SIC
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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
FDP8860 onsemi FDP8860 -
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 onde Powertrench® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP88 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 80a, 10v 2.5V @ 250 µA 222 NC @ 10 V ± 20V 12240 pf @ 15 V - 254W (TC)
NTMFS5C430NT1G onsemi NTMFS5C430NT1G 3.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 35A (TA), 185A (TC) 10V 1.7mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 3300 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 106W (TC)
FJN3309RTA onsemi Fjn3309rta -
RFQ
 ECAD 6873 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales FJN330 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 4.7 kohms
FQA62N25C onsemi FQA62N25C -
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA62 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 62a (TC) 10V 35mohm @ 31a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 30V 6280 pf @ 25 V - 298W (TC)
FDMS86150 onsemi FDMS86150 3.9900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS86 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 16a (TA), 60a (TC) 6V, 10V 4.85mohm @ 16a, 10v 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 4065 pf @ 50 V - 2.7W (TA), 156W (TC)
BC556BZL1G onsemi Bc556bzl1g -
RFQ
 ECAD 7228 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) BC556 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 65 V 100 mA 100na PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 180 @ 2mA, 5V 280MHz
NVMFS5C426NT1G onsemi Nvmfs5c426nt1g -
RFQ
 ECAD 1368 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-NVMFS5C426NT1G-488 EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 235a (TC) 10V 1.3mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 128W (TC)
EFC4621R-TR onsemi EFC4621R-TR 0.2375
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-xfbga, fcbga EFC4621 Mosfet (Óxido de metal) 1.6w EFCP1616-4CE-022 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 2 Canal N (Dual) - - - - 29NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V
FQAF19N20 onsemi FQAF19N20 -
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FQAF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 200 V 15A (TC) 10V 150MOHM @ 7.5A, 10V 5V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 25 V - 85W (TC)
NDC651N onsemi Ndc651n -
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 NDC651 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 3.2a (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 10 V 20V 290 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
NDS9933 onsemi NDS9933 -
RFQ
 ECAD 3099 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS993 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 3.2a 110mohm @ 3.2a, 4.5V 1V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 870pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
2SA1552S-N-TL-E onsemi 2SA1552S-N-TL-E 0.2900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0075 700
MJD31CETF onsemi Mjd31cetf -
RFQ
 ECAD 8962 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto MJD31 - No Aplicable Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1
FQA6N90_F109 onsemi FQA6N90_F109 -
RFQ
 ECAD 9665 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA6 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 900 V 6.4a (TC) 10V 1.9ohm @ 3a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1880 pf @ 25 V - 198W (TC)
2SC3446M onsemi 2SC3446M 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - 2156-2SC3446M 825
TN6725A_D74Z onsemi TN6725A_D74Z -
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) TN6725 1 W Un 226 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 50 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 2mA, 1A 4000 @ 1a, 5V -
BC847BDW1T3G onsemi Bc847bdw1t3g 0.2400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BC847 380MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
NTJS3157NT2 onsemi NTJS3157NT2 -
RFQ
 ECAD 3243 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NTJS31 Mosfet (Óxido de metal) SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 3.2a (TA) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 8V 500 pf @ 10 V - 1W (TA)
NTMFS5C442NLTT3G onsemi NTMFS5C442NLTT3G -
RFQ
 ECAD 8260 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 28a (TA), 130A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 83W (TC)
BC32725_J18Z onsemi BC32725_J18Z -
RFQ
 ECAD 5366 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC327 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 160 @ 100mA, 1V 100MHz
NSVDTC144WET1G onsemi Nsvdtc144wet1g -
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-75, SOT-416 NSVDTC144 200 MW SC-75, SOT-416 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-NSVDTC144WET1GTR EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 MV a 5 mm, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V 47 kohms 22 kohms
FDBL86566-F085 onsemi FDBL86566-F085 3.3500
RFQ
 ECAD 9066 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN FDBL86566 Mosfet (Óxido de metal) 8 HPSOF descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 240a (TC) 10V 2.4mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 6655 pf @ 30 V - 300W (TJ)
FDMC8678S onsemi FDMC8678S -
RFQ
 ECAD 4531 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMC86 Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 15a (TA), 18a (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 15a, 10v 3V @ 1MA 34 NC @ 10 V ± 20V 2075 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 41W (TC)
FDN5618P-B8 onsemi FDN5618P-B8 -
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 488-FDN5618P-B8TR EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 60 V 1.25a (TA) 4.5V, 10V 170mohm @ 1.25a, ​​10V 3V @ 250 µA 13.8 NC @ 10 V ± 20V 430 pf @ 30 V - 460MW (TA)
FDMS0300S onsemi FDMS0300S 1.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS0300 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 31a (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 30a, 10v 3V @ 1MA 133 NC @ 10 V ± 20V 8705 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 96W (TC)
SBC857BDW1T1G onsemi SBC857BDW1T1G 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SBC857 380MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 PNP (dual) 650mv @ 5 mm, 100 mapa 220 @ 2mA, 5V 100MHz
NTA4153NT1G onsemi Nta4153nt1g 0.4100
RFQ
 ECAD 491 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-75, SOT-416 NTA4153 Mosfet (Óxido de metal) SC-75, SOT-416 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 915MA (TA) 1.5V, 4.5V 230MOHM @ 600MA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 1.82 NC @ 4.5 V ± 6V 110 pf @ 16 V - 300MW (TJ)
PN3568_D75Z onsemi PN3568_D75Z -
RFQ
 ECAD 5923 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN356 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 1 A 50NA (ICBO) NPN 250 MV @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 1V -
BC560BU onsemi Bc560bu -
RFQ
 ECAD 1526 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC560 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
MPS6652G onsemi MPS6652G -
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 ECAD 1893 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPS665 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MPS6652GOS EAR99 8541.21.0075 5,000 40 V 1 A 100na PNP 600mv @ 100 mm, 1a 50 @ 500mA, 1V 100MHz
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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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