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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FDMC0310AS-F127 onsemi FDMC0310AS-F127 0.9500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC0310 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 21a (TC) 4.4mohm @ 19a, 10v 3V @ 1MA 52 NC @ 10 V 3165 pf @ 15 V -
FDD3682 onsemi FDD3682 1.0900
RFQ
 ECAD 4737 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD368 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 5.5a (TA), 32A (TC) 6V, 10V 36mohm @ 32a, 10v 4V @ 250 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1250 pf @ 25 V - 95W (TC)
NTTFS4939NTAG onsemi Nttfs4939ntag -
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4939 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 8.9a (TA), 52a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 28 NC @ 10 V ± 20V 1979 pf @ 15 V - 850MW (TA), 29.8W (TC)
NVTFS4C08NTAG onsemi Nvtfs4c08ntag 1.3300
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 17a (TA) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 18.2 NC @ 10 V ± 20V 1113 pf @ 15 V - 3.1W (TA), 31W (TC)
2SK2378 onsemi 2SK2378 1.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1
BC635RL1G onsemi Bc635rl1g -
RFQ
 ECAD 8288 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) BC635 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 200MHz
2SD1805F-E onsemi 2SD1805F-E -
RFQ
 ECAD 1014 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SD1805 1 W TP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 20 V 5 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 60 mm, 3a 160 @ 500 mA, 2V 120MHz
NSVT45010MW6T1G onsemi NSVT45010MW6T1G 0.4800
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NSVT45010 380MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
2SA1246T-AA onsemi 2SA1246T-AA 0.1600
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 1
NTS4173PT1G onsemi NTS4173PT1G 0.4700
RFQ
 ECAD 4888 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 NTS4173 Mosfet (Óxido de metal) SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 1.2a (TA) 2.5V, 10V 150mohm @ 1.2a, 10v 1.5V @ 250 µA 10.1 NC @ 10 V ± 12V 430 pf @ 15 V - 290MW (TA)
BMS3003-1E onsemi BMS3003-1E -
RFQ
 ECAD 1566 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero BMS30 Mosfet (Óxido de metal) TO20F-3SG descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 78a (TA) 4V, 10V 6.5mohm @ 39a, 10v - 285 NC @ 10 V ± 20V 13200 pf @ 20 V - 2W (TA), 40W (TC)
SBC807-16LT1G onsemi SBC807-16LT1G 0.3500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SBC807 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
FQP6N25 onsemi FQP6N25 -
RFQ
 ECAD 3834 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 5.5a (TC) 10V 1ohm @ 2.75a, 10v 5V @ 250 µA 8.5 NC @ 10 V ± 30V 300 pf @ 25 V - 63W (TC)
BC847BMTF onsemi Bc847bmtf -
RFQ
 ECAD 4538 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 310 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
FJV1845PMTF onsemi Fjv1845pmtf -
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 FJV184 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 120 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 1 mapa, 10 ma 200 @ 1 MMA, 6V 110MHz
KSD1021YBU onsemi Ksd1021ybu -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto KSD1021 350 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 30 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 120 @ 100mA, 1V 130MHz
NTMFS4846NT3G onsemi Ntmfs4846nt3g -
RFQ
 ECAD 4432 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 12.7a (TA), 100A (TC) 4.5V, 11.5V 3.4mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 53 NC @ 11.5 V ± 20V 3250 pf @ 12 V - 890MW (TA), 55.5W (TC)
NTJD1155LT1G onsemi Ntjd1155lt1g 0.5000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NTJD1155 Mosfet (Óxido de metal) 400MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 8V 1.3a 175mohm @ 1.2a, 4.5V 1V @ 250 µA - - -
FQD18N20V2TF onsemi FQD18N20V2TF -
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 15A (TC) 10V 140mohm @ 7.5a, 10v 5V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
FQI17P06TU onsemi Fqi17p06tu -
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi1 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 17a (TC) 10V 120MOHM @ 8.5A, 10V 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 25V 900 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 79W (TC)
FCD7N60TF onsemi FCD7N60TF -
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 onde Superfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FCD7 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 30V 920 pf @ 25 V - 83W (TC)
FPNH10 onsemi FPNH10 -
RFQ
 ECAD 4316 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FPNH 350MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 - 25V 50mera NPN 60 @ 4MA, 10V 650MHz -
KSC2785GTA onsemi Ksc2785gta -
RFQ
 ECAD 5010 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto KSC2785 250 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 300MHz
MUN5311DW1T2G onsemi MUN5311DW1T2G 0.2600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mun5311 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 10V - 10 kohms 10 kohms
PN200_D26Z onsemi PN200_D26Z -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN200 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 500 mA 50NA PNP 400mv @ 20 mm, 200 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
2SD1815T-E onsemi 2SD1815T-E -
RFQ
 ECAD 1245 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SD1815 1 W TP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 100 V 3 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 150 mm, 1.5a 70 @ 500mA, 5V 180MHz
FDS2070N7 onsemi FDS2070N7 -
RFQ
 ECAD 8036 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) Fds20 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO FLMP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 4.1a (TA) 6V, 10V 78mohm @ 4.1a, 10V 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 1884 pf @ 75 V - 3W (TA)
NVTFS5C658NLWFTAG onsemi Nvtfs5c658nlwftag 0.8509
RFQ
 ECAD 3533 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs5 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 109A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 50a, 10v 2.2V @ 250 µA 12 NC @ 4.5 V ± 20V 1935 pf @ 25 V - 114W (TC)
MJH11019G onsemi MJH11019G 4.9900
RFQ
 ECAD 5018 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 MJH11019 150 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 200 V 15 A 1mera PNP - Darlington 4V @ 150 mm, 15a 400 @ 10a, 5V 3MHz
NTD4863N-35G onsemi NTD4863N-35G -
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 ECAD 2989 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak NTD48 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 9.2a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 13.5 NC @ 4.5 V ± 20V 990 pf @ 12 V - 1.27W (TA), 36.6W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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