SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMP3056LSD-13 Diodes Incorporated DMP3056LSD-13 0.6800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP3056 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 6.9a 45mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 13.7nc @ 10V 722pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
ZTX851 Diodes Incorporated ZTX851 1.0200
RFQ
 ECAD 2690 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZTX851 1.2 W Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados ZTX851-NDR EAR99 8541.29.0075 4.000 60 V 5 A 50NA (ICBO) NPN 250 mv @ 200 mma, 5a 100 @ 2a, 1v 130MHz
DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated Dmn2015ufde-7 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMN2015 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 10.5a (TA) 1.5V, 4.5V 11.6mohm @ 8.5a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 45.6 NC @ 10 V ± 12V 1779 pf @ 10 V - 660MW (TA)
DMT10H072LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H072LFDF-7 0.2619
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT10 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 4A (TA) 4.5V, 10V 62mohm @ 4.5a, 10v 3V @ 250 µA 5.1 NC @ 10 V ± 20V 266 pf @ 50 V - 800MW (TA)
DMTH4008LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPSQ-13 0.8400
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 14.4a (TA), 64.8a (TC) 5V, 10V 8.8mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 15.3 NC @ 10 V ± 20V 1088 pf @ 20 V - 2.99W (TA), 55.5W (TC)
DMP3068L-13 Diodes Incorporated DMP3068L-13 0.0622
RFQ
 ECAD 3975 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3068 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP3068L-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 3.3a (TA) 1.8v, 10v 72mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA 15.9 NC @ 10 V ± 12V 708 pf @ 15 V - 700MW (TA)
DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated DMN2019UTS-13 0.4000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) DMN2019 Mosfet (Óxido de metal) 780MW 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 5.4a 18.5mohm @ 7a, 10v 950MV @ 250 µA 8.8nc @ 4.5V 143pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
DDTA142TE-7 Diodes Incorporated Ddta142te-7 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Activo Ddta142 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
DMN67D8L-13 Diodes Incorporated DMN67D8L-13 0.0278
RFQ
 ECAD 9630 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN67 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 210MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.82 NC @ 10 V ± 30V 22 pf @ 25 V - 340MW (TA)
DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated DMT10H015LPS-13 1.0500
RFQ
 ECAD 4977 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMT10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 7.3a (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 33.3 NC @ 10 V ± 20V 1871 pf @ 50 V - 1.3W (TA), 46W (TC)
MMBTA56-7 Diodes Incorporated MMBTA56-7 -
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbta56 300 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 80 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 100 @ 100 maja, 1v 50MHz
BC857AT-7 Diodes Incorporated BC857AT-7 -
RFQ
 ECAD 7885 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 BC857 150 MW SOT-523 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 125 @ 2mA, 5V 100MHz
ZVP4424ZTA Diodes Incorporated ZVP4424ZTA 0.9000
RFQ
 ECAD 4779 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA ZVP4424 Mosfet (Óxido de metal) SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 240 V 200MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10v 2v @ 1 mapa ± 40V 200 pf @ 25 V - 1.5W (TA)
ZVN3310ASTOB Diodes Incorporated Zvn3310astob -
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 100 V 200MA (TA) 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 2.4V @ 1MA ± 20V 40 pf @ 25 V - 625MW (TA)
DSM80100M-7 Diodes Incorporated DSM80100M-7 -
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DSM80100 600 MW Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 80 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP + Diodo (Aislado) 250 MV @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 10mA, 1V -
DDTB122LC-7 Diodes Incorporated Ddtb122lc-7 -
RFQ
 ECAD 5773 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddtb122 200 MW Sot-23-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 2.5 mA, 50 mA 56 @ 50 mm, 5V 200 MHz 220 ohmios 10 kohms
ZVN0124ASTZ Diodes Incorporated Zvn0124astz -
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 240 V 160MA (TA) 10V 16ohm @ 250 mA, 10V 3V @ 1MA ± 20V 85 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DDTC143XE-7-F Diodes Incorporated DDTC143XE-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 DDTC143 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA NPN - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 10 kohms
ZDT1049TC Diodes Incorporated ZDT1049TC -
RFQ
 ECAD 3468 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-223-8 ZDT1049 2.75W Sm8 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 25V 5A 10NA 2 NPN (dual) 220mv @ 50 Ma, 4a 300 @ 1a, 2v 180MHz
DMN65D8LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN65D8LDWQ-13 0.0690
RFQ
 ECAD 2100 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN65 Mosfet (Óxido de metal) 300MW Sot-363 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 180 Ma 6ohm @ 115mA, 10V 2V @ 250 µA 0.87nc @ 10V 22pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated DMN4010LFG-7 0.6600
RFQ
 ECAD 7149 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN4010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 40 V 11.5a (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 14a, 10v 3V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 20V 1810 pf @ 20 V - 930MW (TA)
ZVN4306ASTOA Diodes Incorporated Zvn4306astoa -
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 1.1a (TA) 5V, 10V 330mohm @ 3a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 350 pf @ 25 V - 850MW (TA)
ZXTP19060CFFTA Diodes Incorporated Zxtp19060cffta 0.6900
RFQ
 ECAD 7580 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos Zxtp19060 1.5 W SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 3.000 60 V 4 A 50NA (ICBO) PNP 270mv @ 400mA, 4A 200 @ 100 mapa, 2v 180MHz
ZVN4424ASTOA Diodes Incorporated Zvn4424astoa -
RFQ
 ECAD 5815 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 240 V 260MA (TA) 2.5V, 10V 5.5ohm @ 500 mA, 10V 1.8V @ 1MA ± 40V 200 pf @ 25 V - 750MW (TA)
ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated Zxmn2b01fta 0.4600
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Zxmn2 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.1a (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 2.4a, 4.5V 1V @ 250 µA 4.8 NC @ 4.5 V ± 8V 370 pf @ 10 V - 625MW (TA)
DMG4468LK3-13 Diodes Incorporated DMG4468LK3-13 0.5800
RFQ
 ECAD 7231 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMG4468 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9.7a (TA) 4.5V, 10V 16mohm @ 11.6a, 10V 1.95V @ 250 µA 18.85 NC @ 10 V ± 20V 867 pf @ 15 V - 1.68W (TA)
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated DMC6040SSD-13 0.6600
RFQ
 ECAD 1502 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMC6040 Mosfet (Óxido de metal) 1.24W 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Vecino del canal 60V 5.1a, 3.1a 40mohm @ 8a, 10v 3V @ 250 µA 20.8nc @ 10V 1130pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DMN3022LDG-13 Diodes Incorporated DMN3022LDG-13 0.3632
RFQ
 ECAD 7751 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerldfn DMN3022 Mosfet (Óxido de metal) 1.96W (TA) PowerDI3333-8 (Tipo D) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 7.6a (TA), 15a (TC) 22mohm @ 10a, 5v, 8mohm @ 10a, 5V 2.1V @ 250 µA, 1.2V @ 250 µA 3.7NC @ 4.5V, 8NC @ 4.5V 481pf @ 15V, 996pf @ 15V -
BSS84W-7 Diodes Incorporated BSS84W-7 -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BSS84 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa ± 20V 45 pf @ 25 V - 200MW (TA)
DMN5L06WKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06WKQ-7 -
RFQ
 ECAD 4367 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 300 mA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 250MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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