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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
BC212L_J35Z onsemi BC212L_J35Z -
RFQ
 ECAD 2703 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC212 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 300 mA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 60 @ 2mA, 5V 200MHz
KSC388CTA onsemi Ksc388cta -
RFQ
 ECAD 1596 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC388 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 50 Ma 100NA (ICBO) NPN 200 MV @ 1.5mA, 15 Ma 20 @ 12.5mA, 12.5V 300MHz
FDD8451 onsemi FDD8451 1.1100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD845 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 9a (TA), 28a (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 990 pf @ 20 V - 30W (TC)
FQI11N40TU onsemi Fqi11n40tu -
RFQ
 ECAD 1266 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi1 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 11.4a (TC) 10V 480mohm @ 5.7a, 10V 5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 147W (TC)
FDS7064N onsemi Fds7064n -
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) FDS70 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO FLMP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 16a (TA) 4.5V 7.5mohm @ 16A, 4.5V 2V @ 250 µA 48 NC @ 4.5 V ± 12V 3355 pf @ 15 V - 3W (TA)
VEC2415-TL-W onsemi VEC2415-TL-W -
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Vec2415 Mosfet (Óxido de metal) 1W SOT-28FL/VEC8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 3A 80mohm @ 1.5a, 10V 2.6V @ 1MA 10nc @ 10V 505pf @ 20V Puerta de Nivel de Lógica, Unidad de 4V
FQP5P10 onsemi FQP5P10 -
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Fqp5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 4.5A (TC) 10V 1.05ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250 µA 8.2 NC @ 10 V ± 30V 250 pf @ 25 V - 40W (TC)
KSC2334RTU onsemi Ksc2334rtu -
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 KSC2334 1.5 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 100 V 7 A 10 µA (ICBO) NPN 600mv @ 500 Ma, 5a 40 @ 3a, 5v -
HUFA75842S3ST onsemi HUFA75842S3ST -
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 onde UltraFet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab HUFA75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 150 V 43a (TC) 10V 42mohm @ 43a, 10v 4V @ 250 µA 175 NC @ 20 V ± 20V 2730 pf @ 25 V - 230W (TC)
PN2484 onsemi PN2484 -
RFQ
 ECAD 1949 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN248 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado PN2484-NDR EAR99 8541.21.0095 2,000 60 V 100 mA 10NA (ICBO) NPN 350MV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 10 µA, 5V -
BCX79 onsemi BCX79 -
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) BCX79 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 45 V 500 mA 10NA PNP 600mv @ 2.5mA, 100 mA 80 @ 10mA, 1V -
STMFS5C609NLT1G onsemi Stmfs5c609nlt1g 4.3826
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo - - - Stmfs5 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 - - - - - - - -
FDC637ANNB5E023A onsemi FDC637Annb5E023A -
RFQ
 ECAD 7637 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto FDC637 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDC637Annb5E023ATR Obsoleto 3.000 -
NDS8426A onsemi NDS8426A -
RFQ
 ECAD 3734 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NDS842 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 10.5a (TA) 2.7V, 4.5V 13.5mohm @ 10.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 60 NC @ 4.5 V ± 8V 2150 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
FDMC7696 onsemi FDMC7696 1.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC76 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12a (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1430 pf @ 15 V - 2.4W (TA), 25W (TC)
2SD1207S onsemi 2SD1207S -
RFQ
 ECAD 2408 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2SD1207 1 W 3-MP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 50 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 50 mm, 1a 140 @ 100mA, 2V 150MHz
2SC2812N6-CPA-TB-E onsemi 2SC2812N6-CPA-TB-E -
RFQ
 ECAD 7594 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2812 200 MW 3-CP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 500mV @ 5 mm, 50 Ma 200 @ 1 MMA, 6V 100MHz
KSA1174FBU onsemi Ksa1174fbu -
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto KSA1174 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 120 V 50 Ma 1 µA PNP 300mv @ 1 mapa, 10 ma 300 @ 1 Mapa, 6V 100MHz
NVMFD5489NLWFT1G onsemi Nvmfd5489nlwft1g -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn Nvmfd5483 Mosfet (Óxido de metal) 3W 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 2 Canal N (Dual) 60V 4.5a 65mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 12.4nc @ 10V 330pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
SFT1342-TL-E onsemi SFT1342-TL-E -
RFQ
 ECAD 2636 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SFT134 Mosfet (Óxido de metal) DPAK/TP-FA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 12a (TA) 4V, 10V 62mohm @ 6a, 10v 2.6V @ 1MA 26 NC @ 10 V ± 20V 1150 pf @ 20 V - 1W (TA), 15W (TC)
2N4403G onsemi 2N4403G -
RFQ
 ECAD 8022 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO 2N4403 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 40 V 600 mA - PNP 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
NTB75N06LT4G onsemi NTB75N06LT4G -
RFQ
 ECAD 4527 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NTB75 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 75A (TA) 5V 11mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250 µA 92 NC @ 5 V ± 20V 4370 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 214W (TJ)
NTF5P03T3G onsemi NTF5P03T3G 1.0200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA NTF5P03 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 Canal P 30 V 3.7a (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 5.2a, 10v 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 950 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
SMMUN2213LT1G onsemi Smmun2213lt1g 0.3300
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Smmun2213 246 MW SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 47 kohms 47 kohms
NDB6060L onsemi NDB6060L -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NDB6060 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 48a (TC) 5V, 10V 20mohm @ 24a, 10v 2V @ 250 µA 60 NC @ 5 V ± 16V 2000 pf @ 25 V - 100W (TC)
NSBA144EDP6T5G onsemi NSBA144EDP6T5G 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-963 NSBA144 408MW Sot-963 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 47 kohms 47 kohms
KSD985OSTU onsemi Ksd985ostu -
RFQ
 ECAD 4808 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 KSD985 1 W A-126-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 60 60 V 1.5 A 10 µA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 4000 @ 1a, 2v -
BD438 onsemi BD438 -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD438 36 W A-126 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 45 V 4 A 100 µA (ICBO) PNP 700mv @ 300mA, 3A 85 @ 500mA, 1V 3MHz
2N3416_D29Z onsemi 2N3416_D29Z -
RFQ
 ECAD 6530 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N341 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 3 mm, 50 Ma 75 @ 2mA, 4.5V -
NTD14N03R-1G onsemi NTD14N03R-1G -
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA NTD14 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado NTD14N03R-1GOS EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 2.5a (TA) 4.5V, 10V 95mohm @ 5a, 10v 2V @ 250 µA 1.8 NC @ 5 V ± 20V 115 pf @ 20 V - 1.04W (TA), 20.8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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