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Transistores (2349)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Tipo de transistor | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SJ243-T1-A | 0.2600 |  | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75-3, USM | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 100 mA (TA) | 25ohm @ 10mA, 4V | 2.3V @ 10 µA | 16 pf @ 5 V | - | |||||||||||||||||||||||
 | UPA2590T1H-T1-AT | 0.5500 | | 66 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | UPA2590 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.24W | 8-VSOF | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 4.5a | 50mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 6.6nc @ 10V | 310pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||
 | Hat2165n-el-e | 1.9100 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-LFPAK-IV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 55A (TA) | 3.6mohm @ 27.5a, 10V | - | 33 NC @ 4.5 V | 5180 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | UPA2800T1L-E1-AY | 0.8100 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 17a (TA) | 7.3mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 1MA | 17 NC @ 5 V | 1770 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||||||||
 | NP70N04MUG-S18-AY | - | | 4833 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 40 V | 70A (TC) | 5mohm @ 35a, 10v | 4V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | 4900 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 115W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | RJK03666SP-00#J0 | 0.4600 | | 22 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 11a (TA) | 11.7mohm @ 5.5a, 10v | - | 6.8 NC @ 4.5 V | 1010 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||
 | RJK60S5DPK-M0#T0 | 14.8000 | | 70 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Mosfet (Óxido de metal) | A-3PSG | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 178mohm @ 10a, 10v | - | 27 NC @ 10 V | 1600 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||
 | RJK0366DPA-02#J0B | 0.8500 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 25A (TA) | 10mohm @ 12.5a, 10v | - | 6.8 NC @ 4.5 V | 1010 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | UPA2450BTL-E1-A | 0.5500 | | 549 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-vfdfn almohadilla exposición | UPA2450 | Mosfet (Óxido de metal) | 700MW | 6-HWSON | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 8.6a | 17.5mohm @ 4a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 8NC @ 4V | 520pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||
 | RJK0329DPB-01#J0 | 1.0500 | | 19 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-100, SOT-669 | Mosfet (Óxido de metal) | Lfpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 55A (TA) | 2.3mohm @ 27.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 35 NC @ 4.5 V | 5330 pf @ 10 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||
| RJJ0315DPA-00#J5A | 1.0000 | | 5885 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Mosfet (Óxido de metal) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 35A (TA) | 5.9mohm @ 17.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 48 NC @ 4.5 V | 4300 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||
| UPA2590T1H-T2-AT | 0.5100 | | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | UPA2590 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.24W | 8-VSOF | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 4.5a | 50mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 6.6nc @ 10V | 310pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||
 | RJK60S5DPE-00#J3 | 14.8000 | | 40 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-83 | Mosfet (Óxido de metal) | Ldpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 178mohm @ 10a, 10v | - | 27 NC @ 10 V | 1600 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | RJK60S4DPP-E0#T2 | 4.6200 | | 114 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 290mohm @ 8a, 10v | - | 18 NC @ 10 V | 988 pf @ 25 V | - | 29.9W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Hat2173n-el-e | - | | 8022 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-LFPAK-IV | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 25A (TA) | 15.3mohm @ 12.5a, 10v | 6V @ 20MA | 61 NC @ 10 V | 4350 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | 2SK1658-T1-A | 0.1700 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3, SSP, mini moho en miniatura | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 100 mA (TA) | 25ohm @ 10mA, 4V | 1.5V @ 1 µA | 15 pf @ 3 V | - | |||||||||||||||||||||||
| NP80N04MHE-S18-AY | 1.8400 | | 227 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 V | 80a (TC) | 8mohm @ 40a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | 3300 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | NE3515S02-T1C-A | 1.0000 | | 7495 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 4 V | 4-smd, planos de cables | 12 GHz | HFET | S02 | - | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 88 Ma | 10 Ma | 14dbm | 12.5dB | 0.3dB | 2 V | |||||||||||||||||||||||
| RJK035555DPA-01#J0B | 0.8500 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30A (TA) | 10.7mohm @ 15a, 10v | - | 6.3 NC @ 4.5 V | 860 pf @ 10 V | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||
| RJK0394DPA-00#J5A | 0.8500 | | 96 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-wpak | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TA) | 5.3mohm @ 17.5a, 10v | - | 15.5 NC @ 4.5 V | 2430 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||
| NESG2021M16-T3-A | 0.5600 | | 19 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | 175MW | M16, 1208 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 10dB ~ 18dB | 5V | 35mA | NPN | 130 @ 5MA, 2V | 25 GHz | 0.9dB ~ 1.3db @ 2Ghz ~ 5.2Ghz | |||||||||||||||||||||||
| UPA2211T1M-T1-AT | 0.7500 | | 26 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Mosfet (Óxido de metal) | 8-VSOF | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 7.5a (TA) | 25mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 14.9 NC @ 4.5 V | 1350 pf @ 10 V | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||
| KGF16N05D-400W | - | | 7885 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 20-Uflga, CSP | KGF16 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.5W (TA) | 20-WLCSP (2.48x1.17) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 559-KGF16N05D-400WTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Fuente Común de Canal N (Dual) | 5.5V | 16a (TJ) | 1.9mohm @ 8a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 5.5nc @ 4.5V | 600pf @ 5V | - | |||||||||||||||||
 | 2SC5606-T1-A | 1.0000 | | 4600 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | 115MW | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 14dB | 3.3V | 35mA | NPN | 60 @ 5MA, 2V | 21 GHz | 1.2db @ 2ghz | ||||||||||||||||||||||
 | UPA603T-T2-A | 0.1700 | | 57 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-59-6 | UPA603 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW | SC-59 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 50V | 100mA | 60ohm @ 10mA, 10V | 2.5V @ 1 µA | - | 17pf @ 5V | - | |||||||||||||||||||
 | NP90N05555VDG-E1-AY | 1.6200 | | 750 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 55 V | 90A (TC) | 6mohm @ 45a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.2W (TA), 105W (TC) | ||||||||||||||||||||
| RJK0366DPA-00#J0 | 0.8500 | | 19 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Wpak (3) | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 25A (TA) | 11.1mohm @ 12.5a, 10v | - | 6.8 NC @ 10 V | 1010 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||
| UPA2792AGR-E1-AT | 0.9900 | | 107 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-POWERSOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | UPA2792 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 10A | 12.5mohm @ 5a, 10v | - | 42NC @ 10V | 2200pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||
 | UPA811T-T1-A | 0.4300 | | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 7.5db | 10V | 35mA | 2 NPN (dual) | 80 @ 5MA, 3V | 8GHz | 1.9db @ 2ghz | ||||||||||||||||||||||
| RJK0346DPA-00#J0 | - | | 8999 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Wpak (3) | - | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 65a (TA) | 2mohm @ 32.5a, 10V | - | 49 NC @ 4.5 V | 7650 pf @ 10 V | - | 65W (TC) |
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