SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMP3037LSS-13 Diodes Incorporated DMP3037LSS-13 0.4200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP3037 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 5.8a (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 7a, 10v 2.4V @ 250 µA 19.3 NC @ 10 V ± 20V 931 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated DMN32D4SDW-7 0.4500
RFQ
 ECAD 6281 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN32 Mosfet (Óxido de metal) 290MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 650 mm 400mohm @ 250 mA, 10V 1.6V @ 250 µA 1.3nc @ 10V 50pf @ 15V -
DMG3404L-13 Diodes Incorporated DMG3404L-13 0.0831
RFQ
 ECAD 5467 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3404 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMG3404L-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 4.2a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 13.2 NC @ 10 V ± 20V 641 pf @ 15 V - 780MW (TA)
DMN601K-7 Diodes Incorporated DMN601K-7 0.4500
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 350MW (TA)
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated ZXM61P02FTA 0.4600
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXM61P02 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 900 mA (TA) 2.7V, 4.5V 600mohm @ 610 mm, 4.5V 1.5V @ 250 µA 3.5 NC @ 4.5 V ± 12V 150 pf @ 15 V - 625MW (TA)
BCX17TA Diodes Incorporated Bcx17ta -
RFQ
 ECAD 7370 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX17 330 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 620mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 100MHz
BCX19TC Diodes Incorporated BCX19TC -
RFQ
 ECAD 9765 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BCX19 330 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN 620mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 maja, 1v 200MHz
DMP4025SFGQ-7 Diodes Incorporated DMP4025SFGQ-7 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP4025 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 40 V 7.2a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10v 1.8V @ 250 µA 33.7 NC @ 10 V ± 20V 1643 pf @ 20 V - 810MW (TA)
ZVN4106FTA Diodes Incorporated Zvn4106fta 0.6000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZVN4106 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 200MA (TA) 5V, 10V 2.5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 1MA ± 20V 35 pf @ 25 V - 350MW (TA)
DMP3013SFK-7 Diodes Incorporated DMP3013SFK-7 0.2393
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo - - - DMP3013 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - 10.5a (TA) - - - - - -
MMDT2222V-7-52 Diodes Incorporated MMDT2222V-7-52 0.0800
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 MMDT2222 150MW SOT-563 descascar 31-MMDT2222V-7-52 EAR99 8541.21.0075 3.000 40V 600mA 10NA 2 NPN (dual) 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 150mA, 10V 300MHz
DMN601VK-7 Diodes Incorporated DMN601VK-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) 250MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 305 Ma 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA - 50pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DDTC144WUA-7-F Diodes Incorporated DDTC144WUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 7003 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DDTC144 200 MW Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -DDTC144WUA-7-FDICT EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms 22 kohms
ZXTP19100CZTA Diodes Incorporated Zxtp19100czta 0.7400
RFQ
 ECAD 3561 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA Zxtp19100 2.4 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 100 V 2 A 50NA (ICBO) PNP 295mv @ 200Ma, 2a 200 @ 100 mapa, 2v 142MHz
DMC4015SSD-13 Diodes Incorporated DMC4015SSD-13 1.0500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC4015 Mosfet (Óxido de metal) 1.2w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 40V 8.6a, 6.2a 15mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 40nc @ 10V 1810pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated DMT3004LPS-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT3004 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 21a (TA), 140a (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 43.7 NC @ 10 V +20V, -16V 2370 pf @ 15 V - 2.7W (TA), 113W (TC)
MMDT2907A-7 Diodes Incorporated MMDT2907A-7 -
RFQ
 ECAD 1064 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MMDT2907 200MW Sot-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 60V 600mA 10NA (ICBO) 2 PNP (dual) 1.6v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
ZXMD65P03N8TA Diodes Incorporated Zxmd65p03n8ta -
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Obsoleto Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMD65P03 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W 8-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 2 Canal P (Dual) 30V 3.8a 55mohm @ 4.9a, 10v 1V @ 250 µA 25.7nc @ 10V 930pf @ 25V -
ZVN3320ASTOB Diodes Incorporated ZVN3320TOB -
RFQ
 ECAD 8099 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 200 V 100 mA (TA) 10V 25ohm @ 100 mapa, 10v 3V @ 1MA ± 20V 45 pf @ 25 V - 625MW (TA)
ZVP2106AS Diodes Incorporated ZVP2106As -
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 60 V 280MA (TA) 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 18 V - 700MW (TA)
ZXTP19060CZTA Diodes Incorporated Zxtp19060czta 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA Zxtp19060 2.4 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 4.5 A 50NA (ICBO) PNP 410MV @ 450MA, 4.5A 200 @ 100 mapa, 2v 180MHz
DMN62D0LFD-7 Diodes Incorporated Dmn62d0lfd-7 0.3600
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UDFN DMN62 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1212-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 310MA (TA) 1.8v, 4V 2ohm @ 100 mm, 4V 1V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 20V 31 pf @ 25 V - 480MW (TA)
DMN601DWK-7 Diodes Incorporated DMN601DWK-7 0.4900
RFQ
 ECAD 481 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 305 Ma 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA - 50pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
ZVP4424ASTOA Diodes Incorporated Zvp4424astoa -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 240 V 200MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10v 2v @ 1 mapa ± 40V 200 pf @ 25 V - 750MW (TA)
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1229UFDB-13 0.1472
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMC1229 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Vecino del canal 12V 5.6a, 3.8a 29mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 19.6nc @ 8V 914pf @ 6V Puerta de Nivel Lógico
DMT3020LFCL-7 Diodes Incorporated DMT3020LFCL-7 0.1562
RFQ
 ECAD 2224 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Ufdfn Pad Expunesta DMT3020 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN1616-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 7.6a (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 20V 393 pf @ 15 V - 1.7w (TA)
APT13005SU-G1 Diodes Incorporated APT13005SU-G1 -
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 Apt13005 20 W A-126 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 4.000 450 V 3.2 A - NPN 1V @ 750 mm, 3a 8 @ 2a, 5v 4MHz
DMP56D0UV-7 Diodes Incorporated DMP56D0UV-7 0.4800
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMP56 Mosfet (Óxido de metal) 400MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 50V 160 Ma 6ohm @ 100 mm, 4V 1.2V @ 250 µA 0.58nc @ 4V 50.54pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
ZXMN2A02X8TA Diodes Incorporated Zxmn2a02x8ta -
RFQ
 ECAD 1449 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-MSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 20 V 6.2a (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 11a, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 18.6 NC @ 4.5 V ± 20V 1900 pf @ 10 V - 1.1W (TA)
MMST5551-7 Diodes Incorporated MMST5551-7 0.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados * Cinta de Corte (CT) Activo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1034-mmst5551-7dkr EAR99 8541.21.0075 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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