SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
APT27XZTR-G1 Diodes Incorporated Apt27xztr-g1 -
RFQ
ECAD 2947 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto Apt27 - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 31-APT27XZTR-G1TB Obsoleto 2,000
DMN33D8LVQ-7 Diodes Incorporated DMN33D8LVQ-7 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN33 Mosfet (Óxido de metal) 430MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 350MA (TA) 2.4ohm @ 250 mA, 10V 1.5V @ 100 µA 1.23nc @ 10V 48pf @ 5V Estándar
DMP58D1LV-13 Diodes Incorporated DMP58D1LV-13 0.4100
RFQ
ECAD 6952 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMP58 Mosfet (Óxido de metal) 490MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 50V 220 Ma (TA) 8ohm @ 100 mapa, 5V 2V @ 250 µA 1.2NC @ 10V 37pf @ 25V Estándar
DMN3061S-13 Diodes Incorporated DMN3061S-13 0.0626
RFQ
ECAD 8308 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3061 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMN3061S-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 30 V 2.3a (TA) 3.3V, 10V 59mohm @ 3.1a, 10v 1.8V @ 250 µA 5.5 NC @ 10 V ± 20V 233 pf @ 15 V - 770MW (TA)
DMN2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMN2710UVQ-7 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN2710 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 920 Ma (TA) 450mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V 42pf @ 16V Estándar
DMTH10H4M5LPSW Diodes Incorporated DMTH10H4M5LPSW -
RFQ
ECAD 5271 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 20A (TA), 107A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 20V 4843 pf @ 50 V - 4.7W (TA), 136W (TC)
BC857CWQ-7 Diodes Incorporated BC857CWQ-7 0.3400
RFQ
ECAD 7880 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BC857 200 MW Sot-323 - EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 200MHz
DMP2541UCP9-7 Diodes Incorporated DMP2541UCP9-7 0.2491
RFQ
ECAD 5783 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-XFBGA, DSBGA DMP2541 Mosfet (Óxido de metal) X2-DSN1515-9 (TUPO B) - 31-DMP2541UCP9-7 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 25 V 3.8a (TA) 1.8V, 4.5V 40mohm @ 2a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 4.7 NC @ 4.5 V -6v 566 pf @ 10 V - 900MW (TA)
DMP2101UCP9-7 Diodes Incorporated DMP2101UCP9-7 0.2639
RFQ
ECAD 3921 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-XFBGA, DSBGA DMP2101 Mosfet (Óxido de metal) 970MW (TA) X2-DSN1515-9 (TUPO B) - 31-DMP2101UCP9-7 EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 2.5a (TA) 100mohm @ 1a, 4.5V 900MV @ 250 µA 3.2NC @ 4.5V 392pf @ 10V Estándar
DMT32M6LDG-7 Diodes Incorporated DMT32M6LDG-7 1.4800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT32 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA) PowerDI3333-8 (Tipo G) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 30V 21a (TA), 47a (TC) 2.5mohm @ 18a, 10v 2.2V @ 400 µA 15.6nc @ 4.5V 2101pf @ 15V Estándar
DMN3061SVTQ-7 Diodes Incorporated DMN3061SVTQ-7 0.4700
RFQ
ECAD 3057 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN3061 Mosfet (Óxido de metal) 880MW (TA) TSOT-26 - 31-DMN3061SVTQ-7 EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 3.4a (TA) 60mohm @ 3.1a, 10V 1.8V @ 250 µA 6.6nc @ 10V 278pf @ 15V Estándar
DMN32D0LVQ-13 Diodes Incorporated DMN32D0LVQ-13 0.0682
RFQ
ECAD 2141 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN32 Mosfet (Óxido de metal) 480MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 31-DMN32D0LVQ-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal 30V 680MA (TA) 1.2ohm @ 100 mm, 4V 1.2V @ 250 µA 0.62NC @ 4.5V 44.8pf @ 15V Estándar
DMN2055UQ-13 Diodes Incorporated DMN2055UQ-13 0.0640
RFQ
ECAD 3184 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2055 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - 31-DMN2055UQ-13 EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 20 V 4.8a (TA) 2.5V, 4.5V 38mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 4.3 NC @ 4.5 V ± 8V 400 pf @ 10 V - 800MW (TA)
DMC2991UDR4-7 Diodes Incorporated DMC2991UDR4-7 0.2800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn almohadilla exposición DMC2991 Mosfet (Óxido de metal) 370MW (TA) X2-DFN1010-6 (TUPO UXC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 5,000 Vecino del canal 20V 500MA (TA), 360MA (TA) 990MOHM @ 100MA, 4.5V, 1.9OHM @ 100MA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.28nc @ 4.5V, 0.3nc @ 4.5V 14.6pf @ 16V, 17pf @ 16V Estándar
DMN32D0LVQ-7 Diodes Incorporated DMN32D0LVQ-7 0.4600
RFQ
ECAD 4321 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN32 Mosfet (Óxido de metal) 480MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 680MA (TA) 1.2ohm @ 100 mm, 4V 1.2V @ 250 µA 0.62NC @ 4.5V 44.8pf @ 15V Estándar
DMP58D1LV-7 Diodes Incorporated DMP58D1LV-7 0.4100
RFQ
ECAD 6027 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMP58 Mosfet (Óxido de metal) 490MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 220 Ma (TA) 8ohm @ 100 mapa, 5V 2V @ 250 µA 1.2NC @ 10V 37pf @ 25V Estándar
DMN2710UVQ-13 Diodes Incorporated DMN2710UVQ-13 0.3400
RFQ
ECAD 8960 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN2710 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) SOT-563 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 20V 920 Ma (TA) 450mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V 42pf @ 16V Estándar
DMTH15H017SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPSW-13 0.7738
RFQ
ECAD 6262 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8-Powertdfn DMTH15 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo UX) - 31-DMTH15H017SPSW-13 2.500 N-canal 150 V 11a (TA), 61a (TC) 8V, 10V 19mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 2344 pf @ 75 V - 1.5W (TA), 107W (TC)
DMN62D0UV-13 Diodes Incorporated DMN62D0UV-13 0.0610
RFQ
ECAD 5420 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN62 Mosfet (Óxido de metal) 470MW (TA) SOT-563 - 1 (ilimitado) 31-DMN62D0UV-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 490MA (TA) 2ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5nc @ 4.5V 32pf @ 30V Estándar
DMC4050SSDQ-13-52 Diodes Incorporated DMC4050SDQ-13-52 0.2590
RFQ
ECAD 7018 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC4050 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar 31-DMC4050SDQ-13-52 EAR99 8541.29.0095 2.500 N y p-canal complementario 40V 4.2a (TA) 45mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 37.56nc @ 10V, 33.66nc @ 10V 1790.8pf @ 20V, 1643.17pf @ 20V Estándar
DMTH12H007SK3-13 Diodes Incorporated DMTH12H007SK3-13 0.7541
RFQ
ECAD 7659 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH12 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar 31-DMTH12H007SK3-13 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 120 V 86a (TC) 10V 8.9mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 3142 pf @ 60 V - 2W (TA)
DMC2038LVTQ-7-52 Diodes Incorporated DMC2038LVTQ-7-52 0.1219
RFQ
ECAD 7094 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC2038 Mosfet (Óxido de metal) 800MW (TA) TSOT-26 descascar 31-DMC2038LVTQ-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N y p-canal complementario 20V 3.7a (TA), 2.6a (TA) 35mohm @ 4a, 4.5V, 74mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 250 µA 17nc @ 10V, 14nc @ 10V 530pf @ 10V, 705pf @ 10V Estándar
ZXTP5401FLQTA Diodes Incorporated Zxtp5401flqta 0.4900
RFQ
ECAD 1282 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW Sot-23-3 descascar 31-zxtp5401flqta EAR99 8541.21.0075 3.000 150 V 600 mA 50NA (ICBO) PNP 500mV @ 5 mm, 50 Ma 60 @ 10mA, 5V 100MHz
ZVP3310FTA-50 Diodes Incorporated ZVP3310FTA-50 0.1328
RFQ
ECAD 9890 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZVP3310 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-ZVP3310FTA-50 EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 100 V 75MA (TA) 10V 20ohm @ 150mA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 330MW (TA)
ZXTN4004KQTC-52 Diodes Incorporated ZXTN4004KQTC-52 0.1521
RFQ
ECAD 4836 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 3.8 W Un 252-3 descascar 31-ZXTN4004KQTC-52 EAR99 8541.29.0075 2.500 150 V 1 A 50NA NPN 250 MV @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 150mA, 250mv -
DMP3099L-7-50 Diodes Incorporated DMP3099L-7-50 0.0600
RFQ
ECAD 8358 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3099 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 31-DMP3099L-7-50 EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 3.8a (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.8a, 10v 2.1V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 563 pf @ 25 V - 1.08W
DMG1029SVQ-7-52 Diodes Incorporated DMG1029SVQ-7-52 0.0622
RFQ
ECAD 6781 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMG1029 Mosfet (Óxido de metal) 450MW (TA) SOT-563 descascar 31-DMG1029SVQ-7-52 EAR99 8541.29.0095 3.000 N y p-canal complementario 60V 500MA (TA), 360MA (TA) 1.7ohm @ 500 mA, 10V, 4ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA, 3V @ 250 µA 0.3nc @ 4.5V, 0.28nc @ 4.5V 30pf @ 25V, 25pf @ 25V Estándar
MMDT3906Q-7 Diodes Incorporated MMDT3906Q-7 0.0898
RFQ
ECAD 7125 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3906 200MW Sot-363 descascar 31-MMDT3906Q-7 EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 200 MMA 50NA 2 PNP (dual) 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
ZXMP6A17GQTA-52 Diodes Incorporated ZXMP6A17GQTA-52 0.3130
RFQ
ECAD 8062 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar 31-ZXMP6A17GQTA-52 EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 60 V 3a (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.2a, 10v 1V @ 250 µA 17.7 NC @ 10 V ± 20V 637 pf @ 30 V - 2W (TA)
DMN31D5UDAQ-7B Diodes Incorporated Dmn31d5udaq-7b 0.0357
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMN31 Mosfet (Óxido de metal) 370MW (TA) X2-DFN0806-6 descascar 31-DMN31D5UDAQ-7B EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal 30V 400 mA (TA) 1.5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.38nc @ 4.5V 22.6pf @ 15V Estándar
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock