SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
DMT3020LDV-13 Diodes Incorporated DMT3020LDV-13 0.1927
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT3020 Mosfet (Óxido de metal) 900MW (TA) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 32A (TC) 20mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 250 µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
DMN601WKQ-13 Diodes Incorporated DMN601WKQ-13 0.0630
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN601 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V - 4.5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20V 50 pf @ 25 V - 200MW (TA)
DMPH1006UPS-13 Diodes Incorporated DMPH1006UPS-13 0.3822
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMPH1006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 12 V 80a (TC) 2.5V, 4.5V 6mohm @ 15a, 4.5V 1V @ 250 µA 124 NC @ 8 V ± 8V 6334 pf @ 10 V - 3.2W
DMN2040U-13 Diodes Incorporated DMN2040U-13 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2040 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 6a (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 8.2a, 4.5V 1.2V @ 250 µA 7.5 NC @ 4.5 V ± 12V 667 pf @ 10 V - 800MW (TA)
DMC3025LNS-7 Diodes Incorporated DMC3025LNS-7 0.2138
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMC3025 Mosfet (Óxido de metal) 1.2W (TA) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N y p-canal complementario 30V 7.2a (TA), 6.8a (TA) 25mohm @ 7a, 10v, 28mohm @ 7a, 10v 2V @ 250 µA 4.6nc @ 4.5V, 9.5nc @ 4.5V 500pf @ 15V, 1188pf @ 15V -
DMP2065U-7 Diodes Incorporated DMP2065U-7 0.0842
RFQ
 ECAD 9759 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2065 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Alcanzar sin afectado 31-DMP2065U-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4A (TA) 1.8V, 4.5V 60mohm @ 4.2a, 4.5V 900MV @ 250 µA 10.2 NC @ 4.5 V ± 12V 808 pf @ 15 V - 900MW
ZXM61N02FTA Diodes Incorporated Zxm61n02fta 0.4900
RFQ
 ECAD 9361 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXM61N02 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1.7a (TA) 2.7V, 4.5V 180MOHM @ 930MA, 4.5V 700mV @ 250 µA (min) 3.4 NC @ 4.5 V ± 12V 160 pf @ 15 V - 625MW (TA)
DMG4406LSS-13 Diodes Incorporated DMG4406LSS-13 -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMG4406 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10.3a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10v 2V @ 250 µA 26.7 NC @ 10 V ± 20V 1281 pf @ 15 V - 1.5W (TA)
DMT6010LFG-13 Diodes Incorporated DMT6010LFG-13 0.3045
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT6010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 13A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 41.3 NC @ 10 V ± 20V 2090 pf @ 30 V - 2.2W (TA), 41W (TC)
DMN3022LFG-13 Diodes Incorporated DMN3022LFG-13 0.3632
RFQ
 ECAD 2798 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerldfn DMN3022 Mosfet (Óxido de metal) 1.96W (TA) PowerDI3333-8 (Tipo D) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 7.6a (TA), 15a (TC) 22mohm @ 10a, 5v, 8mohm @ 10a, 5V 2.1V @ 250 µA, 1.2V @ 250 µA 3.7NC @ 4.5V, 8NC @ 4.5V 481pf @ 15V, 996pf @ 15V -
ZVN4424GQTA Diodes Incorporated ZVN4424GQTA 0.8700
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVN4424 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 240 V 500 mA (TA) 2.5V, 10V 5.5ohm @ 500 mA, 10V 1.8V @ 1MA ± 40V 200 pf @ 25 V - 2.5W (TA)
ZXMN6A11GTC Diodes Incorporated Zxmn6a11gtc -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 60 V 3.1a (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 2.5a, 10v 1V @ 250 µA 5.7 NC @ 10 V ± 20V 330 pf @ 40 V - 2W (TA)
DMG3402L-7 Diodes Incorporated DMG3402L-7 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3402 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4A (TA) 2.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10v 1.4V @ 250 µA 11.7 NC @ 10 V ± 12V 464 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
DMN53D0LQ-13 Diodes Incorporated DMN53D0LQ-13 0.0491
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN53 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 50 V 500 mA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 46 pf @ 25 V - 370MW (TA)
DMP3028LFDE-7 Diodes Incorporated Dmp3028lfde-7 0.4400
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP3028 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 6.8a (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 7a, 10v 2.4V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1241 pf @ 15 V - 660MW (TA)
