SIC
close

Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NVB5860NT4G onsemi Nvb5860nt4g -
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NVB586 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 220a (TC) 10V 3mohm @ 75a, 10V 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 20V 10760 pf @ 25 V - 283W (TC)
NDPL100N10BG onsemi NDPL100N10BG -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NDPL10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 100A (TA) 10V, 15V 7.2mohm @ 50A, 15V 4V @ 1MA 35 NC @ 10 V ± 20V 2950 pf @ 50 V - 2.1W (TA), 110W (TC)
NTD60N02R-1G onsemi NTD60N02R-1G -
RFQ
 ECAD 2064 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD60 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 8.5a (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 20V 1330 pf @ 20 V - 1.25W (TA), 58W (TC)
BSP52T3G onsemi Bsp52t3g 0.4900
RFQ
 ECAD 1992 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BSP52 800 MW SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 80 V 1 A 10 µA NPN - Darlington 1.3V @ 500 µA, 500 mA 2000 @ 500mA, 10V -
NDP6020P onsemi NDP6020P -
RFQ
 ECAD 5297 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NDP602 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2156-NDP6020P-OS EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 20 V 24a (TC) 4.5V 50mohm @ 12a, 4.5V 1V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 8V 1590 pf @ 10 V - 60W (TC)
HUF76639S3S onsemi HUF76639S3S -
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUF76 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 51a (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 51a, 10v 3V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 16V 2400 pf @ 25 V - 180W (TC)
FDPF12N60NZ onsemi FDPF12N60NZ 2.4000
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 onde Unifet-ii ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 650mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 1676 pf @ 25 V - 39W (TC)
NTMD2C02R2 onsemi NTMD2C02R2 -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMD2C Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTMD2C02R2OS EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 20V 5.2a, 3.4a 43mohm @ 4a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 20NC @ 4.5V 1100pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDD1600N10ALZD onsemi Fdd1600n10alzd -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-5, DPAK (4 cables + Pestaña), TO-252Ad FDD160 Mosfet (Óxido de metal) TO-252 (DPAK) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 6.8a (TC) 5V, 10V 160mohm @ 3.4a, 10v 2.8V @ 250 µA 3.61 NC @ 10 V ± 20V 225 pf @ 50 V - 14.9W (TC)
FDMS10C4D2N onsemi FDMS10C4D2N 3.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS10 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 17a (TC) 6V, 10V 4.2mohm @ 44a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 50 V - 125W (TC)
2SK3557-6-TB-E onsemi 2SK3557-6-TB-E 0.5100
RFQ
 ECAD 8684 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 15 V Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SK3557 - Jfet 3-CP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50mera 1 MA 200MW - 1dB 5 V
FDW9926NZ onsemi Fdw9926nz -
RFQ
 ECAD 3481 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) FDW99 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-TSOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 4.5a 32mohm @ 4.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 8NC @ 4.5V 600pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FQA10N80C onsemi FQA10N80C -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 800 V 10a (TC) 10V 1.1ohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 30V 2800 pf @ 25 V - 240W (TC)
FQU9N25TU onsemi FQU9N25TU -
RFQ
 ECAD 9077 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU9N25 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 N-canal 250 V 7.4a (TC) 10V 420mohm @ 3.7a, 10V 5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 700 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 55W (TC)
NTF3055L108T1G onsemi NTF3055L108T1G 0.9000
RFQ
 ECAD 2204 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NTF3055 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 3a (TA) 5V 120mohm @ 1.5a, 5V 2V @ 250 µA 15 NC @ 5 V ± 15V 440 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
FDS6680AS onsemi Fds6680as -
RFQ
 ECAD 8885 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FDS6680 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11.5a (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 1MA 30 NC @ 10 V ± 20V 1240 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
VN2222LLRLRAG onsemi Vn2222llrlrag -
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) VN2222 Mosfet (Óxido de metal) TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 150MA (TA) 10V 7.5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 60 pf @ 25 V - 400MW (TA)
FQI10N20CTU onsemi Fqi10n20ctu -
RFQ
 ECAD 8375 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi1 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 9.5A (TC) 10V 360mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 72W (TC)
FQB7N10LTM onsemi FQB7N10LTM -
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB7 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 100 V 7.3a (TC) 5V, 10V 350mohm @ 3.65a, 10V 2V @ 250 µA 6 NC @ 5 V ± 20V 290 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 40W (TC)
FCMT125N65S3 onsemi FCMT125N65S3 6.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde Superfet® III Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-Powertsfn FCMT125 Mosfet (Óxido de metal) 4-PQFN (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 24a (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10v 4.5V @ 590 µA 49 NC @ 10 V ± 30V 1920 pf @ 400 V - 181W (TC)
NTD4858NAT4G onsemi Ntd4858nat4g -
RFQ
 ECAD 6711 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD48 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 11.2a (TA), 73A (TC) 6.2mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 19.2 NC @ 4.5 V 1563 pf @ 12 V - 1.3W (TA), 54.5W (TC)
DTA114YET1G onsemi Dta114yet1g 0.1700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-75, SOT-416 Dta114 200 MW SC-75, SOT-416 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 10 kohms 47 kohms
2N5486_D27Z onsemi 2N5486_D27Z -
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 25 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5486 400MHz Jfet Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 N-canal 20 Ma - - 4db 15 V
FQU10N20TU onsemi Fqu10n20tu -
RFQ
 ECAD 8721 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU1 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 200 V 7.6a (TC) 10V 360mohm @ 3.8a, 10V 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 51W (TC)
FW274-TL-E onsemi FW274-TL-E -
RFQ
 ECAD 9436 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FW274 Mosfet (Óxido de metal) 2.2W 8-SOP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 2 Canal N (Dual) 30V 6A 37mohm @ 6a, 10v 2.6V @ 1MA 9.1NC @ 10V 490pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
NTP5411NG onsemi Ntp5411ng -
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NTP541 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 10mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 4500 pf @ 25 V - 166W (TC)
FDMC86160 onsemi FDMC86160 2.5100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC86 Mosfet (Óxido de metal) Power33 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 9A (TA), 43A (TC) 6V, 10V 14mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1290 pf @ 50 V - 2.3W (TA), 54W (TC)
NTB65N02RT4 onsemi NTB65N02RT4 -
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB65 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTB65N02RT4OSTR EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 25 V 65a (TC) 4.5V, 10V 8.2mohm @ 30a, 10v 2V @ 250 µA 9.5 NC @ 4.5 V ± 20V 1330 pf @ 20 V - 1.04W (TA), 62.5W (TC)
NVMFS5C426NAFT3G onsemi Nvmfs5c426naft3g 1.4681
RFQ
 ECAD 5211 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 41a (TA), 235a (TC) 10V 1.3mohm @ 50A, 10V 3.5V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 128W (TC)
SS9013FTF onsemi SS9013ftf -
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales SS9013 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 20 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 50 mA, 500 mA 78 @ 50mA, 1V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar