SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMTH10H015LK3-13 Diodes Incorporated DMTH10H015LK3-13 0.3675
RFQ
 ECAD 7745 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 52.5a (TA) 6V, 10V 15mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 20V 1871 pf @ 50 V - 2.1W (TA)
DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated DMP56D0UFB-7 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMP56 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 200MA (TA) 2.5V, 4V 6ohm @ 100 mm, 4V 1.2V @ 250 µA 0.58 NC @ 4 V ± 8V 50.54 pf @ 25 V - 425MW (TA)
DMN2024UTS-13 Diodes Incorporated DMN2024UTS-13 0.1781
RFQ
 ECAD 1711 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) DMN2024 Mosfet (Óxido de metal) 890MW (TA) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 20V 6.2a (TA), 15.2a (TC) 24mohm @ 6.5a, 4.5V 950MV @ 250 µA 0.9nc @ 10V 647pf @ 10V -
DMG6301UDW-13 Diodes Incorporated DMG6301UDW-13 0.0611
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMG6301 Mosfet (Óxido de metal) 300MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 25V 240 mm 4ohm @ 400mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.36nc @ 4.5V 27.9pf @ 10V -
DMP2160UFDB-7R Diodes Incorporated DMP2160UFDB-7R -
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto DMP2160 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP2160UFDB-7RDI EAR99 8541.29.0095 3.000 -
DMN601WK-7 Diodes Incorporated DMN601WK-7 0.3500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TA)
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated DMT6009LK3-13 0.9600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMT6009 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 13.3a (TA), 57A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.5a, 10V 2V @ 250 µA 33.5 NC @ 10 V ± 16V 1925 pf @ 30 V - 2.6W (TA)
DMPH4015SPSQ-13 Diodes Incorporated DMPH4015SPSQ-13 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMPH4015 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 9.8a, 10v 2.5V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 25V 4234 pf @ 20 V - 2.6W (TA)
DMN1019UVT-13 Diodes Incorporated DMN1019UVT-13 0.1112
RFQ
 ECAD 1936 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN1019 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN1019UVT-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 12 V 10.7a (TA) 1.2V, 4.5V 10mohm @ 9.7a, 4.5V 800mv @ 250 µA 50.4 NC @ 8 V ± 8V 2588 pf @ 10 V - 1.73W (TA)
DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated DMG6301UDW-7 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMG6301 Mosfet (Óxido de metal) 300MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 25V 240 mm 4ohm @ 400mA, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.36nc @ 4.5V 27.9pf @ 10V -
ZXTN2040FTA Diodes Incorporated Zxtn2040fta 0.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtn2040 350 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 1 A 100na NPN 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 500 mA, 5V 150MHz
DMN2004WK-7 Diodes Incorporated DMN2004WK-7 0.4300
RFQ
 ECAD 381 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN2004 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 540MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540 mm, 4.5V 1V @ 250 µA ± 8V 150 pf @ 16 V - 200MW (TA)
DDTC124EE-7-F Diodes Incorporated DDTC124EE-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 875 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 Ddtc124 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 22 kohms 22 kohms
ZXMN6A09KQTC Diodes Incorporated Zxmn6a09kqtc 0.7088
RFQ
 ECAD 3179 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 11.8a (TA) 4.5V, 10V 40mohm @ 7.3a, 10v 3V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1426 pf @ 30 V - 10.1W (TA)
DDTC115EE-7 Diodes Incorporated DDTC115EE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 652 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo Ddtc115 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
2N7002T-7 Diodes Incorporated 2N7002T-7 -
RFQ
 ECAD 7107 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50 mm, 5V 2V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 150MW (TA)
DMNH10H028SK3Q-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3Q-13 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMNH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 55A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2245 pf @ 50 V - 2W (TA)
DMTH3004LFG-7 Diodes Incorporated DMTH3004LFG-7 0.1518
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMTH3004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 15A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 16V 2370 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 50W (TC)
ZVNL110ASTZ Diodes Incorporated Zvnl110astz 0.7700
RFQ
 ECAD 4832 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZVNL110 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 100 V 320MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 1MA ± 20V 75 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMT3006LPS-13 Diodes Incorporated DMT3006LPS-13 0.6300
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT3006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 16A (TA), 65A (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 22.6 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 15 V - 1.3W (TA), 42W (TC)
DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated DMG6602SVTQ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMG6602 Mosfet (Óxido de metal) 840MW TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Vecino del canal 30V 3.4a, 2.8a 60mohm @ 3.1a, 10V 2.3V @ 250 µA 13NC @ 10V 400pf @ 15V -
DDTD142TU-7-F Diodes Incorporated Ddtd142tu-7-f -
RFQ
 ECAD 7750 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-70, SOT-323 Ddtd142 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 100 @ 5 MMA, 5V 200 MHz 470 ohmios
MMDT5551-7-F Diodes Incorporated MMDT5551-7-F 0.4300
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT5551 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 160V 200 MMA 50NA (ICBO) 2 NPN (dual) 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 300MHz
BC858A-7-F Diodes Incorporated BC858A-7-F -
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 300 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 200MHz
ZVN4306GTC Diodes Incorporated ZVN4306GTC -
RFQ
 ECAD 6962 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 2.1a (TA) 5V, 10V 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 350 pf @ 25 V - 3W (TA)
FZT605TC Diodes Incorporated FZT605TC 0.2610
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT605 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 120 V 1.5 A 10 µA NPN - Darlington 1.5V @ 1MA, 1A 2000 @ 1a, 5V 150MHz
DMP3010LK3-13 Diodes Incorporated DMP3010LK3-13 0.8300
RFQ
 ECAD 304 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP3010 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 17a (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 59.2 NC @ 4.5 V ± 20V 6234 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
FZT1053ATA Diodes Incorporated FZT1053ATA 0.8100
RFQ
 ECAD 2057 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT1053 2.5 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 75 V 4.5 A 10NA NPN 440mv @ 200MA, 4.5a 300 @ 500 mA, 2V 140MHz
ZVN4206AVSTOB Diodes Incorporated Zvn4206avstob -
RFQ
 ECAD 2973 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 600 mA (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
ZXTN10150DZTA Diodes Incorporated Zxtn10150dzta 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA Zxtn10150 1.5 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 150 V 1 A 500NA (ICBO) NPN - 100 @ 150mA, 250mv 135MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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