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Transistores (1)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PJT7808_R2_00001 | - |  | 8701 | 0.00000000 | Emo Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7808 | Mosfet (Óxido de metal) | 350MW (TA) | Sot-363 | descascar | Alcanzar sin afectado | 3757-PJT7808_R2_00001TR | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 500 mA (TA) | 400mohm @ 500 mA, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 1.4nc @ 4.5V | 67pf @ 10V | - |
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