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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
NSBC114EPDXVT1G onsemi NSBC114EPDXVT1G 0.0500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onde * Una granela Activo NSBC114 - No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 4.000
NTGD4167CT1G onsemi Ntgd4167ct1g 0.6700
RFQ
 ECAD 949 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 NTGD4167 Mosfet (Óxido de metal) 900MW 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 30V 2.6a, 1.9a 90mohm @ 2.6a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 5.5nc @ 4.5V 295pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
NSBA124EF3T5G onsemi NSBA124EF3T5G 0.5800
RFQ
 ECAD 8721 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-1123 NSBA124 254 MW SOT-1123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 60 @ 5 mm, 10v 22 kohms 22 kohms
KSD261GBU onsemi Ksd261gbu -
RFQ
 ECAD 8464 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSD261 500 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 20 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mA, 500 mA 200 @ 100 mapa, 1v -
50C02MH-TL-E onsemi 50C02MH-TL-E 0.3700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Plano Plano 50C02 600 MW 3 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 100mv @ 10mA, 100 mA 300 @ 10mA, 2V 500MHz
FQA9P25 onsemi FQA9P25 2.9000
RFQ
 ECAD 901 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA9 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 Canal P 250 V 10.5a (TC) 10V 620mohm @ 5.25a, 10V 5V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 30V 1180 pf @ 25 V - 150W (TC)
IRFW630BTM-FP001 onsemi IRFW630BTM-FP001 -
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFW630 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 9A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 720 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 72W (TC)
NTD2955-1G onsemi NTD2955-1G -
RFQ
 ECAD 1422 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD2955 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 Canal P 60 V 12a (TA) 10V 180mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 750 pf @ 25 V - 55W (TJ)
NDT3055L onsemi NDT3055L 0.8900
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NDT3055 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 4A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 4a, 10v 2V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 345 pf @ 25 V - 3W (TA)
2SC4027S-E onsemi 2SC4027S-E -
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SC4027 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 160 V 1.5 A 1 µA (ICBO) NPN 450mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 5v 120MHz
BDX34C onsemi Bdx34c -
RFQ
 ECAD 9107 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BDX34 70 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 10 A 500 µA PNP - Darlington 2.5V @ 6MA, 3A 750 @ 3a, 3V -
NJVNJD1718T4G onsemi Njvnjd1718t4g 0.3278
RFQ
 ECAD 5689 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Njvnjd1718 1.68 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 50 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 70 @ 500mA, 2V 80MHz
NSBC114YPDXV6T1 onsemi Nsbc114ypdxv6t1 -
RFQ
 ECAD 1582 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBC114 500MW SOT-563 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 10 kohms 47 kohms
KSC2982ATF onsemi KSC2982ATF -
RFQ
 ECAD 7659 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA KSC2982 500 MW SOT-89-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 4.000 10 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mm, 2a 140 @ 500mA, 1V 150MHz
FQT1N80TF-WS onsemi FQT1N80TF-WS 0.9700
RFQ
 ECAD 4846 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Un 261-3 Fqt1n80 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 800 V 200MA (TC) 10V 20ohm @ 100 mA, 10v 5V @ 250 µA 7.2 NC @ 10 V ± 30V 195 pf @ 25 V - 2.1W (TC)
BUH150 onsemi Buh150 -
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 onde Switchmode ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Buh15 150 W Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 700 V 15 A 100 µA NPN 5V @ 4a, 20a 8 @ 10a, 5v 23MHz
2N3906RLRAG onsemi 2n3906rlrag -
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2N3906 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
NTLGF3501NT1G onsemi NTLGF3501NT1G -
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 onde Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla NTLGF35 Mosfet (Óxido de metal) 6-DFN (3x3) descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 2.8a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.4a, 4.5V 2V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 12V 275 pf @ 10 V - 1.14W (TA)
PN2222A_J05Z onsemi PN22222AA_J05Z -
RFQ
 ECAD 8021 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2222 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1.500 40 V 1 A 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
2SC4614S-AN onsemi 2sc4614s-an -
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero SC-71 2SC4614 1 W 3-NMP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 160 V 1.5 A 1 µA (ICBO) NPN 450mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 5v 120MHz
2SC3503DSTU onsemi 2sc3503dstu -
RFQ
 ECAD 7280 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 2SC3503 7 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 60 300 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 2mA, 20 ma 60 @ 10mA, 10V 150MHz
SFU9220TU_F080 onsemi SFU9220TU_F080 -
RFQ
 ECAD 5732 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA SFU922 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 70 Canal P 200 V 3.1a (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 540 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 30W (TC)
TIP41BTU onsemi Tip41btu -
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP41 2 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 80 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
BC214LC_J35Z onsemi Bc214lc_j35z -
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC214 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 mA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 140 @ 2mA, 5V 200MHz
MSC2295-BT1G onsemi Msc2295-bt1g -
RFQ
 ECAD 8816 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MSC22 200MW SC-59 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 - 20V 30mera NPN 70 @ 1 MMA, 10V 150MHz -
NTB125N02RT4 onsemi NTB125N02RT4 -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto NTB12 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800
SS9014BBU onsemi Ss9014bbu -
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9014 450 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 45 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 270MHz
MJE182STU onsemi MJE182stu -
RFQ
 ECAD 1949 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 MJE182 1.5 W A-126-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2166-MJE182STU-488 EAR99 8541.29.0075 1.920 80 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 1.7V @ 600mA, 3A 50 @ 100 mapa, 1v 50MHz
BC327_J35Z onsemi BC327_J35Z -
RFQ
 ECAD 4860 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC327 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 45 V 800 Ma 100na PNP 700mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
15C01SS-TL-E onsemi 15C01SS-TL-E 0.4600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, planos de cables 15C01 200 MW 3-SSFP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 15 V 600 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 ma, 200 ma 300 @ 10mA, 2V 330MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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