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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2) Figura de Ruido (db typ @ f)
MUN5136T1 onsemi Mun5136t1 -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Mun5136 202 MW SC-70-3 (SOT323) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V 100 kohms 100 kohms
FDMC8030 onsemi FDMC8030 1.4400
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC80 Mosfet (Óxido de metal) 800MW 8-Power33 (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 12A 10mohm @ 12a, 10v 2.8V @ 250 µA 30NC @ 10V 1975pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
FH102A-TR-E onsemi FH102A-TR-E -
RFQ
 ECAD 5202 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FH102 500MW 6-MCP descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 12dB 10V 70 Ma 2 NPN (dual) 90 @ 20MA, 5V 7GHz 1db @ 1ghz
KSA539YBU onsemi Ksa539ybu -
RFQ
 ECAD 4283 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSA539 400 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 45 V 200 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 15 mA, 150 mA 120 @ 50mA, 1V -
FDD850N10L onsemi FDD850N10L 1.1800
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD850 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 15.7a (TC) 5V, 10V 75mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 250 µA 28.9 NC @ 10 V ± 20V 1465 pf @ 25 V - 50W (TC)
NXH80T120L2Q0S2G onsemi NXH80T120L2Q0S2G -
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 onde - Banda Obsoleto NXH80T descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 24
NSVBC144EPDXV6T1G onsemi NSVBC144EPDXV6T1G 0.1154
RFQ
 ECAD 4314 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 NSVBC144 500MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 50V 100mA 500NA 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 250 mV A 300 µA, 10 mA 80 @ 5 MMA, 10V - 47 kohms 47 kohms
NGTB40N65FL2WG onsemi NGTB40N65FL2WG 5.7000
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 NGTB40 Estándar 366 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 10ohm, 15V 72 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 970 µJ (Encendido), 440 µJ (apaguado) 170 NC 84ns/177ns
FDD2612 onsemi FDD2612 -
RFQ
 ECAD 3810 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD261 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 4.9a (TA) 10V 720mohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 234 pf @ 100 V - 42W (TA)
FGA40T65UQDF onsemi FGA40T65UQDF -
RFQ
 ECAD 6336 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FGA40T65 Estándar 231 W Un 3pn descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40a, 6ohm, 15V 89 ns Escrutinio 650 V 80 A 120 A 1.67V @ 15V, 40A 989 µJ (Encendido), 310 µJ (apagado) 306 NC 32NS/271NS
MCH6122-TL-E onsemi MCH6122-TL-E -
RFQ
 ECAD 3224 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-smd, planos de cables MCH6122 1 W 6 mcph descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 30 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 180mv @ 75 mm, 1.5a 200 @ 500mA, 2V 400MHz
NXH450B100H4Q2F2PG onsemi NXH450B100H4Q2F2PG 225.0600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 onde - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo 234 W Estándar 56-PIM (93x47) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-NXH450B100H4Q2F2PG EAR99 8541.29.0095 12 2 Independientes - 1000 V 101 A 2.25V @ 15V, 150a 600 µA Si 9.342 NF @ 20 V
FDMS9410-F085 onsemi FDMS9410-F085 -
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn FDMS94 Mosfet (Óxido de metal) Power56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 50A (TC) 10V 4.4mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1790 pf @ 20 V - 75W (TJ)
BC549C onsemi BC549C -
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO BC549 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
MPS8599 onsemi MPS8599 -
RFQ
 ECAD 5147 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPS859 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 80 V 500 mA 100na PNP 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
FQU20N06TU onsemi Fqu20n06tu -
RFQ
 ECAD 8559 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA FQU2 Mosfet (Óxido de metal) I-pak - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5.040 N-canal 60 V 16.8a (TC) 10V 63mohm @ 8.4a, 10v 4V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 38W (TC)
MPSA13_D75Z onsemi MPSA13_D75Z -
RFQ
 ECAD 5074 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA13 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 1.2 A 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
SMUN5211T1 onsemi Smun5211t1 0.0400
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 onde * Una granela Activo Smun5211 - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0095 3.000
2N5089TFR onsemi 2N5089TFR -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales 2N5089 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 25 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 1 mapa, 10 ma 400 @ 100 µA, 5V 50MHz
2N5555 onsemi 2N5555 -
RFQ
 ECAD 2665 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 25 V A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5555 - Jfet Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 15 Ma - - -
TIP42BG onsemi TIP42BG 1.0700
RFQ
 ECAD 2812 0.00000000 onde - Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP42 2 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 80 V 6 A 700 µA PNP 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
2SC6017-E onsemi 2SC6017-E 0.8900
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA 2SC6017 950 MW TP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 500 50 V 10 A 10 µA (ICBO) NPN 360mv @ 250 Ma, 5a 200 @ 1a, 2v 200MHz
FQAF6N90 onsemi Fqaf6n90 -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO FQAF6 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 360 N-canal 900 V 4.5A (TC) 10V 1.9ohm @ 2.3a, 10v 5V @ 250 µA 52 NC @ 10 V ± 30V 1880 pf @ 25 V - 96W (TC)
FDPF14N30T onsemi FDPF14N30T -
RFQ
 ECAD 4193 0.00000000 onde Unifet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FDPF1 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 300 V 14a (TC) 10V 290mohm @ 7a, 10v 5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 1060 pf @ 25 V - 35W (TC)
FAM65CR51DZ2 onsemi FAM65CR51DZ2 -
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Almohadilla exposición de 12 ssip, formados de cables FAM65 160 W Estándar APMCD-B16 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 12 2 Independientes - 650 V 33 A - No 4.86 NF @ 400 V
NTLGF3501NT2G onsemi NTLGF3501NT2G -
RFQ
 ECAD 3857 0.00000000 onde Fetky ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla NTLGF3501 Mosfet (Óxido de metal) 6-DFN (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 2.8a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.4a, 4.5V 2V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 12V 275 pf @ 10 V - 1.14W (TA)
PN2369A_D26Z onsemi PN2369A_D26Z -
RFQ
 ECAD 5958 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN236 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 15 V 200 MA 400NA (ICBO) NPN 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 10mA, 1V -
FQPF7N65C_F105 onsemi FQPF7N65C_F105 -
RFQ
 ECAD 2752 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero FQPF7 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 1.4ohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 30V 1245 pf @ 25 V - 52W (TC)
MJD47TF onsemi Mjd47tf -
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD47 1.56 W D-Pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 250 V 1 A 200 µA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300mA, 10V 10MHz
NTHS2101PT1G onsemi NTHS2101PT1G -
RFQ
 ECAD 1439 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano NTHS21 Mosfet (Óxido de metal) Chipfet ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 8 V 5.4a (TJ) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 5.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 30 NC @ 4.5 V ± 8V 2400 pf @ 6.4 V - 1.3W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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