TA)
NVMFS5826NLT3G onsemi Nvmfs5826nlt3g -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS5826 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-NVMFS5826NLT3G-488 EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 8a (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 39W (TC)
2SK3818-DL-E onsemi 2SK3818-DL-E -
RFQ
 ECAD 7002 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C A Través del Aguetero A 220-3, Pestaña Corta Mosfet (Óxido de metal) SMP - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2SK3818-DL-E-488 1 N-canal 60 V 74a (TA) 4V, 10V 13mohm @ 37a, 10v 2.6V @ 1MA 100 NC @ 10 V ± 20V 5250 pf @ 20 V - 1.65W (TA), 75W (TC)
VEC2616-TL-W onsemi VEC2616-TL-W -
RFQ
 ECAD 5978 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Vec2616 Mosfet (Óxido de metal) 1W SOT-28FL/VEC8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 60V 3a, 2.5a 80mohm @ 1.5a, 10V 2.6V @ 1MA 10nc @ 10V 505pf @ 20V Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V
NVATS5A108PLZT4G onsemi NVATS5A108PLZT4G -
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Nvats5 Mosfet (Óxido de metal) Atpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 40 V 77a (TA) 4.5V, 10V 10.4mohm @ 35a, 10v 2.6V @ 1MA 79.5 NC @ 10 V ± 20V 3850 pf @ 20 V - 72W (TC)
NTMFS5C460NLT1G onsemi Ntmfs5c460nlt1g 1.7500
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 ECAD 18 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 78a (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 35a, 10V 2V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 20V 1300 pf @ 20 V - 3.6W (TA), 50W (TC)
BC490AG onsemi BC490AG -
RFQ
 ECAD 2066 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BC490 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mm, 1a 100 @ 100 maja, 2v 150MHz
NTMFS5H600NLT3G onsemi NTMFS5H600NLT3G 4.2893
RFQ
 ECAD 5742 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 60 V 35A (TA), 250A (TC) 4.5V, 10V 1.3mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 89 NC @ 10 V ± 20V 6680 pf @ 30 V - 3.3W (TA), 160W (TC)
NVMFS5C404NLAFT3G onsemi Nvmfs5c404nlaft3g 3.8759
RFQ
 ECAD 8784 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 370a (TC) 4.5V, 10V 0.67mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 81 NC @ 4.5 V ± 20V 12168 pf @ 25 V - 200W (TC)
2SC4047-TB-E onsemi 2SC4047-TB-E 0.0500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
FDN86501LZ onsemi FDN86501LZ 2.1000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FDN86501 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 2.6a (TA) 4.5V, 10V 116mohm @ 2.6a, 10V 3V @ 250 µA 5.4 NC @ 10 V ± 20V 335 pf @ 30 V - 1.5W (TA)
NDD01N60-1G onsemi NDD01N60-1G -
RFQ
 ECAD 6515 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NDD01 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 1.5a (TC) 10V 8.5ohm @ 200 MMA, 10V 3.7V @ 50 µA 7.2 NC @ 10 V ± 30V 160 pf @ 25 V - 46W (TC)
FDS6672A onsemi FDS6672A -
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 ECAD 2130 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS66 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12.5a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 14a, 10v 2V @ 250 µA 46 NC @ 4.5 V ± 12V 5070 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
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    Volumen de RFQ promedio diario

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    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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