SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated Zxmp2120ffta 0.7500
RFQ
 ECAD 9376 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-3 Platos Platos ZXMP2120 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 200 V 137MA (TA) 10V 28ohm @ 150 mm, 10v 3.5V @ 250 µA ± 20V 100 pf @ 25 V - 1W (TA)
ZXTN5551FLTA Diodes Incorporated Zxtn5551flta 0.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTN5551 330 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 160 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 200 MV a 5 mm, 50 Ma 80 @ 10mA, 5V 130MHz
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LW-7 0.4800
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN65 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 300 mA (TA) 5V, 10V 3OHM @ 115MA, 10V 2V @ 250 µA 0.87 NC @ 10 V ± 20V 22 pf @ 25 V - 300MW (TA)
DMN2065UW-7 Diodes Incorporated DMN2065UW-7 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN2065 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.8a (TA) 1.5V, 4.5V 56mohm @ 2a, 4.5V 1V @ 250 µA 5.4 NC @ 4.5 V ± 12V 400 pf @ 10 V - 430MW (TA)
DMN3023L-7 Diodes Incorporated DMN3023L-7 0.3700
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 6.2a (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10v 1.8V @ 250 µA 18.4 NC @ 10 V ± 20V 873 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMN61D9U-7 Diodes Incorporated DMN61D9U-7 -
RFQ
 ECAD 5313 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN61 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 380MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA 0.4 NC @ 4.5 V ± 20V 28.5 pf @ 30 V - 370MW (TA)
DMN62D0U-7 Diodes Incorporated DMN62D0U-7 0.3200
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN62 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 380MA (TA) 1.8V, 4.5V 2ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 20V 32 pf @ 30 V - 380MW (TA)
DMTH6010SK3-13 Diodes Incorporated DMTH6010SK3-13 1.1100
RFQ
 ECAD 6106 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 16.3a (TA), 70A (TC) 10V 8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 36.3 NC @ 10 V ± 20V 1940 pf @ 30 V - 3.1W (TA)
DMN6069SFG-7 Diodes Incorporated DMN6069SFG-7 0.6400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN6069 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 60 V 5.6a (TA), 18a (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 1480 pf @ 30 V - 930MW (TA)
DMN3033LSNQ-7 Diodes Incorporated DMN3033LSNQ-7 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3033 Mosfet (Óxido de metal) SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 6a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 6a, 10v 2.1V @ 250 µA 10.5 NC @ 5 V ± 20V 755 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
DMP2002UPS-13 Diodes Incorporated DMP2002UPS-13 2.2100
RFQ
 ECAD 1832 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMP2002 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 (Tipo K) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 60A (TC) 2.5V, 10V 1.9mohm @ 25A, 10V 1.4V @ 250 µA 585 NC @ 10 V ± 12V 12826 pf @ 10 V - 2.3W (TA)
DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated DMHC10H170SFJ-13 1.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 12-vdfn exposición almohadilla DMHC10 Mosfet (Óxido de metal) 2.1w V-DFN5045-12 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 N Y 2 Canal P (Medio Puente) 100V 2.9a, 2.3a 160mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 9.7nc @ 10V 1167pf @ 25V -
DMG2302UQ-13 Diodes Incorporated DMG2302UQ-13 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 4.2a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 50 µA 7 NC @ 4.5 V ± 8V 594.3 pf @ 10 V - 800MW (TA)
DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L-13 0.0930
RFQ
 ECAD 8065 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3023 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN3023L-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 6.2a (TA) 2.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10v 1.8V @ 250 µA 18.4 NC @ 10 V ± 20V 873 pf @ 15 V - 900MW (TA)
BSS138Q-7-F Diodes Incorporated BSS138Q-7-F 0.2900
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 10 V - 300MW (TA)
DMG2302UQ-7 Diodes Incorporated DMG2302UQ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 4.2a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 50 µA 7 NC @ 4.5 V ± 8V 594.3 pf @ 10 V - 800MW (TA)
FZT851QTA Diodes Incorporated FZT851QTA 1.3200
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT851 3 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 6 A 50NA (ICBO) NPN 375mv @ 300mA, 6a 100 @ 2a, 1v 130MHz
DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated Dmn3032lfdbq-7 0.5400
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3032 Mosfet (Óxido de metal) 1W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.2a 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
DMTH6005LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH6005LPSQ-13 1.5000
RFQ
 ECAD 4056 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6005 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 20.6a (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 50A, 10V 3V @ 250 µA 47.1 NC @ 10 V ± 20V 2962 pf @ 30 V - 3.2W (TA), 150W (TC)
DMG2302UK-7 Diodes Incorporated Dmg2302uk-7 0.3400
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2302 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 2.8a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 2.8 NC @ 10 V ± 12V 130 pf @ 10 V - 660MW (TA)
DMP10H4D2S-13 Diodes Incorporated DMP10H4D2S-13 0.0766
RFQ
 ECAD 8841 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP10 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMP10H4D2S-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 100 V 270MA (TA) 4V, 10V 4.2ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 1.8 NC @ 10 V ± 20V 87 pf @ 25 V - 380MW (TA)
DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SI3 -
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (TUPO TH3) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 4.6a (TC) 10V 1.3ohm @ 2.5a, 10v 4V @ 250 µA 13.9 NC @ 10 V ± 30V 351 pf @ 50 V - 41W (TC)
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated Dmn3032lfdb-7 0.4000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3032 Mosfet (Óxido de metal) 1W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 6.2a 30mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250 µA 10.6nc @ 10V 500pf @ 15V -
DMN67D8L-7 Diodes Incorporated DMN67D8L-7 0.2000
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN67 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 210MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.82 NC @ 10 V ± 30V 22 pf @ 25 V - 340MW (TA)
DMN10H170SVTQ-13 Diodes Incorporated DMN10H170SVTQ-13 0.1843
RFQ
 ECAD 2940 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN10 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 100 V 2.6a (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 1167 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
DMN3026LVTQ-13 Diodes Incorporated DMN3026LVTQ-13 0.1418
RFQ
 ECAD 4875 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN3026 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 30 V 6.6a (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 6.5a, 10v 2V @ 250 µA 12.5 NC @ 10 V ± 20V 643 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
DMN63D1L-13 Diodes Incorporated DMN63D1L-13 0.0340
RFQ
 ECAD 4964 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA 0.3 NC @ 4.5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 370MW (TA)
DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ-7 1.2100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 30 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2230 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ-13 1.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2230 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3-13 0.5880
RFQ
 ECAD 2569 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMNH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 55A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10v 3.3V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2245 pf @ 50 V - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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    2800+

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