- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (17799)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KSC5020O | - |  | 9039 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | KSC5020 | 40 W | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 500 V | 3 A | 10 µA (ICBO) | NPN | 1V @ 300mA, 1.5a | 20 @ 300mA, 5V | 18mhz | |||||||||||||||||||||||||||
 | FQPF2P25 | - | | 9512 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FQPF2 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 250 V | 1.8a (TC) | 10V | 4ohm @ 900 mA, 10V | 5V @ 250 µA | 8.5 NC @ 10 V | ± 30V | 250 pf @ 25 V | - | 32W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | SGR2N60UFDTF | - | | 5237 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SGR2N | Estándar | 25 W | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 300V, 1.2a, 200ohm, 15V | - | 600 V | 2.4 A | 10 A | 2.6V @ 15V, 1.2a | 30 µJ (Encendido), 13 µJ (apaguado) | 9 NC | 15ns/80ns | ||||||||||||||||||||||||
 | Fqi3n40tu | - | | 7708 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Fqi3 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 2.5A (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1.25a, 10V | 5V @ 250 µA | 7.5 NC @ 10 V | ± 30V | 230 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| FQPF630 | 1.4100 | | 14 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Fqpf6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 6.3a (TC) | 10V | 400mohm @ 3.15a, 10V | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 25V | 550 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| RFD14N05SM9A | 0.8900 | | 2 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RFD14N05 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 50 V | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 20 V | ± 20V | 570 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| KSA614R | - | | 5135 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | KSA614 | 25 W | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 200 | 55 V | 3 A | 50 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mm, 1a | 40 @ 500mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | Fqu4n25tu | - | | 3767 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | FQU4 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 250 V | 3A (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 5.6 NC @ 10 V | ± 30V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | USB10H | - | | 4012 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | USB10 | Mosfet (Óxido de metal) | 700MW | Supersot ™ -6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1.9a | 170mohm @ 1.9a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 4.2NC @ 4.5V | 441pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||
| Fqd13n10tf | - | | 1093 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | FQD1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 10a (TC) | 10V | 180mohm @ 5a, 10v | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 25V | 450 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| RFD3055 | - | | 3968 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | RFD30 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 10V | 150mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 20 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Fjp3305h2tu | 1.4300 | | 1 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FJP3305 | 75 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 V | 4 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 1v @ 1a, 4a | 26 @ 1a, 5v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Fqi13n06ltu | - | | 2366 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Fqi1 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 13.6a (TC) | 5V, 10V | 110mohm @ 6.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 6.4 NC @ 5 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Sgs6n60uftu | - | | 3557 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Sgs6n | Estándar | 22 W | Un 220F-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 3a, 80ohm, 15V | - | 600 V | 6 A | 25 A | 2.6V @ 15V, 3a | 57 µJ (Encendido), 25 µJ (apaguado) | 15 NC | 15ns/60ns | ||||||||||||||||||||||||
| Fqd9n25tm | - | | 5112 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | FQD9N25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 250 V | 7.4a (TC) | 10V | 420mohm @ 3.7a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 700 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Fjp555555tu | 1.1300 | | 975 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | FJP5555 | 75 W | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400 V | 5 A | - | NPN | 1.5V @ 1a, 3.5a | 20 @ 800mA, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| Fqpf6n40ct | - | | 2217 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Fqpf6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 400 V | 6a (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 625 pf @ 25 V | - | 38W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Fqu6p25tu | - | | 6923 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | FQU6 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 70 | Canal P | 250 V | 4.7a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.35a, 10v | 5V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 30V | 780 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 55W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | J270_D27Z | - | | 1698 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | J270 | 350 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | - | 30 V | 2 Ma @ 15 V | 500 MV @ 1 Na | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FDZ201N | - | | 7661 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 12-WFBGA | FDZ20 | Mosfet (Óxido de metal) | 12-BGA (2x2.5) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 18mohm @ 9a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 12V | 1127 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
| HUF75333P3 | - | | 6549 | 0.00000000 | onde | UltraFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | HUF75 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 55 V | 66a (TC) | 10V | 16mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250 µA | 85 NC @ 20 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Sgp5n60rufdtu | - | | 3426 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sgp5n | Estándar | 60 W | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 5A, 40OHM, 15V | 55 ns | - | 600 V | 8 A | 15 A | 2.8V @ 15V, 5A | 88 µJ (Encendido), 107 µJ (apaguado) | 16 NC | 13ns/34ns | |||||||||||||||||||||||
| Fqpf13n50csdtu | - | | 3674 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FQPF1 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N-canal | 500 V | 13a (TC) | 10V | 480mohm @ 6.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 30V | 2055 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Sgs13n60ufdtu | - | | 5403 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SGS13 | Estándar | 45 W | Un 220F-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V, 6.5a, 50ohm, 15V | 55 ns | - | 600 V | 13 A | 52 A | 2.6V @ 15V, 6.5a | 85 µJ (Encendido), 95 µJ (apaguado) | 25 NC | 20ns/70ns | |||||||||||||||||||||||
 | Fqb2n60tm | - | | 7003 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FQB2 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 2.4a (TC) | 10V | 4.7ohm @ 1.2a, 10v | 5V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 64W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| FQPF44N08 | - | | 1838 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Fqpf4 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 80 V | 25A (TC) | 10V | 34mohm @ 12.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 25V | 1430 pf @ 25 V | - | 41W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| FQP44N08 | - | | 6825 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Fqp4 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 80 V | 44a (TC) | 10V | 34mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 25V | 1430 pf @ 25 V | - | 127W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| FQB50N06TM | - | | 2763 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FQB50N06 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 22mohm @ 25A, 10V | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 25V | 1540 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| Fqi3n90tu | - | | 9599 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Fqi3 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak (TO-262) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 900 V | 3.6a (TC) | 10V | 4.25ohm @ 1.8a, 10V | 5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 30V | 910 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| FQB7N20TM | - | | 1919 | 0.00000000 | onde | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | FQB7 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 6.6a (TC) | 10V | 690mohm @ 3.3a, 10v | 5V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 30V | 400 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 63W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)