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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
MPSA14G onsemi MPSA14G -
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPSA14 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
FDD6776A onsemi FDD6776A -
RFQ
 ECAD 8286 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD677 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 17.7a (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 17.7a, 10v 3V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1490 pf @ 13 V - 3.7W (TA), 39W (TC)
BC548BU onsemi Bc548bu -
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC548 500 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-BC548BU EAR99 8541.21.0075 10,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V 300MHz
KSP25BU onsemi Ksp25bu -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP25 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 40 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V -
NTMFS4936NT3G onsemi Ntmfs4936nt3g -
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4936 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 11.6a (TA), 79A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 3044 pf @ 15 V - 920MW (TA), 43W (TC)
BD537K onsemi Bd537k -
RFQ
 ECAD 2336 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BD537 50 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.200 80 V 8 A 100 µA NPN 800mv @ 200MA, 2A 40 @ 2a, 2v 12MHz
BC184_L34Z onsemi BC184_L34Z -
RFQ
 ECAD 8931 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC184 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 130 @ 100mA, 5V 150MHz
NSBC143EPDXV6T1 onsemi NSBC143EPDXV6T1 -
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 ECAD 6774 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBC143 500MW SOT-563 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 15 @ 5MA, 10V - 4.7 kohms 4.7 kohms
NTP75N03R onsemi NTP75N03R -
RFQ
 ECAD 8218 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP75N Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTP75N03ROS EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 25 V 9.7a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 13.2 NC @ 5 V ± 20V 1333 pf @ 20 V - 1.25W (TA), 74.4W (TC)
MMDF3N04HDR2 onsemi MMDF3N04HDR2 -
RFQ
 ECAD 1436 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mmdf3 Mosfet (Óxido de metal) 1.39W 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 3.4a 80mohm @ 3.4a, 10v 3V @ 250 µA 28NC @ 10V 900pf @ 32V Puerta de Nivel Lógico
FCP190N60-GF102 onsemi FCP190N60-GF102 2.9200
RFQ
 ECAD 777 0.00000000 onde Superfet® II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FCP190 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 20.2a (TC) 10V 199mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 250 µA 74 NC @ 10 V ± 20V 2950 pf @ 25 V - 208W (TC)
FQPF9N25CT onsemi FQPF9N25CT -
RFQ
 ECAD 7110 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF9 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2832-FQPF9N25CT-488 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 8.8a (TC) 10V 430mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 710 pf @ 25 V - 38W (TC)
BC81716MTF onsemi BC81716MTF -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 800 Ma 100na NPN 700mv @ 50 mm, 500 mA 110 @ 100mA, 1V 100MHz
NSVDTC144EM3T5G onsemi Nsvdtc144em3t5g 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 NSVDTC144 260 MW Sot-723 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 47 kohms 47 kohms
2N3904RLRAG onsemi 2n3904rlrag -
RFQ
 ECAD 5291 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2N3904 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 200 MA - NPN 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
2N5401_D10Z onsemi 2N5401_D10Z -
RFQ
 ECAD 5497 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5401 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 150 V 600 mA 50NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 400MHz
BD437TG onsemi Bd437tg 0.9200
RFQ
 ECAD 906 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD437 36 W A-126 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 45 V 4 A 100 µA (ICBO) NPN 800mv @ 300mA, 3A 85 @ 500mA, 1V 3MHz
NTMFS4941NT1G onsemi Ntmfs4941nt1g -
RFQ
 ECAD 3363 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto NTMFS4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500
NTMFD4C86NT1G onsemi Ntmfd4c86nt1g -
RFQ
 ECAD 3582 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Ntmfd4 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-DFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 11.3a, 18.1a 5.4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 22.2NC @ 10V 1153pf @ 15V -
FQU3N60CTU onsemi FQU3N60CTU -
RFQ
 ECAD 7543 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU3 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2156-FQU3N60CTU EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 600 V 2.4a (TC) 10V 3.4ohm @ 1.2a, 10v 4V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 30V 565 pf @ 25 V - 50W (TC)
FDS8928A onsemi FDS8928A -
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS89 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 Vecino del canal 30V, 20V 5.5a, 4a 30mohm @ 5.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 28NC @ 4.5V 900pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQPF7N10L onsemi Fqpf7n10l -
RFQ
 ECAD 9568 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 5.5a (TC) 5V, 10V 350mohm @ 2.75a, 10v 2V @ 250 µA 6 NC @ 5 V ± 20V 290 pf @ 25 V - 23W (TC)
FDPF7N60NZ onsemi FDPF7N60NZ 1.5300
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 onde Unifet-ii ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 6.5a (TC) 10V 1.25ohm @ 3.25a, ​​10V 5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 730 pf @ 25 V - 33W (TC)
FGA50T65SHD-01 onsemi FGA50T65SHD-01 -
RFQ
 ECAD 4837 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Estándar 319 W Un 3pn - Alcanzar sin afectado 488-FGA50T65SHD-01 EAR99 8541.29.0095 1 400V, 50a, 6ohm, 15V 34.6 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 100 A 150 A 2.1V @ 15V, 50A 1.28mj (Encendido), 384 µJ (apagado) 87 NC 22.4ns/73.6ns
NTTD4401FR2 onsemi NTTD4401FR2 -
RFQ
 ECAD 8763 0.00000000 onde Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) NTTD44 Mosfet (Óxido de metal) 8-MSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 20 V 2.4a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.3a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 18 NC @ 4.5 V ± 10V 750 pf @ 16 V Diodo Schottky (Aislado) 780MW (TA)
CPH3348-TL-E onsemi CPH3348-TL-E -
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 CPH334 Mosfet (Óxido de metal) 3-cph descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 3a (TA) 1.8V, 4.5V 70mohm @ 1.5a, 4.5V - 5.6 NC @ 4.5 V ± 10V 405 pf @ 6 V - 1W (TA)
MUN5332DW1T1G onsemi MUN5332DW1T1G 0.3500
RFQ
 ECAD 404 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Mun53 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 15 @ 5MA, 10V - 4.7 kohms 4.7 kohms
NSS40300DDR2 onsemi NS40300DDR2 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 2.500
FDC6321C onsemi FDC6321C 0.6400
RFQ
 ECAD 4599 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC6321 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 25V 680mA, 460MA 450mohm @ 500 mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 2.3nc @ 5V 50pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDR4420A onsemi FDR4420A -
RFQ
 ECAD 2105 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-LSOP (0.130 ", 3.30 mm de ancho) FDR44 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 11a, 10v 3V @ 250 µA 33 NC @ 5 V ± 20V 2560 pf @ 15 V - 1.8w (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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