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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BSR18B onsemi BSR18B -
RFQ
 ECAD 1937 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSR18 230 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 40 V 200 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 110 @ 10mA, 1V -
SBCW33LT1G onsemi Sbcw33lt1g 0.0693
RFQ
 ECAD 2979 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SBCW33 300 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 32 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500 µA, 10 mA 420 @ 2mA, 5V -
2N5086TF onsemi 2N5086TF -
RFQ
 ECAD 6637 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5086 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 mA 50NA PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 150 @ 100 µA, 5V 40MHz
FQAF19N20L onsemi FQAF19N20L -
RFQ
 ECAD 9837 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FQAF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 200 V 16a (TC) 5V, 10V 140mohm @ 8a, 10v 2V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 85W (TC)
BD441STU onsemi Bd441stu -
RFQ
 ECAD 1634 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD441 36 W A-126-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 80 V 4 A 100 µA NPN 800mv @ 200MA, 2A 40 @ 500mA, 1V 3MHz
BC307ABU onsemi Bc307abu -
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC307 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 120 @ 2mA, 5V 130MHz
NDD60N360U1T4G onsemi NDD60N360U1T4G -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NDD60 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 11a (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 25V 790 pf @ 50 V - 114W (TC)
MJ21193G onsemi Mj21193g 8.2000
RFQ
 ECAD 549 0.00000000 onde - Banda Activo -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 MJ21193 250 W TO-204 (TO-3) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MJ21193GOS EAR99 8541.29.0095 100 250 V 16 A 100 µA PNP 4V @ 3.2a, 16a 25 @ 8a, 5v 4MHz
BC307BU onsemi Bc307bu -
RFQ
 ECAD 3600 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC307 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA PNP 500mv @ 5 mm, 100 mapa 120 @ 2mA, 5V 130MHz
NTMFS4C302NT1G onsemi NTMFS4C302NT1G 2.6600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 41a (TA), 230A (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 82 NC @ 10 V ± 20V 5780 pf @ 15 V - 3.13W (TA), 96W (TC)
MPS751G onsemi MPS751G -
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPS751 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 60 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200MA, 2a 75 @ 1a, 2v 75MHz
MUN5237DW1T1 onsemi MUN5237DW1T1 -
RFQ
 ECAD 2892 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MUN52 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50V 100mA 500NA 2 NPN - Precializado (dual) 250 MV a 5 mm, 10 Ma 80 @ 5 MMA, 10V - 47 kohms 22 kohms
NVC6S5A444NLZT1G onsemi Nvc6s5a444nlzt1g -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 NVC6S5 Mosfet (Óxido de metal) 6-cph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 3.5a (TA) 4.5V, 10V 78mohm @ 2a, 10v 2.6V @ 1MA 10 NC @ 10 V ± 20V 505 pf @ 20 V - 970MW (TA)
MCH6320-TL-E onsemi MCH6320-TL-E -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH63 Mosfet (Óxido de metal) 6 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 12 V 3.5a (TA) 1.8V, 4.5V 70mohm @ 1.5a, 4.5V 1.4V @ 1MA 5.6 NC @ 4.5 V ± 10V 405 pf @ 6 V - 1.5W (TA)
MTP1N60E onsemi MTP1N60E 0.3400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1
NTHL095N65S3HF onsemi NTHL095N65S3HF -
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 onde FRFET®, Superfet® III Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NTHL095 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 36A (TC) 10V 95mohm @ 18a, 10v 5V @ 860 µA 66 NC @ 10 V ± 30V 2930 pf @ 400 V - 272W (TC)
MUN2215T1 onsemi Mun2215t1 0.0200
RFQ
 ECAD 309 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto Mun22 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
MMBT2369LT3G onsemi Mmbt2369lt3g -
RFQ
 ECAD 6385 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2369 225 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 15 V 200 MA 400NA NPN 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma 40 @ 10mA, 350mv -
MMUN2136LT1G onsemi Mmun2136lt1g 0.0265
RFQ
 ECAD 8028 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmun2136 246 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-mmun2136lt1gtr EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 100 kohms 100 kohms
MDC3237T1 onsemi MDC3237T1 0.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0075 3.000
EFC6604R-A-TR onsemi EFC6604R-A-TR -
RFQ
 ECAD 2060 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfbga EFC6604 - 6-EFCP (1.9x1.46) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 - - - - - -
MMBT2369ALT1 onsemi Mmbt2369alt1 -
RFQ
 ECAD 7520 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto MMBT2369 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
PN200_D26Z onsemi PN200_D26Z -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN200 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 500 mA 50NA PNP 400mv @ 20 mm, 200 mA 100 @ 150mA, 1V 250MHz
MCH3481-TL-H onsemi MCH3481-TL-H -
RFQ
 ECAD 9394 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos MCH3481 Mosfet (Óxido de metal) SC-70FL/MCPH3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2a (TA) 1.2V, 4.5V 104mohm @ 1a, 4.5V - 2.9 NC @ 4.5 V ± 9V 175 pf @ 10 V - 800MW (TA)
FQA62N25C onsemi FQA62N25C -
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA62 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 250 V 62a (TC) 10V 35mohm @ 31a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 30V 6280 pf @ 25 V - 298W (TC)
NZT660 onsemi NZT660 0.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NZT66 2 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 60 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 550mv @ 300mA, 3A 100 @ 500mA, 2V 75MHz
NTMYS4D5N04CTWG onsemi Ntmys4d5n04ctwg 1.5838
RFQ
 ECAD 7321 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-1023, 4-LFPAK NTMYS4 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK4 (5x6) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 20A (TA), 80a (TC) 10V 4.5mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 50 µA 18 NC @ 10 V 20V 1150 pf @ 25 V - 3.6W (TA), 55W (TC)
BC560BU onsemi Bc560bu -
RFQ
 ECAD 1526 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC560 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 110 @ 2mA, 5V 150MHz
FDD2670 onsemi FDD2670 1.8600
RFQ
 ECAD 5189 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD267 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 3.6a (TA) 10V 130mohm @ 3.6a, 10v 4.5V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 1228 pf @ 100 V - 3.2W (TA), 70W (TC)
2SB1204T-E onsemi 2SB1204T-E 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SB1204 1 W TP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 50 V 8 A 1 µA (ICBO) PNP 500mV @ 200MA, 4A 200 @ 500mA, 2V 130MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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