DMP2033UCB9-7 Diodes Incorporated DMP2033UCB9-7 -
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 9-UFBGA, WLBGA DMP2033 Mosfet (Óxido de metal) U-WLB1515-9 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.2a (TA) 1.8V, 4.5V 33mohm @ 2a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 7 NC @ 4.5 V -6v 500 pf @ 10 V - 1W (TA)
DMNH6008SCT Diodes Incorporated DMNH6008SCT 1.3124
RFQ
 ECAD 7313 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMNH6008 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 130A (TC) 10V 8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 21 NC @ 10 V 20V 2596 pf @ 30 V - 210W (TC)
ZXMC3A17DN8TC Diodes Incorporated ZXMC3A17DN8TC -
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMC3 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W 8-SO descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 30V 4.1a, 3.4a 50mohm @ 7.8a, 10v 1V @ 250 µA (min) 12.2NC @ 10V 600pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
ZVP0120AS Diodes Incorporated ZVP0120As -
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 200 V 110MA (TA) 10V 32ohm @ 125mA, 10V 3.5V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMN63D1LW-13 Diodes Incorporated DMN63D1LW-13 0.0376
RFQ
 ECAD 6366 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA 0.3 NC @ 4.5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 310MW (TA)
DMN55D0UTQ-7 Diodes Incorporated DMN55D0UTQ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN55 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 160MA (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 100 mA, 4V 1V @ 250 µA ± 12V 25 pf @ 10 V - 200MW (TA)
DMP4015SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP4015SK3Q-13 1.0400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP4015 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 14A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250 µA 47.5 NC @ 5 V ± 25V 4234 pf @ 20 V - 3.5W (TA)
DMN2005LP4K-7 Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7 0.4700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2005 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 200MA (TA) 1.5V, 4V 1.5ohm @ 10mA, 4V 900mV @ 100 µA ± 10V 41 pf @ 3 V - 400MW (TA)
DMN4026SK3-13 Diodes Incorporated DMN4026SK3-13 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMN4026 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 28a (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 21.3 NC @ 10 V ± 20V 1181 pf @ 20 V - 1.6w (TA)
DMTH6016LSDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LSDQ-13 1.1400
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMTH6016 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w, 1.9w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 7.6a (TA) 19.5mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 17NC @ 10V 864pf @ 30V -
ZVP0545ASTZ Diodes Incorporated Zvp0545astz 0.6762
RFQ
 ECAD 1594 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZVP0545 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 450 V 45MA (TA) 10V 150ohm @ 50 mm, 10v 4.5V @ 1MA ± 20V 120 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMN3032LFDB-13 Diodes Incorporated DMN3032LFDB-13 0.1234
RFQ
 ECAD 5234 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3032 Mosfet (Óxido de metal) 1W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 30V 6.2a 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
BSS138-7-F Diodes Incorporated BSS138-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 1687 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 10 V - 300MW (TA)
ZVN4306A Diodes Incorporated ZVN4306A 1.5800
RFQ
 ECAD 6786 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVN4306 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados ZVN4306A-NDR EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 60 V 1.1a (TA) 5V, 10V 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 350 pf @ 25 V - 850MW (TA)
ZVN2110GTC Diodes Incorporated ZVN2110GTC -
RFQ
 ECAD 9059 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 500 mA (TA) 10V 4ohm @ 1a, 10v 2.4V @ 1MA ± 20V 75 pf @ 25 V - 2W (TA)
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    2000+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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