- RFQ
- Proseperar
- Contáctenos
Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
- Chino
- Inglés
- Francés
- Alemán
- portugués
- Español
- ruso
- japonés
- coreano
- árabe
- irlandés
- Griego
- turco
- italiano
- danés
- rumano
- indonesio
- checo
- africaans
- sueco
- Polaco
- vasco
- catalán
- esperanto
- hindi
- Lao
- albanés
- Amárico
- armenio
- Azerbaiyano
- Bielorruso
- bengalí
- bosnio
- búlgaro
- Cebuano
- Chichewa
- corso
- croata
- Holandés
- Estonio
- Filipino
- finlandés
- frisio
- gallego
- georgiano
- Gujarati
- haitiano
- Hausa
- hawaiano
- hebreo
- Hmong
- húngaro
- islandés
- Igbo
- javanés
- Kannada
- Kazáceo
- Jemer
- kurdo
- Kirguistán
- latín
- letón
- lituano
- Luxembou ..
- macedónio
- madagascarí
- malayo
- Malayalam
- maltés
- maorí
- Marathi
- mongol
- birmano
- Nepalí
- noruego
- Pashto
- persa
- punjabi
- serbio
- Sesotho
- Sinhala
- eslovaco
- esloveno
- somalí
- Samoo
- Escocés gaélico
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- swahili
- Tayiko
- Tamil
- Telugu
- tailandés
- ucranio
- Urdu
- Uzbek
- vietnamita
- galés
- Xhosa
- yídish
- Yoruba
- zulú
- Kinyarwanda
- Tártaro
- Oriya
- Turco
- Uigur
Transistores (257)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM18P100HDE | 0.3400 |  | 4578 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-rm18p100hdetr | 8541.10.0080 | 8,000 | Canal P | 100 V | 18a (TC) | 10V | 100mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM78N100LD | 0.4400 | | 1744 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM78N100LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 100 V | 78a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 39a, 10v | 2.2V @ 250 µA | ± 20V | 5480 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||
| Rmp3n90ld | 0.3300 | | 3260 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RMP3N90LD | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 900 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 250 µA | ± 30V | 850 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM1A5N30S3AE | 0.0390 | | 6517 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM1A5N30S3AETR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 30 V | 1.5a (TA), 1.4a (TC) | 2.5V, 4.5V | 144mohm @ 1a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | ± 10V | 105 pf @ 15 V | - | 400MW (TA), 500MW (TC) | ||||||||||||||||
 | RM80N60DF | 0.5500 | | 2083 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N60DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 40a, 10v | 2.4V @ 250 µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 V | - | 85W (TC) | ||||||||||||||||
| RM40N40LD | 0.1450 | | 4107 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM40N40LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 40 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 1314 pf @ 15 V | - | 34.7W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM7N600IP | 0.5500 | | 9307 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM7N600IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 580mohm @ 3a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 587 pf @ 50 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM75N60T2 | 0.3600 | | 9812 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM75N60T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 60 V | 75A (TC) | 10V | 11.5mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 2350 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||
| RM5N700IP | 0.4700 | | 8989 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N700IP | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 700 V | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.5a, 10V | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 460 pf @ 50 V | - | 49W (TC) | ||||||||||||||||
| RM5N800LD | 0.6900 | | 2148 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N800LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 800 V | 5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 81W (TC) | ||||||||||||||||
| RM15P60LD | 0.1500 | | 6517 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM15P60LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 60 V | 13a (TC) | 10V | 90mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 1080 pf @ 15 V | - | 31.2W (TC) | ||||||||||||||||
| RM8N700LD | 0.4700 | | 1520 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N700LD | 8541.10.0080 | 4.000 | N-canal | 700 V | 8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 590 pf @ 50 V | - | 69W (TC) | ||||||||||||||||
| RM17N800T2 | 1.5300 | | 9008 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM17N800T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 800 V | 17a (TA) | 10V | 320mohm @ 8.5a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 2060 pf @ 50 V | - | 260W (TC) | ||||||||||||||||
| RM100N65DF | 0.6500 | | 6339 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM100N65DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 65 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | +20V, -12V | 9500 pf @ 25 V | - | 142W (TC) | ||||||||||||||||
