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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
HUF75831SK8T onsemi HUF75831SK8T -
RFQ
 ECAD 1552 0.00000000 onde UltraFet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HUF75 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 3a (TA) 10V 95mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 80 NC @ 20 V ± 20V 1175 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
2N5953_J35Z onsemi 2N5953_J35Z -
RFQ
 ECAD 8967 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 30 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5953 1 kHz Jfet Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 N-canal 5 mm - - 2db 15 V
HUFA76407D3 onsemi HUFA76407D3 -
RFQ
 ECAD 6747 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA HUFA76 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 12a (TC) 4.5V, 10V 92mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 16V 350 pf @ 25 V - 38W (TC)
SFT1443-H onsemi SFT1443-H -
RFQ
 ECAD 8178 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA SFT144 Mosfet (Óxido de metal) Ipak/tp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 100 V 9a (TA) 4V, 10V 225mohm @ 3a, 10v - 9.8 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 20 V - 1W (TA), 19W (TC)
FDC638APZ onsemi FDC638APZ 0.6300
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC638 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.5a (TA) 2.5V, 4.5V 43mohm @ 4.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 12 NC @ 4.5 V ± 12V 1000 pf @ 10 V - 1.6w (TA)
2SD1803S-H onsemi 2SD1803S-H 0.9400
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 ECAD 1 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SD1803 1 W TP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 50 V 5 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 150 mA, 3a 140 @ 500mA, 2V 180MHz
DTA144WM3T5G onsemi Dta144wm3t5g 0.0507
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 ECAD 6236 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sot-723 DTA144 260 MW Sot-723 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 47 kohms 22 kohms
MCH3478-TL-W-Z onsemi MCH3478-TL-WZ -
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 ECAD 5494 0.00000000 onde * Tape & Reel (TR) Obsoleto MCH3478 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 1.8V, 4.5V ± 12V
NTMFS4833NST3G onsemi Ntmfs483333nst3g -
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 ECAD 5785 0.00000000 onde Sensefet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) SO-8FL descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 30 V 16a (TA), 156a (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250 µA 86 NC @ 11.5 V ± 20V 5250 pf @ 12 V - 900MW (TA), 86.2W (TC)
KSH42CTF onsemi Ksh42ctf -
RFQ
 ECAD 4080 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 KSH42 1.75 W D-Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 100 V 6 A 50 µA PNP 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
2N5088RLRA onsemi 2n5088rlra -
RFQ
 ECAD 8595 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) 2N5088 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 50 Ma 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 300 @ 100 µA, 5V 50MHz
2N3906BU onsemi 2N3906BU 0.3600
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N3906 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
2SA1523 onsemi 2SA1523 0.0900
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 onde * Una granela Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 500
SBCP56T3G onsemi Sbcp56t3g 0.4200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA SBCP56 1.5 W SOT-223 (TO-261) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 4.000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 130MHz
FJP5021OVTU onsemi Fjp5021ovtu -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 FJP5021 50 W Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 500 V 5 A 10 µA (ICBO) NPN 1V @ 600 Ma, 3a 20 @ 600mA, 5V 18mhz
STD25P03LT4G onsemi Std25p03lt4g -
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std25 Mosfet (Óxido de metal) Dpak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 25A (TC) 4V, 5V 80mohm @ 25A, 5V 2V @ 250 µA 20 NC @ 5 V ± 15V 1260 pf @ 25 V - -
FQD16N25CTM onsemi Fqd16n25ctm 1.2000
RFQ
 ECAD 9829 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd16n25 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 250 V 16a (TC) 10V 270mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 53.5 NC @ 10 V ± 30V 1080 pf @ 25 V - 160W (TC)
2SD1816S-TL-H onsemi 2SD1816S-TL-H 0.8400
RFQ
 ECAD 691 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 2SD1816 1 W TP-FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 700 100 V 4 A 1 µA (ICBO) NPN 400mv @ 200MA, 2a 140 @ 500 mA, 5V 180MHz
NSV2SA2029M3T5G onsemi NSV2SA2029M3T5G 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-723 NSV2SA2029 265 MW Sot-723 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 mA 500PA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 140MHz
FQB3N90TM onsemi Fqb3n90tm -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB3 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 900 V 3.6a (TC) 10V 4.25ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 910 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 130W (TC)
FJN3314RBU onsemi Fjn3314rbu -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN331 300 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 1,000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
MMFT2955ET1G onsemi Mmft2955et1g -
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 onde * Obsoleto MMFT29 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000
NSBA144WDXV6T1G onsemi Nsba144wdxv6t1g 0.0698
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSBA144 500MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 47 kohms 22 kohms
FCPF9N60NT onsemi Fcpf9n60nt 2.7000
RFQ
 ECAD 812 0.00000000 onde Supermos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FCPF9N60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 385mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 30V 1240 pf @ 100 V - 29.8W (TC)
IRLW610ATM onsemi IRLW610ATM -
RFQ
 ECAD 1568 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRLW61 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 3.3a (TC) 5V 1.5ohm @ 1.65a, 5V 2V @ 250 µA 9 NC @ 5 V ± 20V 240 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 33W (TC)
FQD11P06TF onsemi Fqd11p06tf -
RFQ
 ECAD 8976 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FQD1 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 60 V 9.4a (TC) 10V 185mohm @ 4.7a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 550 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 38W (TC)
FDG6303N_G onsemi FDG6303N_G -
RFQ
 ECAD 9100 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FDG6303 Mosfet (Óxido de metal) 300MW SC-88 (SC-70-6) - No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1 2 Canal N (Dual) 25V 500mA 450mohm @ 500 mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 2.3nc @ 4.5V 50pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
MMBT4356 onsemi MMBT4356 -
RFQ
 ECAD 9937 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4356 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 80 V 800 Ma 50NA PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 10 mapa, 10v -
MCH6660-TL-W onsemi MCH6660-TL-W -
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH6660 Mosfet (Óxido de metal) 800MW 6 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 20V 2a, 1.5a 136mohm @ 1a, 4.5V 1.3V @ 1MA 1.8nc @ 4.5V 128pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 1.8v
SS9012HBU onsemi Ss9012hbu -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) SS9012 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 20 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 50 mA, 500 mA 144 @ 50mA, 1V -
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    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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