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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
FCPF260N60E-F152 onsemi FCPF260N60E-F152 -
RFQ
 ECAD 7741 0.00000000 onde Superfet® II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF260 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 15A (TC) 260mohm @ 7.5a, 10v 3.5V @ 250 µA 62 NC @ 10 V 2500 pf @ 25 V - 36W (TC)
BC32816BU onsemi Bc32816bu -
RFQ
 ECAD 5462 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC328 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 25 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
2N5088TFR onsemi 2N5088TFR -
RFQ
 ECAD 1548 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5088 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 300 @ 100 µA, 5V 50MHz
FCU600N65S3R0 onsemi FCU600N65S3R0 1.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Superfet® III Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak FCU600 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 650 V 6a (TC) 10V 600mohm @ 3a, 10v 4.5V @ 600 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 465 pf @ 400 V - 54W (TC)
CPH5504-TL-E onsemi CPH5504-TL-E 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 CPH5504 1.2w 5-cph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 50V 3A 1 µA (ICBO) 2 NPN (dual) 210mv @ 100 mm, 2a 200 @ 100 mapa, 2v 380MHz
NTMFD4C86NT1G onsemi Ntmfd4c86nt1g -
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 ECAD 3582 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Ntmfd4 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-DFN (5x6) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 11.3a, 18.1a 5.4mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 22.2NC @ 10V 1153pf @ 15V -
FDD8896 onsemi FDD8896 1.0500
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD889 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 17A (TA), 94A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10v 2.5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 20V 2525 pf @ 15 V - 80W (TC)
MUN2234T1 onsemi Mun2234t1 0.0200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto MUN2234 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000
NTF3055-100T1G onsemi NTF3055-100T1G 0.9400
RFQ
 ECAD 6546 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NTF3055 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 3a (TA) 10V 110mohm @ 1.5a, 10v 4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 455 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
BUL44G onsemi Bul44g -
RFQ
 ECAD 7694 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Bul44 50 W Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 2 A 100 µA NPN 600mv @ 200 MMA, 1A 14 @ 200Ma, 5V 13MHz
BC638BU onsemi Bc638bu -
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC638 1 W Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
PN3640 onsemi PN3640 -
RFQ
 ECAD 3738 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN364 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado PN3640-NDR EAR99 8541.21.0075 2,000 12 V 200 MA 10NA PNP 600mv @ 5 mm, 50 Ma 30 @ 10 Mapa, 300mv 500MHz
KSA708OTA onsemi KSA708OTA -
RFQ
 ECAD 6793 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSA708 800 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 700 Ma 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 70 @ 50 mm, 2v 50MHz
FCH125N65S3R0-F155 onsemi FCH125N65S3R0-F155 7.0000
RFQ
 ECAD 255 0.00000000 onde Superfet® III Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FCH125 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10v 4.5V @ 2.4MA 46 NC @ 10 V ± 30V 1940 pf @ 400 V - 181W (TC)
KSP8098CBU onsemi KSP8098CBU -
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP80 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 60 V 500 mA 100na NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
2SC5227A-5-TB-E onsemi 2SC5227A-5-TB-E 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC5227 200MW 3-CP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12dB 10V 70 Ma NPN 135 @ 20MA, 5V 7GHz 1db @ 1ghz
MMFT5P03HDT1 onsemi Mmft5p03hdt1 -
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mmft5p Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Mmft5p03hdt1os EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 30 V 3.7a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 5.2a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
2SD1060S-1EX onsemi 2SD1060S-1EX -
RFQ
 ECAD 5825 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2SD1060 1.75 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 50 V 5 A 100 µA (ICBO) NPN 300mv @ 300mA, 3A 140 @ 1a, 2v 30MHz
SMUN5114T3G onsemi Smun5114t3g 0.0440
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Smun5114 202 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 10 kohms 47 kohms
NVMFS003P03P8ZT1G onsemi NVMFS003P03P8ZT1G 2.5300
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 Canal P 30 V 35.7a (TA), 234a (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 23a, 10v 3V @ 250 µA 167 NC @ 4.5 V ± 25V 12120 pf @ 15 V - 3.9W (TA), 168.7W (TC)
BD13810S onsemi BD13810S -
RFQ
 ECAD 7152 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD138 1.25 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 250 60 V 1.5 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V -
FDS5680 onsemi FDS5680 1.4900
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Fds56 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 8a (TA) 6V, 10V 20mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1850 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
NTJD2152PT2G onsemi NTJD2152PT2G -
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NTJD21 Mosfet (Óxido de metal) 270MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 8V 775mA 300mohm @ 570 mA, 4.5V 1V @ 250 µA 4NC @ 4.5V 225pf @ 8V Puerta de Nivel Lógico
2SA1773E-TL-E onsemi 2SA1773E-TL-E -
RFQ
 ECAD 1091 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-2SA1773E-TL-E-488 1
MJD127RLG onsemi Mjd127rlg -
RFQ
 ECAD 2314 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD127 1.75 W Dpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 100 V 8 A 10 µA PNP - Darlington 4V @ 80MA, 8A 1000 @ 4a, 4V 4MHz
NJVMJD148T4G-VF01 onsemi Njvmjd148t4g-vf01 -
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Njvmjd148 1.75 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 45 V 4 A 20 µA (ICBO) NPN 500mv @ 200MA, 2a 85 @ 500mA, 1V 3MHz
FQH18N50V2 onsemi FQH18N50V2 -
RFQ
 ECAD 3851 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Fqh1 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 N-canal 500 V 20A (TC) 10V 265mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 30V 3290 pf @ 25 V - 277W (TC)
FQB2N30TM onsemi Fqb2n30tm -
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB2 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 300 V 2.1a (TC) 10V 3.7ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250 µA 5 NC @ 10 V ± 30V 130 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 40W (TC)
KSP2907ACBU onsemi Ksp2907acbu -
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP29 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 60 V 600 mA 10NA (ICBO) PNP 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
KSP6521BU onsemi Ksp6521bu -
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP65 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 25 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 300 @ 2mA, 10V -
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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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