SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMP32D9UDAQ-7B Diodes Incorporated Dmp32d9udaq-7b 0.0357
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMP32 Mosfet (Óxido de metal) 360MW (TA) X2-DFN0806-6 descascar 31-DMP32D9UDAQ-7B EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 30V 220 Ma (TA) 5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 350NC @ 4.5V 21.8pf @ 15V Estándar
DMPH1006UPS-13 Diodes Incorporated DMPH1006UPS-13 0.3822
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMPH1006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 12 V 80a (TC) 2.5V, 4.5V 6mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 124 NC @ 8 V ± 8V 6334 pf @ 10 V - 3.2W
DMT8030LFDF-13 Diodes Incorporated DMT8030LFDF-13 0.2613
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMT8030LFDF-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 80 V 7.5a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 10.4 NC @ 10 V ± 20V 641 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
DMTH6015LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6015LPDWQ-13 0.3624
RFQ
 ECAD 2764 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6015 Mosfet (Óxido de metal) 2.6W (TA), 39.5W (TC) PowerDI5060-8 (TUPO UXD) descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH6015LPDWQ-13TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 9.4a (TA), 36.3a (TC) 20mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 14.3nc @ 10V 825pf @ 30V -
ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated Zxmn2b14fhta 0.7900
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Zxmn2 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 3.5a (TA) 1.8V, 4.5V 55mohm @ 3.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 11 NC @ 4.5 V ± 8V 872 pf @ 10 V - 1W (TA)
DMP22D4UDA-7B Diodes Incorporated Dmp22d4uda-7b 0.1017
RFQ
 ECAD 3145 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMP22 Mosfet (Óxido de metal) 310MW X2-DFN0806-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal P (Dual) 20V 328MA (TA) 1.9ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.4nc @ 4.5V 28.5pf @ 15V -
DMP3099LQ-7 Diodes Incorporated DMP3099LQ-7 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3099 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 3.8a (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.8a, 10v 2.1V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 563 pf @ 25 V - 1.08W
DMN63D1LV-13 Diodes Incorporated DMN63D1LV-13 0.1295
RFQ
 ECAD 6080 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) 940MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 550 mA (TA) 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA 0.392NC @ 4.5V 30pf @ 25V -
DMT2004UFDF-7 Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7 0.6400
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT2004 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 24 V 14.1a (TA) 2.5V, 10V 6mohm @ 9a, 10v 1.45V @ 250 µA 53.7 NC @ 10 V ± 12V 1683 pf @ 15 V - 800MW (TA), 12.5W (TC)
DMN63D1LT-7 Diodes Incorporated DMN63D1LT-7 0.1474
RFQ
 ECAD 8090 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 320MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA 392 NC @ 4.5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 330MW (TA)
DMTH48M3SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH48M3SFVWQ-7 0.2266
RFQ
 ECAD 4476 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar Alcanzar sin afectado 31-DMTH48M3SFVWQ-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 40 V 14.6a (TA), 52.4a (TC) 10V 8.9mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 12.1 NC @ 10 V ± 20V 897 pf @ 20 V - 2.82W (TA), 36.6W (TC)
DMJ70H601SV3 Diodes Incorporated DMJ70H601SV3 -
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 8a (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250 µA 20.9 NC @ 10 V ± 30V 686 pf @ 50 V - 125W (TC)
DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDF-7 0.1527
RFQ
 ECAD 6515 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2015 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 15.2a (TA) 1.5V, 4.5V 9mohm @ 8.5a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 42.3 NC @ 10 V ± 12V 1439 pf @ 10 V - 1.8w (TA)
DMTH10H005SCT Diodes Incorporated DMTH10H005SCT 2.6100
RFQ
 ECAD 8925 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 140A (TC) 10V 5mohm @ 13a, 10v 4V @ 250 µA 111.7 NC @ 10 V ± 20V 8474 pf @ 50 V - 187W (TC)
DMJ70H1D5SV3 Diodes Incorporated DMJ70H1D5SV3 -
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 9.8 NC @ 10 V ± 30V 316 pf @ 50 V - 78W (TC)
DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated DMN4036LK3-13 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMN4036 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 8.5A (TA) 4.5V, 10V 36mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 9.2 NC @ 10 V ± 20V 453 pf @ 20 V - 2.12W (TA)
DMP3010LPS-13 Diodes Incorporated DMP3010LP-13 1.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMP3010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 14.5a (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 126.2 NC @ 10 V ± 20V 6234 pf @ 15 V - 2.18W (TA)
DMN3009LFV-7 Diodes Incorporated DMN3009LFV-7 0.1725
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 15 V - 2W (TA)
DDTC144ECAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC144ECAQ-7-F 0.0396
RFQ
 ECAD 6551 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC144 200 MW Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DDTC144ECAQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 250 MHz 47 kohms 47 kohms
DMN3061SVT-7 Diodes Incorporated DMN3061SVT-7 0.1348
RFQ
 ECAD 3380 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN3061 Mosfet (Óxido de metal) 1.08W (TA) TSOT-23-6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN3061SVT-7DI EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 3.4a (TA) - - 6.6nc @ 10V 278pf @ 15V -
DMN3012LFG-7 Diodes Incorporated DMN3012LFG-7 -
RFQ
 ECAD 4659 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerldfn DMN3012 Mosfet (Óxido de metal) 2.2W PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 2 Canal N (Dual) 30V 20A (TC) 12mohm @ 15a, 5V, 6mohm @ 15a, 5V 2.1V @ 250 µA, 1.15V @ 250 µA 6.1NC @ 4.5V, 12.6nc @ 4.5V 850pf @ 15V, 1480pf @ 15V -
DMN601WKQ-7 Diodes Incorporated DMN601WKQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TA)
DMP2160UW-7 Diodes Incorporated DMP2160UW-7 0.3800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMP2160 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 1.5a (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 1.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA ± 12V 627 pf @ 10 V - 350MW (TA)
DMN13M9UCA6-7 Diodes Incorporated Dmn13m9uca6-7 0.4343
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMN13 Mosfet (Óxido de metal) 2.67W X3-DSN3518-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) - - - 1.3V @ 1MA 56.5nc @ 4.5V 3315pf @ 6V -
DMN60H080DS-13 Diodes Incorporated DMN60H080DS-13 0.0716
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN60 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 600 V 80 mA (TA) 4.5V, 10V 100ohm @ 60mA, 10V 3V @ 250 µA 1.7 NC @ 10 V ± 20V 25 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
DMP3048LSD-13 Diodes Incorporated DMP3048LSD-13 0.2097
RFQ
 ECAD 5062 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP3048 Mosfet (Óxido de metal) 1.7w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 4.8a (TA) 48mohm @ 5a, 10v 1.3V @ 250 µA 13.5nc @ 4.5V 1438pf @ 15V -
DMPH4013SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH4013SK3Q-13 1.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMPH4013 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 55A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 67 NC @ 10 V ± 20V 4004 pf @ 20 V - 2.1W (TA)
DMT3006LFV-13 Diodes Incorporated DMT3006LFV-13 0.6900
RFQ
 ECAD 8789 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT3006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 8.4 NC @ 10 V ± 20V 1155 pf @ 15 V - 2W (TA)
DMP2021UTSQ-13 Diodes Incorporated DMP2021UTSQ-13 0.3616
RFQ
 ECAD 7771 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DMP2021 Mosfet (Óxido de metal) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 7.4a (TA), 18a (TC) 1.8V, 4.5V 16mohm @ 4.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 59 NC @ 8 V ± 10V 2760 pf @ 15 V - 1.3W (TA)
DMG7N65SJ3 Diodes Incorporated DMG7N65SJ3 -
RFQ
 ECAD 5542 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA DMG7N65 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 - ROHS3 Cumplante Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 650 V 5.5a (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 30V 886 pf @ 50 V - 125W (TC)
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