SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
ZVP4424A Diodes Incorporated ZVP4424A 1.1500
RFQ
ECAD 2622 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVP4424 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados ZVP4424A-NDR EAR99 8541.21.0095 4.000 Canal P 240 V 200MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10v 2v @ 1 mapa ± 40V 200 pf @ 25 V - 750MW (TA)
2DA1213YQ-13 Diodes Incorporated 2DA1213YQ-13 0.1676
RFQ
ECAD 7151 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2DA1213 1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2DA1213YQ-13DI EAR99 8541.29.0075 2.500 50 V 2 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mm, 1a 120 @ 500mA, 2V 160MHz
BCP5310TA Diodes Incorporated Bcp5310ta 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP5310 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 150MHz
DMT3011LDT-7 Diodes Incorporated DMT3011LDT-7 0.8900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn DMT3011 Mosfet (Óxido de metal) 1.9w V-DFN3030-8 (TUPO K) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Asimétrico del canal (dual) 30V 8a, 10.7a 20mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 13.2NC @ 10V 641pf @ 15V -
DMT12H060LFDF-13 Diodes Incorporated DMT12H060LFDF-13 0.2048
RFQ
ECAD 3481 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT12 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT12H060LFDF-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 115 V 4.4a (TA) 1.5V, 4.5V 65mohm @ 3a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 7.8 NC @ 4.5 V ± 8V 475 pf @ 50 V - 1.1W (TA)
ZDT1048TA Diodes Incorporated Zdt1048ta 1.5400
RFQ
ECAD 658 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDT1048 2.75W Sm8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 17.5V 5A 10NA 2 NPN (dual) 300mv @ 50 mm, 5a 300 @ 500 mA, 2V 150MHz
ZXTN19100CFFTA Diodes Incorporated Zxtn19100cffta 0.7000
RFQ
ECAD 795 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos Zxtn19100 1.5 W SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 100 V 4.5 A 50NA (ICBO) NPN 235mv @ 450mA, 4.5a 200 @ 100 mapa, 2v 150MHz
MMST4403-7-F Diodes Incorporated MMST4403-7-F 0.2100
RFQ
ECAD 644 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 MMST4403 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600 mA - PNP 750mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
ZTX689BSTOB Diodes Incorporated Ztx689bstob -
RFQ
ECAD 9044 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX689B 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 20 V 3 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 10 mm, 2a 400 @ 2a, 2v 150MHz
DDTB142JU-7-F Diodes Incorporated DDTB142JU-7-F -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddtb142 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 56 @ 50 mm, 5V 200 MHz 470 ohmios 10 kohms
DNLS320A-7 Diodes Incorporated DNLS320A-7 -
RFQ
ECAD 8628 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DNLS320 600 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 2 A 100NA (ICBO) NPN 310MV @ 300 Ma, 3a 220 @ 1a, 2v 220MHz
ZVN4206AVSTZ Diodes Incorporated ZVN4206AVSTZ 0.7500
RFQ
ECAD 7495 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZVN4206 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 600 mA (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DDTA143TKA-7-F Diodes Incorporated Ddta143tka-7-f -
RFQ
ECAD 6193 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta143 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 2.5MA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 4.7 kohms
DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated Dmn1002uca6-7 0.3564
RFQ
ECAD 6568 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMN1002 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w X4-DSN3118-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común - - - - 68.6nc @ 4V - -
DMN2600UFB-7 Diodes Incorporated DMN2600UFB-7 0.3600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMN2600 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 25 V 1.3a (TA) 1.8V, 4.5V 350mohm @ 200MA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.85 NC @ 4.5 V ± 8V 70.13 pf @ 15 V - 540MW (TA)
MMDT3946FL3-7 Diodes Incorporated Mmdt3946fl3-7 0.4200
RFQ
ECAD 8761 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn almohadilla exposición MMDT3946 370MW X2-DFN1310-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA NPN, complementario de PNP 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 300MHz
DMN10H120SFG-13 Diodes Incorporated DMN10H120SFG-13 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 3.8a (TA) 6V, 10V 110mohm @ 3.3a, 10v 3V @ 250 µA 10.6 NC @ 10 V ± 20V 549 pf @ 50 V - 1W (TA)
DDTD113EC-7-F Diodes Incorporated DDTD113EC-7-F 0.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtd113 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 33 @ 50mA, 5V 200 MHz 1 kohms 1 kohms
DMN313DLT-7 Diodes Incorporated Dmn313dlt-7 0.3000
RFQ
ECAD 41 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN313 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 270MA (TA) 2.5V, 4.5V 2ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 20V 36.3 pf @ 5 V - 280MW (TA)
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated Dmn3033ldm-7 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMN3033 Mosfet (Óxido de metal) Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 6.9a (TA) 4.5V, 10V 33mohm @ 6.9a, 10v 2.1V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 20V 755 pf @ 10 V - 2W (TA)
DMS3014SFGQ-7 Diodes Incorporated DMS3014SFGQ-7 0.6600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMS3014 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 9.5a (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 10.4a, 10v 2.2V @ 250 µA 19.3 NC @ 10 V ± 12V 4310 pf @ 15 V - 1W (TA)
ZXT4M322TA Diodes Incorporated ZXT4M322TA 0.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado ZXT4M322CT EAR99 8541.29.0075 3.000
DXTP06080BFG-7 Diodes Incorporated DXTP06080BFG-7 0.1135
RFQ
ECAD 5900 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn 1.07 W PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DXTP06080BFG-7TR EAR99 8541.29.0075 2,000 80 V 1 A 20NA PNP 280mv @ 50 mm, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 150MHz
DMP2047UCB4-7 Diodes Incorporated DMP2047UCB4-7 0.6200
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-UFBGA, WLBGA DMP2047 Mosfet (Óxido de metal) U-WLB1010-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.1a (TA) 2.5V, 4.5V 47mohm @ 1a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 2.3 NC @ 4.5 V -6v 218 pf @ 10 V - 1W (TA)
BSS84V-7 Diodes Incorporated BSS84V-7 0.4600
RFQ
ECAD 980 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) 150MW SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 130 Ma 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa - 45pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DSS5220V-7 Diodes Incorporated DSS5220V-7 0.0800
RFQ
ECAD 8332 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DSS5220 600 MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 2 A 100na PNP 390mv @ 200Ma, 2a 155 @ 1a, 2v 150MHz
FZT591ATA Diodes Incorporated Fzt591ata 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT591 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 40 V 1 A 100na PNP 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 100mA, 5V 150MHz
ZTX601BSTZ Diodes Incorporated Ztx601bstz 0.3682
RFQ
ECAD 8898 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX601 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 160 V 1 A 10 µA NPN - Darlington 1.2V @ 10mA, 1A 10000 @ 500 mA, 10V 250MHz
DMW2013UFDEQ-13 Diodes Incorporated DMW2013UFDEQ-13 0.2300
RFQ
ECAD 6634 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (SWP) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMW2013UFDEQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 20 V 10.5a (TA) 1.5V, 4.5V 11mohm @ 8.5a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 52.6 NC @ 8 V ± 8V 2508 pf @ 10 V - 810MW (TA)
ZVP3306ASTZ Diodes Incorporated Zvp3306astz -
RFQ
ECAD 1844 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 60 V 160MA (TA) 10V 14ohm @ 200 MMA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 18 V - 625MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock