SIC
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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IRLR230ATF onsemi IRLR230ATF -
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR23 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 200 V 7.5a (TC) 5V 400mohm @ 3.75a, 5V 2V @ 250 µA 27 NC @ 5 V ± 20V 755 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 48W (TC)
NTD4913N-1G onsemi NTD4913N-1G -
RFQ
 ECAD 2366 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD49 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 7.7a (TA), 32a (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 30a, 10v 2.2V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 1013 pf @ 15 V - 1.36W (TA), 24W (TC)
NTTFS4C13NTWG onsemi Nttfs4c13ntwg -
RFQ
 ECAD 3651 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS4 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 30a, 10v 2.1V @ 250 µA 7.8 NC @ 4.5 V ± 20V 770 pf @ 15 V - 780MW (TA), 21.5W (TC)
NTMFS4C08NAT1G onsemi NTMFS4C08NAT1G 0.5915
RFQ
 ECAD 9424 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 16.4a (TA), 52a (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 18a, 10v 2.1V @ 250 µA 18.2 NC @ 10 V ± 20V 1670 pf @ 15 V - 2.51W (TA), 25.5W (TC)
MTB55N06Z onsemi MTB55N06Z 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1
NVMFS6B03NT3G onsemi Nvmfs6b03nt3g -
RFQ
 ECAD 4918 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NVMFS6 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 145A (TC) 10V 4.8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 16V 4200 pf @ 50 V - 3.9W (TA), 198W (TC)
NTD3808NT4G onsemi Ntd3808nt4g -
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 NTD38 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 16 V 12A (TA), 76A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 21 NC @ 4.5 V ± 16V 1660 pf @ 12 V - 1.3W (TA), 52W (TC)
FDP20N50 onsemi FDP20N50 -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FDP20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 20A (TC) 10V 230mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 59.5 NC @ 10 V ± 30V 3120 pf @ 25 V - 250W (TC)
IRFU220_R4941 onsemi IRFU220_R4941 -
RFQ
 ECAD 9888 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Irfu2 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 200 V 4.6a (TC) 10V 800mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 25 V - 50W (TC)
FQPF4N60 onsemi FQPF4N60 -
RFQ
 ECAD 6922 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Fqpf4 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 2.6a (TC) 10V 2.2ohm @ 1.3a, 10v 5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 670 pf @ 25 V - 36W (TC)
BBL4001-1E onsemi BBL4001-1E -
RFQ
 ECAD 2107 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero BBL4001 Mosfet (Óxido de metal) TO20-3 FullPack/TO220F-3SG descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 74a (TA) 4V, 10V 6.1mohm @ 37a, 10v 2.6V @ 1MA 135 NC @ 10 V ± 20V 6900 pf @ 20 V - 2W (TA), 35W (TC)
FDD4685TF_SB82135 onsemi FDD4685TF_SB82135 -
RFQ
 ECAD 8240 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD468 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 40 V 8.4a (TA), 32a (TC) 27mohm @ 8.4a, 10V 3V @ 250 µA 27 NC @ 5 V 2380 pf @ 20 V - -
KSB546O onsemi KSB546O -
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSB54 25 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 200 150 V 2 A 50 µA (ICBO) PNP 1V @ 50 Ma, 500 Ma 70 @ 400mA, 10V 5MHz
FQB5N15TM onsemi FQB5N15TM -
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB5 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 5.4a (TC) 10V 800mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 25V 230 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 54W (TC)
FDMT800120DC onsemi Fdmt800120dc 6.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onde Dual Cool ™, Perstrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn FDMT800120 Mosfet (Óxido de metal) 8-dual Cool ™ 88 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 120 V 20A (TA), 129A (TC) 6V, 10V 4.14mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 107 NC @ 10 V ± 20V 7850 pf @ 60 V - 3.2W (TA), 156W (TC)
MCH6604-TL-E onsemi MCH6604-TL-E -
RFQ
 ECAD 5040 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH6604 Mosfet (Óxido de metal) 800MW 6 mcph descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 250 Ma 7.8ohm @ 50 mm, 4V - 1.57nc @ 10V 6.6pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FW217A-TL-2W onsemi FW217A-TL-2W -
RFQ
 ECAD 1789 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FW217 Mosfet (Óxido de metal) 2.2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 35V 6A 39mohm @ 6a, 10v - 10nc @ 10V 470pf @ 20V Puerta de Nivel de Lógica, UNIDAD DE 4.5V
NVMFS5C410NLWFAFT1G onsemi NVMFS5C410NLWFAFT1G 4.4500
RFQ
 ECAD 8995 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 50A (TA), 330A (TC) 4.5V, 10V 0.82mohm @ 50A, 10V 2V @ 250 µA 143 NC @ 10 V ± 20V 8862 pf @ 25 V - 3.8W (TA), 167W (TC)
NTJS4151PT1G onsemi NTJS4151PT1G 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 NTJS4151 Mosfet (Óxido de metal) SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3.3a (TA) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 3.3a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 12V 850 pf @ 10 V - 1W (TA)
FQP65N06 onsemi FQP65N06 2.4400
RFQ
 ECAD 5321 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FQP65 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 65a (TC) 10V 16mohm @ 32.5a, 10V 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 25V 2410 pf @ 25 V - 150W (TC)
NVTFS5C454NLWFTAG onsemi Nvtfs5c454nlwftag 1.6200
RFQ
 ECAD 6907 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs5 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 85A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 20a, 10v 2.2V @ 250 µA 8.2 NC @ 4.5 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 55W (TC)
FDB86363-F085 onsemi FDB86363-F085 4.9600
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FDB86363 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 80 V 110A (TC) 10V 2.4mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 10000 pf @ 40 V - 300W (TC)
NTMFS4H013NFT3G onsemi Ntmfs4h013nft3g -
RFQ
 ECAD 4256 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 25 V 43a (TA), 269a (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 3923 pf @ 12 V - 2.7W (TA), 104W (TC)
NTMC1300R2 onsemi NTMC1300R2 -
RFQ
 ECAD 4358 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMC13 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 2.2a, 1.8a 90mohm @ 3a, 10v 2.2V @ 250 µA 5NC @ 4.5V 300pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
NSV1C200MZ4T1G onsemi NSV1C200MZ4T1G 0.6600
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NSV1C200 800 MW SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 100 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 220MV @ 200MA, 2A 120 @ 500mA, 2V 120MHz
FDD6296 onsemi FDD6296 -
RFQ
 ECAD 6997 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD629 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 15A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10v 3V @ 250 µA 31.5 NC @ 10 V ± 20V 1440 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 52W (TC)
NDD60N550U1-1G onsemi NDD60N550U1-1G -
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NDD60 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 8.2a (TC) 10V 550mohm @ 4a, 10v 4V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 25V 540 pf @ 50 V - 94W (TC)
NDB4050 onsemi NDB4050 -
RFQ
 ECAD 7568 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NDB405 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 50 V 15A (TC) 10V 100mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 450 pf @ 25 V - 50W (TC)
NTD24N06-001 onsemi NTD24N06-001 -
RFQ
 ECAD 3530 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD24 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 24a (TA) 10V 42mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 1200 pf @ 25 V - 1.36W (TA), 62.5W (TJ)
2SJ661-1E onsemi 2SJ661-1E -
RFQ
 ECAD 7597 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA 2SJ661 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 38a (TA) 4V, 10V 39mohm @ 19a, 10v - 80 NC @ 10 V ± 20V 4360 pf @ 20 V - 1.65W (TA), 65W (TC)
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    2000+

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  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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