| RM80N30DF | 0.1600 | | 3287 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM80N30DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 30 V | 81a (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 2295 pf @ 15 V | - | 59W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM21N650TI | 1.2500 | | 1150 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM21N650TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 650 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 10.5a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 V | - | 33.8W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM48N100D3 | 0.2980 | | 7315 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM48N100D3TR | 8541.10.0080 | 25,000 | N-canal | 100 V | 48a (TC) | 4.5V, 10V | 13.6mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | +20V, -12V | 3280 pf @ 50 V | - | 61W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM1216 | 0.1200 | | 9882 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 6 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 6-DFN (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM1216TR | 8541.10.0080 | 25,000 | Canal P | 12 V | 16a (TC) | 2.5V, 4.5V | 18mohm @ 6.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | ± 12V | 2700 pf @ 10 V | - | 18W (TC) | ||||||||||||||||
 | RM5N150S8 | 0.4000 | | 8016 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM5N150S8 | 8541.10.0080 | 300 | N-canal | 150 V | 4.6a (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | ± 20V | 625 pf @ 75 V | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||||
| RM50N150DF | 0.6400 | | 1275 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM50N150DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 150 V | 50A (TC) | 10V | 19mohm @ 30a, 10v | 4.5V @ 250 µA | ± 20V | 5200 pf @ 50 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||
| RM40N200TI | 0.7600 | | 2452 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM40N200TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 200 V | 40a (TA) | 10V | 41mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 6500 pf @ 25 V | - | 60W (TA) | ||||||||||||||||
 | RM2003 | 0.0620 | | 9948 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | RM200 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW (TA) | Sot-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2003TR | 8541.10.0080 | 30,000 | Vecino del canal | 20V | 3a (TA) | 35mohm @ 3a, 4.5V, 75mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA, 1V @ 250 µA | 5NC @ 4.5V, 3.2NC @ 4.5V | 260pf @ 10V, 325pf @ 10V | - | ||||||||||||||||
| RM8N700TI | 0.6800 | | 7906 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM8N700TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 700 V | 8a (TJ) | 10V | 600mohm @ 4a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 680 pf @ 50 V | - | 31.7W (TC) | ||||||||||||||||
| RM2N650IP | 0.3000 | | 7388 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-251-3 Stub Leads, ipak | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2N650IP | 8541.10.0080 | 40,000 | N-canal | 650 V | 2a (TC) | 10V | 2.5ohm @ 1a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 190 pf @ 50 V | - | 23W (TC) | ||||||||||||||||
| RM3400 | 0.4100 | | 7462 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM3400TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 30 V | 5.8a (TA) | 2.5V, 10V | 41mohm @ 5.8a, 10v | 1.4V @ 250 µA | ± 12V | 820 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||
 | RM130N200T7 | 4.3000 | | 8471 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM130N200T7 | 8541.10.0080 | 1.800 | N-canal | 200 V | 132a (TC) | 10V | 10.9mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | ± 20V | 4970 pf @ 100 V | - | 429W (TC) | ||||||||||||||||
| RM2312 | 0.0440 | | 5226 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM2312TR | 8541.10.0080 | 30,000 | N-canal | 20 V | 4.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | ± 12V | 500 pf @ 8 V | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||
| RM40N600T7 | 1.3200 | | 1226 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RM40N | Estándar | 306 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM40N600T7 | 8541.10.0080 | 300 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | 151 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 160 A | 2V @ 15V, 40A | 1.12MJ (Encendido), 610 µJ (apaguado) | 149 NC | 21ns/203ns | ||||||||||||||
| RM130N100HD | 0.7000 | | 4397 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM130N100HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | N-canal | 100 V | 130A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 50A, 10V | 4V @ 250 µA | ± 20V | 4570 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||
| RM21N700TI | 1.3300 | | 9246 | 0.00000000 | RECTRON USA | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2516-RM21N700TI | 8541.10.0080 | 5,000 | N-canal | 700 V | 21a (TC) | 10V | 190mohm @ 10.5a, 10v | 3.5V @ 250 µA | ± 30V | 1950 pf @ 50 V | - | 34W (TC) |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m2
Almacén en stock
Lista de deseos (0 elementos)